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1. 发明专利

TW201513168A 附多層反射膜之基板、ＥＵＶ微影用反射型光罩基底、ＥＵＶ微影用反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：附多层反射膜之基板、ＥＵＶ微影用反射型光罩基底、ＥＵＶ微影用反射型光罩及其制造方法、以及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201513168A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103125180
申请日：2014-07-22
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：尾上貴弘 , ONOUE, TAKAHIRO , 小坂井弘文 , KOZAKAI, HIROFUMI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24 , G03F1/62 , G03F1/52 , G03F1/60 , G03F1/38
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/48 , G03F1/76 , G03F7/2004
摘要：本發明之目的在於提供一種給予獲得高反射率、且耐洗淨性優異之反射型光罩的附多層反射膜之基板。本發明之附多層反射膜之基板，其具有：基板；多層反射膜，其形成於該基板上，且週期性地積層複數層包含作為高折射率材料之Si之層與包含低折射率材料之層而成；及Ru系保護膜，其形成於該多層反射膜上，保護上述多層反射膜；且上述多層反射膜之與基板為相反側之表面層係上述包含Si之層，進而，於上述多層反射膜與上述Ru系保護膜之間具有阻礙Si朝向Ru系保護膜移行之阻擋層，且上述Si之至少一部分擴散至上述阻擋層。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种给予获得高反射率、且耐洗净性优异之反射型光罩的附多层反射膜之基板。本发明之附多层反射膜之基板，其具有：基板；多层反射膜，其形成于该基板上，且周期性地积层复数层包含作为高折射率材料之Si之层与包含低折射率材料之层而成；及Ru系保护膜，其形成于该多层反射膜上，保护上述多层反射膜；且上述多层反射膜之与基板为相反侧之表面层系上述包含Si之层，进而，于上述多层反射膜与上述Ru系保护膜之间具有阻碍Si朝向Ru系保护膜移行之阻挡层，且上述Si之至少一部分扩散至上述阻挡层。

2. 发明专利

TW201614362A 反射型光罩基底及其製造方法、反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：反射型光罩基底及其制造方法、反射型光罩及其制造方法、以及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201614362A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104130654
申请日：2015-09-16
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU , 淺川竜男 , ASAKAWA, TATSUO , 小坂井弘文 , KOZAKAI, HIROFUMI
IPC分类号： G03F1/24
CPC分类号： H01L21/0274 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/35 , C23C14/46 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , G03F1/24 , G03F1/48 , G03F1/54 , G03F1/76 , G03F1/80 , G03F1/86 , G03F7/2002
摘要：本發明提供一種防止利用電子束檢查光罩缺陷時之電荷累積並且具有平滑性較高之多層反射膜的低缺陷之反射型光罩基底、以及反射型光罩及其製造方法。一種反射型光罩基底及使用該光罩基底所製造之反射型光罩，該反射型光罩基底係於基板上積層有導電性基底膜、反射曝光之光之多層反射膜及吸收曝光之光之吸收體膜的EUV微影用反射型光罩基底，並且上述導電性基底膜包含：與上述多層反射膜鄰接而設置之膜厚為1nm以上且10nm以下之鉭系材料或釕系材料之單層膜、或具有與上述多層反射膜鄰接而設置之膜厚為1nm以上且10nm以下之鉭系材料層及設置於該鉭系材料層與上述基板之間之導電性材料層的積層膜。又，使用該反射型光罩而製造半導體裝置。
简体摘要：本发明提供一种防止利用电子束检查光罩缺陷时之电荷累积并且具有平滑性较高之多层反射膜的低缺陷之反射型光罩基底、以及反射型光罩及其制造方法。一种反射型光罩基底及使用该光罩基底所制造之反射型光罩，该反射型光罩基底系于基板上积层有导电性基底膜、反射曝光之光之多层反射膜及吸收曝光之光之吸收体膜的EUV微影用反射型光罩基底，并且上述导电性基底膜包含：与上述多层反射膜邻接而设置之膜厚为1nm以上且10nm以下之钽系材料或钌系材料之单层膜、或具有与上述多层反射膜邻接而设置之膜厚为1nm以上且10nm以下之钽系材料层及设置于该钽系材料层与上述基板之间之导电性材料层的积层膜。又，使用该反射型光罩而制造半导体设备。

3. 发明专利

TWI664489B 反射型光罩基底及其製造方法、反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：反射型光罩基底及其制造方法、反射型光罩及其制造方法、以及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI664489B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW104130654
申请日：2015-09-16
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU , 淺川竜男 , ASAKAWA, TATSUO , 小坂井弘文 , KOZAKAI, HIROFUMI
IPC分类号： G03F1/24

4. 发明专利

TW201842396A 反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：反射型光罩基底、反射型光罩及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201842396A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107106939
申请日：2018-03-02
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：池邊洋平 , IKEBE, YOHEI , 笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU , 尾上貴弘 , ONOUE, TAKAHIRO , 小坂井弘文 , KOZAKAI, HIROFUMI
IPC分类号： G03F1/24
摘要：本發明提供一種具有相位差及反射率之膜厚依存性較小之相位偏移膜之反射型光罩基底及反射型光罩。本發明之反射型光罩基底之特徵在於：上述相位偏移膜係以上述相位偏移膜表面之反射率超過3%且為20%以下，且具有特定之170度～190度之相位差之方式由包含具有兩種以上之金屬之合金之材料構成而成，將滿足k＞α ﹡n＋β之折射率n、消光係數k之金屬元素群設為群A，將滿足k＜α ﹡n＋β之折射率n、消光係數k之金屬元素群設為群B，上述合金係分別自上述群A與上述群B中選擇一種以上之金屬元素，以上述相位偏移膜之膜厚相對於設定膜厚發生±0.5%變動時之上述相位差之變化量為±2度之範圍，且反射率之變化量成為±0.2%之範圍之方式調整組成比(其中，α：比例常數，β：常數)。
简体摘要：本发明提供一种具有相位差及反射率之膜厚依存性较小之相位偏移膜之反射型光罩基底及反射型光罩。本发明之反射型光罩基底之特征在于：上述相位偏移膜系以上述相位偏移膜表面之反射率超过3%且为20%以下，且具有特定之170度～190度之相位差之方式由包含具有两种以上之金属之合金之材料构成而成，将满足k＞α ﹡n＋β之折射率n、消光系数k之金属元素群设为群A，将满足k＜α ﹡n＋β之折射率n、消光系数k之金属元素群设为群B，上述合金系分别自上述群A与上述群B中选择一种以上之金属元素，以上述相位偏移膜之膜厚相对于设置膜厚发生±0.5%变动时之上述相位差之变化量为±2度之范围，且反射率之变化量成为±0.2%之范围之方式调整组成比(其中，α：比例常数，β：常数)。

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