专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202027130A 反射型遮罩基底、反射型遮罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：反射型遮罩基底、反射型遮罩及其制造方法、以及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW202027130A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108130563
申请日：2019-08-27
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：片岡瑞生 , KATAOKA, MIZUKI , 池邊洋平 , IKEBE, YOHEI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24 , G03F1/54
摘要：本發明係提供一種可降低反射型遮罩的陰影效應，且可形成微細且高精確度的吸收體圖案之反射型遮罩基底。一種反射型遮罩基底，係具有基板、設置於該基板上之多層反射膜、以及設置於該多層反射膜上之吸收體膜；該吸收體膜係於該吸收體膜的至少一部分包含有選自鈷(Co)及鎳(Ni)所構成的群之至少1種高吸收係數元素，以及會加快乾蝕刻速度之元素；該吸收體膜係包含有含有基板側的表面之下面區域，以及含有與基板為相反側的表面之上面區域；該上面區域之該高吸收係數元素的濃度(原子%)係高於該下面區域之該高吸收係數元素的濃度(原子%)。
简体摘要：本发明系提供一种可降低反射型遮罩的阴影效应，且可形成微细且高精确度的吸收体图案之反射型遮罩基底。一种反射型遮罩基底，系具有基板、设置于该基板上之多层反射膜、以及设置于该多层反射膜上之吸收体膜；该吸收体膜系于该吸收体膜的至少一部分包含有选自钴(Co)及镍(Ni)所构成的群之至少1种高吸收系数元素，以及会加快干蚀刻速度之元素；该吸收体膜系包含有含有基板侧的表面之下面区域，以及含有与基板为相反侧的表面之上面区域；该上面区域之该高吸收系数元素的浓度(原子%)系高于该下面区域之该高吸收系数元素的浓度(原子%)。

2. 发明专利

TW201831987A 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：反射型光罩基底、反射型光罩及其制造方法、与半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201831987A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107101645
申请日：2018-01-17
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：池邊洋平 , IKEBE, YOHEI , 笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU
IPC分类号： G03F1/62 , G03F1/70 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種可減小EUV微影法之陰影效應並且形成微細圖案之反射型光罩基底及反射型光罩。藉此穩定地以較高之轉印精度製造半導體裝置。本發明係一種反射型光罩基底，其係於基板上依序具有多層反射膜及使EUV光之相位偏移之相移膜者，且上述相移膜包含單層膜或2層以上之多層膜，且包含含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之材料。
简体摘要：本发明提供一种可减小EUV微影法之阴影效应并且形成微细图案之反射型光罩基底及反射型光罩。借此稳定地以较高之转印精度制造半导体设备。本发明系一种反射型光罩基底，其系于基板上依序具有多层反射膜及使EUV光之相位偏移之相移膜者，且上述相移膜包含单层膜或2层以上之多层膜，且包含含有钽(Ta)及钛(Ti)之材料。

3. 发明专利

TW201842395A 附導電膜之基板、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：附导电膜之基板、附多层反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201842395A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107101646
申请日：2018-01-17
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：池邊洋平 , IKEBE, YOHEI , 笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU
IPC分类号： G03F1/24 , G03F7/26 , G03F1/38 , G03F1/60
摘要：本發明提供一種用以製造可藉由雷射光束等自背面側修正反射型光罩之位置偏移之反射型光罩的附導電膜之基板。本發明係一種附導電膜之基板，其係於微影法所使用之光罩基底用基板之主表面上之一表面形成有導電膜者，且於上述基板與上述導電膜之間具備具有應力調整功能之中間層，上述中間層與上述導電膜之積層膜於波長532 nm之光下之透過率為20%以上。
简体摘要：本发明提供一种用以制造可借由激光光束等自背面侧修正反射型光罩之位置偏移之反射型光罩的附导电膜之基板。本发明系一种附导电膜之基板，其系于微影法所使用之光罩基底用基板之主表面上之一表面形成有导电膜者，且于上述基板与上述导电膜之间具备具有应力调整功能之中间层，上述中间层与上述导电膜之积层膜于波长532 nm之光下之透过率为20%以上。

