专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201835674A 光罩基底、相位偏移光罩之製造方法、及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、相位偏移光罩之制造方法、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201835674A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107123882
申请日：2016-10-28
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：野澤順 , NOZAWA,OSAMU , 大久保亮 , OHKUBO,RYO , 宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI
IPC分类号： G03F1/32
摘要：本發明提供一種能夠於遮光膜形成高精度且微細之圖案之相位偏移光罩製造用之光罩基底。本發明係一種光罩基底，其特徵在於：其係於透光性基板上依序設置有包括含有矽之材料之相位偏移膜、包括含有鉻、氧及碳之材料之遮光膜、以及包括含有自矽及鉭選擇之1種以上之元素之材料之硬遮罩膜，遮光膜係於硬遮罩膜側之表面及其附近之區域具有氧含量增加之組成傾斜部之單層膜，遮光膜利用X射線光電子光譜法分析而獲得之N1s之窄光譜之最大峰值為檢測下限值以下，遮光膜之除組成傾斜部以外之部分之鉻含量為50原子%以上，且利用X射線光電子光譜法分析而獲得之Cr2p之窄光譜於574 eV以下之鍵結能具有最大峰值。
简体摘要：本发明提供一种能够于遮光膜形成高精度且微细之图案之相位偏移光罩制造用之光罩基底。本发明系一种光罩基底，其特征在于：其系于透光性基板上依序设置有包括含有硅之材料之相位偏移膜、包括含有铬、氧及碳之材料之遮光膜、以及包括含有自硅及钽选择之1种以上之元素之材料之硬遮罩膜，遮光膜系于硬遮罩膜侧之表面及其附近之区域具有氧含量增加之组成倾斜部之单层膜，遮光膜利用X射线光电子光谱法分析而获得之N1s之窄光谱之最大峰值为检测下限值以下，遮光膜之除组成倾斜部以外之部分之铬含量为50原子%以上，且利用X射线光电子光谱法分析而获得之Cr2p之窄光谱于574 eV以下之键结能具有最大峰值。

2. 发明专利

TW201329612A 反射型遮罩基底、反射型遮罩及反射型遮罩之製造方法审中-公开
简体标题：反射型遮罩基底、反射型遮罩及反射型遮罩之制造方法
公开(公告)号：TW201329612A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101135468
申请日：2012-09-27
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：酒井和也 , SAKAI, KAZUYA , 大久保亮 , OHKUBO, RYO , 野澤順 , NOZAWA, OSAMU , 鈴木壽幸 , SUZUKI, TOSHIYUKI
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/58 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/80
摘要：本發明提供一種反射型遮罩基底，係使用層積有鉭系材料的吸收體膜及鉻系材料之蝕刻遮罩膜的反射型遮罩基底而可製作具有高精度轉印圖案，且具有良好光學特性之吸收體膜的反射型遮罩。該反射型遮罩基底係用以製作反射型遮罩所使用之反射型遮罩基底，為具有在基板上依序層積有多層反射膜、吸收體膜、蝕刻遮罩膜之結構的反射型遮罩基底，該蝕刻遮罩膜係由含鉻材料所構成，該吸收體膜係由含鉭材料所構成，該吸收體膜之基板側的相反側之表層形成有高氧化層，該高氧化層在進行X射線光電能譜分析時的Ta4f之化學鍵結狀態分析在較23eV要大的束縛能處有最大峰值。
简体摘要：本发明提供一种反射型遮罩基底，系使用层积有钽系材料的吸收体膜及铬系材料之蚀刻遮罩膜的反射型遮罩基底而可制作具有高精度转印图案，且具有良好光学特性之吸收体膜的反射型遮罩。该反射型遮罩基底系用以制作反射型遮罩所使用之反射型遮罩基底，为具有在基板上依序层积有多层反射膜、吸收体膜、蚀刻遮罩膜之结构的反射型遮罩基底，该蚀刻遮罩膜系由含铬材料所构成，该吸收体膜系由含钽材料所构成，该吸收体膜之基板侧的相反侧之表层形成有高氧化层，该高氧化层在进行X射线光电能谱分析时的Ta4f之化学键结状态分析在较23eV要大的束缚能处有最大峰值。

3. 发明专利

TWI676859B 光罩基底、相偏移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光罩基底、相偏移光罩之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI676859B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106102574
申请日：2017-01-24
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：大久保亮 , OHKUBO, RYO , 野澤順 , NOZAWA, OSAMU , 宍戶博明 , SHISHIDO, HIROAKI
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/80 , H01L21/027

4. 发明专利

TWI675250B 空白罩體、轉印用罩體、轉印用罩體之製造方法及半導體元件之製造方法有权
简体标题：空白罩体、转印用罩体、转印用罩体之制造方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI675250B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW105100013
申请日：2016-01-04
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：野澤順 , NOZAWA, OSAMU , 宍戸博明 , SHISHIDO, HIROAKI , 大久保亮 , OKUBO, RYO
IPC分类号： G03F1/32 , C23C14/06 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/3065

5. 发明专利

TWI604269B 遮罩基底、轉印用遮罩及轉印用遮罩的製造方法有权
简体标题：遮罩基底、转印用遮罩及转印用遮罩的制造方法
公开(公告)号：TWI604269B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW103130691
申请日：2014-09-05
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：宍戶博明 , SHISHIDO, HIROAKI , 大久保亮 , OHKUBO, RYO , 野澤順 , NOZAWA, OSAMU
IPC分类号： G03F1/70
CPC分类号： G03F1/80 , C23F4/00 , G03F1/32 , G03F1/58 , H01L21/027