4. 发明专利

TW202004326A 反射型光罩基底、反射型光罩、以及反射型光罩及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：反射型光罩基底、反射型光罩、以及反射型光罩及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW202004326A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118020
申请日：2019-05-24
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：池邊洋平 , IKEBE, YOHEI , 笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU
IPC分类号： G03F1/24 , G03F7/20
摘要：本發明提供一種進一步減少反射型光罩之陰影效應並且可形成微細且高精度之相位偏移圖案之反射型光罩基底。本發明係一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係於基板上依序具有多層反射膜及使EUV光之相位偏移之相位偏移膜者，且上述相位偏移膜具有第1層及第2層，上述第1層包含含有鉭(Ta)及鉻(Cr)中之至少1種以上之元素之材料，上述第2層包含含有金屬之材料，上述金屬含有釕(Ru)、以及鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釩(V)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鎢(W)及錸(Re)中之至少1種以上之元素。
简体摘要：本发明提供一种进一步减少反射型光罩之阴影效应并且可形成微细且高精度之相位偏移图案之反射型光罩基底。本发明系一种反射型光罩基底，其特征在于：其系于基板上依序具有多层反射膜及使EUV光之相位偏移之相位偏移膜者，且上述相位偏移膜具有第1层及第2层，上述第1层包含含有钽(Ta)及铬(Cr)中之至少1种以上之元素之材料，上述第2层包含含有金属之材料，上述金属含有钌(Ru)、以及铬(Cr)、镍(Ni)、钴(Co)、钒(V)、铌(Nb)、钼(Mo)、钨(W)及铼(Re)中之至少1种以上之元素。

5. 发明专利

TW201827916A 反射型光罩基底、反射型光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：反射型光罩基底、反射型光罩之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201827916A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106136066
申请日：2017-10-20
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：池邊洋平 , IKEBE, YOHEI , 笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/54 , G03F1/38 , G03F1/48 , G03F7/20
摘要：本發明提供一種可降低EUV微影之陰影效應且形成微細之圖案之反射型光罩基底及反射型光罩。藉此穩定地且以較高之轉印精度製造半導體裝置。本發明係一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係於基板上依序具有多層反射膜、吸收體膜及蝕刻光罩膜者，且上述吸收體膜係包含含有鎳(Ni)之材料，上述蝕刻光罩膜含包含含有鉻(Cr)之材料或含有矽(Si)之材料之材料。
简体摘要：本发明提供一种可降低EUV微影之阴影效应且形成微细之图案之反射型光罩基底及反射型光罩。借此稳定地且以较高之转印精度制造半导体设备。本发明系一种反射型光罩基底，其特征在于：其系于基板上依序具有多层反射膜、吸收体膜及蚀刻光罩膜者，且上述吸收体膜系包含含有镍(Ni)之材料，上述蚀刻光罩膜含包含含有铬(Cr)之材料或含有硅(Si)之材料之材料。

6. 发明专利

TW202004327A 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：反射型光罩基底、反射型光罩及其制造方法、以及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW202004327A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118040
申请日：2019-05-24
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：池邊洋平 , IKEBE, YOHEI , 笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU
IPC分类号： G03F1/24
摘要：本發明提供一種進一步減少反射型光罩之陰影效應並且可形成微細且高精度之相位偏移圖案之反射型光罩基底。本發明係一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係於基板上依序具有多層反射膜及使EUV光之相位偏移之相位偏移膜者，且上述相位偏移膜具有包含含有金屬之材料之薄膜，上述金屬含有釕(Ru)、以及鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋁(Al)、矽(Si)、鈦(Ti)、釩(V)、鍺(Ge)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、錫(Sn)、碲(Te)、鉿(Hf)、鎢(W)及錸(Re)中之至少1種以上之元素。
简体摘要：本发明提供一种进一步减少反射型光罩之阴影效应并且可形成微细且高精度之相位偏移图案之反射型光罩基底。本发明系一种反射型光罩基底，其特征在于：其系于基板上依序具有多层反射膜及使EUV光之相位偏移之相位偏移膜者，且上述相位偏移膜具有包含含有金属之材料之薄膜，上述金属含有钌(Ru)、以及铬(Cr)、镍(Ni)、钴(Co)、铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、钒(V)、锗(Ge)、铌(Nb)、钼(Mo)、锡(Sn)、碲(Te)、铪(Hf)、钨(W)及铼(Re)中之至少1种以上之元素。

7. 发明专利

TWI682232B 反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：反射型光罩基底、反射型光罩及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI682232B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104143235
申请日：2015-12-22
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：浜本和宏 , HAMAMOTO, KAZUHIRO , 池邊洋平 , IKEBE, YOHEI
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/32

8. 发明专利

TW201842396A 反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：反射型光罩基底、反射型光罩及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201842396A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107106939
申请日：2018-03-02
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：池邊洋平 , IKEBE, YOHEI , 笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU , 尾上貴弘 , ONOUE, TAKAHIRO , 小坂井弘文 , KOZAKAI, HIROFUMI
IPC分类号： G03F1/24
摘要：本發明提供一種具有相位差及反射率之膜厚依存性較小之相位偏移膜之反射型光罩基底及反射型光罩。本發明之反射型光罩基底之特徵在於：上述相位偏移膜係以上述相位偏移膜表面之反射率超過3%且為20%以下，且具有特定之170度～190度之相位差之方式由包含具有兩種以上之金屬之合金之材料構成而成，將滿足k＞α ﹡n＋β之折射率n、消光係數k之金屬元素群設為群A，將滿足k＜α ﹡n＋β之折射率n、消光係數k之金屬元素群設為群B，上述合金係分別自上述群A與上述群B中選擇一種以上之金屬元素，以上述相位偏移膜之膜厚相對於設定膜厚發生±0.5%變動時之上述相位差之變化量為±2度之範圍，且反射率之變化量成為±0.2%之範圍之方式調整組成比(其中，α：比例常數，β：常數)。
简体摘要：本发明提供一种具有相位差及反射率之膜厚依存性较小之相位偏移膜之反射型光罩基底及反射型光罩。本发明之反射型光罩基底之特征在于：上述相位偏移膜系以上述相位偏移膜表面之反射率超过3%且为20%以下，且具有特定之170度～190度之相位差之方式由包含具有两种以上之金属之合金之材料构成而成，将满足k＞α ﹡n＋β之折射率n、消光系数k之金属元素群设为群A，将满足k＜α ﹡n＋β之折射率n、消光系数k之金属元素群设为群B，上述合金系分别自上述群A与上述群B中选择一种以上之金属元素，以上述相位偏移膜之膜厚相对于设置膜厚发生±0.5%变动时之上述相位差之变化量为±2度之范围，且反射率之变化量成为±0.2%之范围之方式调整组成比(其中，α：比例常数，β：常数)。

9. 发明专利

TW201842208A 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：反射型光罩基底、反射型光罩及其制造方法、与半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201842208A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107107032
申请日：2018-03-02
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：池邊洋平 , IKEBE, YOHEI , 堀川順一 , HORIKAWA, JUNICHI , 尾上貴弘 , ONOUE, TAKAHIRO , 片岡瑞生 , KATAOKA, MIZUKI
IPC分类号： C22C45/00 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F1/24 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種可減小EUV微影法之陰影效應且形成微細圖案之反射型光罩基底及反射型光罩。藉此穩定地以較高轉印精度製造半導體裝置。本發明係一種於基板上依序具有多層反射膜及吸收體膜之反射型光罩基底，且上述吸收體膜包含如下材料，該材料包含含有鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素的非晶質金屬。
简体摘要：本发明提供一种可减小EUV微影法之阴影效应且形成微细图案之反射型光罩基底及反射型光罩。借此稳定地以较高转印精度制造半导体设备。本发明系一种于基板上依序具有多层反射膜及吸收体膜之反射型光罩基底，且上述吸收体膜包含如下材料，该材料包含含有钴(Co)及镍(Ni)中之至少一种以上之元素的非晶质金属。

10. 发明专利

TW201525607A 反射型光罩基底及反射型光罩、以及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：反射型光罩基底及反射型光罩、以及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201525607A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103142022
申请日：2014-12-03
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：池邊洋平 , IKEBE, YOHEI , 尾上貴弘 , ONOUE, TAKAHIRO , 笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU
IPC分类号： G03F1/24
CPC分类号： G03F1/24 , C23C14/0641 , C23C14/185 , G03F1/26 , G03F1/38 , G03F1/48 , G03F7/2004
摘要：本發明提供一種反射型光罩基底及藉此製作之反射型光罩、以及提供一種半導體裝置之製造方法，該反射型光罩基底即便在EUV曝光機之曝光光源高功率化之情形時，亦可抑止如下情況：於保護膜與鄰接於其之相位偏移膜圖案之材料之間，因由熱擴散所致之相互擴散而導致對EUV光之反射率產生變動。上述反射型光罩基底係於基板12上依序形成有多層反射膜13、保護膜14、及使EUV光之相位偏移之相位偏移膜16，保護膜14包含含有釕作為主要成分之材料，相位偏移膜16包含含有鉭之鉭系材料層，並且於保護膜14之表面上或作為保護膜14之一部分與相位偏移層16接觸之側，形成抑止保護膜14與相位偏移膜16間之相互擴散且含有釕與氧之防擴散層15，藉此抑止保護膜14與相位偏移膜圖案之材料之間之熱擴散。
简体摘要：本发明提供一种反射型光罩基底及借此制作之反射型光罩、以及提供一种半导体设备之制造方法，该反射型光罩基底即便在EUV曝光机之曝光光源高功率化之情形时，亦可抑止如下情况：于保护膜与邻接于其之相位偏移膜图案之材料之间，因由热扩散所致之相互扩散而导致对EUV光之反射率产生变动。上述反射型光罩基底系于基板12上依序形成有多层反射膜13、保护膜14、及使EUV光之相位偏移之相位偏移膜16，保护膜14包含含有钌作为主要成分之材料，相位偏移膜16包含含有钽之钽系材料层，并且于保护膜14之表面上或作为保护膜14之一部分与相位偏移层16接触之侧，形成抑止保护膜14与相位偏移膜16间之相互扩散且含有钌与氧之防扩散层15，借此抑止保护膜14与相位偏移膜图案之材料之间之热扩散。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式