6. 发明专利

TW201708940A 光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、转印用光罩、转印用光罩之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201708940A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105114764
申请日：2016-05-12
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：野澤順 , NOZAWA, OSAMU , 梶原猛伯 , KAJIWARA, TAKENORI , 大久保亮 , OHKUBO, RYO
IPC分类号： G03F1/80 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/48
摘要：本發明提供具備如下蝕刻擋止膜之光罩基底，該蝕刻擋止膜同時滿足3個特性，即，與透光性基板相比較，對於在圖案形成用薄膜上形成圖案時所進行的藉由氟系氣體之乾式蝕刻之耐受性較高，對於藥液洗淨之耐受性亦高，且對於曝光之光之透過率亦高。本發明之特徵在於：其係於透光性基板之主表面上具備圖案形成用薄膜之光罩基底，圖案形成用薄膜含有矽，於透光性基板與圖案形成用薄膜之間具有蝕刻擋止膜，且蝕刻擋止膜含有矽、鋁及氧。
简体摘要：本发明提供具备如下蚀刻挡止膜之光罩基底，该蚀刻挡止膜同时满足3个特性，即，与透光性基板相比较，对于在图案形成用薄膜上形成图案时所进行的借由氟系气体之干式蚀刻之耐受性较高，对于药液洗净之耐受性亦高，且对于曝光之光之透过率亦高。本发明之特征在于：其系于透光性基板之主表面上具备图案形成用薄膜之光罩基底，图案形成用薄膜含有硅，于透光性基板与图案形成用薄膜之间具有蚀刻挡止膜，且蚀刻挡止膜含有硅、铝及氧。

7. 发明专利

TW201331702A 遮罩基底、轉印用遮罩、轉印用遮罩之製造方法及半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：遮罩基底、转印用遮罩、转印用遮罩之制造方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201331702A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101135469
申请日：2012-09-27
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：酒井和也 , SAKAI, KAZUYA , 大久保亮 , OHKUBO, RYO , 野澤順 , NOZAWA, OSAMU , 鈴木壽幸 , SUZUKI, TOSHIYUKI
IPC分类号： G03F1/70
CPC分类号： G03F1/58 , G03F1/50 , G03F1/80
摘要：本發明提供一種遮罩基底，其可製作具有高精度之轉印圖樣，且具有光學特性良好之遮光膜之轉印用遮罩。該遮罩基底係製作轉印用遮罩時所使用的遮罩基底，具有於透光性基板上依序層積有遮光膜與蝕刻遮罩膜的結構，其中：該蝕刻遮罩膜係由含鉻材料所組成；該遮光膜係由含鉭材料所組成；於該遮光膜的透光性基板側之相反側表層係形成有高氧化層；該高氧化層進行X光電子光譜分析時，Ta4f狹帶頻譜係於較23eV更大鍵結能量處具有最大峰值。
简体摘要：本发明提供一种遮罩基底，其可制作具有高精度之转印图样，且具有光学特性良好之遮光膜之转印用遮罩。该遮罩基底系制作转印用遮罩时所使用的遮罩基底，具有于透光性基板上依序层积有遮光膜与蚀刻遮罩膜的结构，其中：该蚀刻遮罩膜系由含铬材料所组成；该遮光膜系由含钽材料所组成；于该遮光膜的透光性基板侧之相反侧表层系形成有高氧化层；该高氧化层进行X光电子光谱分析时，Ta4f狭带频谱系于较23eV更大键结能量处具有最大峰值。

8. 发明专利

TWI666509B 光罩基底、相位偏移光罩之製造方法、及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光罩基底、相位偏移光罩之制造方法、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI666509B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107123882
申请日：2016-10-28
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：野澤順 , NOZAWA,OSAMU , 大久保亮 , OHKUBO,RYO , 宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI
IPC分类号： G03F1/32

9. 发明专利

TW201842402A 遮罩基底、轉印用遮罩之製造方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：遮罩基底、转印用遮罩之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201842402A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107111775
申请日：2018-04-03
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：大久保亮 , OHKUBO, RYO , 宍戸博明 , SHISHIDO, HIROAKI , 打田崇 , UCHIDA, TAKASHI
IPC分类号： G03F1/72 , G03F1/80 , H01L21/30
摘要：本發明係於透光性基板1上依序積層有蝕刻終止膜2、包含含有選自矽及鉭中之一種以上之元素之材料之遮光膜3、硬質遮罩膜4。上述蝕刻終止膜2包含含有鉻、氧及碳之材料，且鉻含量為50原子%以上，藉由X射線光電子光譜法分析所得之N1s之窄譜之最大峰為檢測下限值以下，藉由X射線光電子光譜法分析所得之Cr2p之窄譜於574 eV以下之鍵結能時具有最大峰。
简体摘要：本发明系于透光性基板1上依序积层有蚀刻终止膜2、包含含有选自硅及钽中之一种以上之元素之材料之遮光膜3、硬质遮罩膜4。上述蚀刻终止膜2包含含有铬、氧及碳之材料，且铬含量为50原子%以上，借由X射线光电子光谱法分析所得之N1s之窄谱之最大峰为检测下限值以下，借由X射线光电子光谱法分析所得之Cr2p之窄谱于574 eV以下之键结能时具有最大峰。

10. 发明专利

TW201841043A 光罩基底、轉印用光罩之製造方法、及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、转印用光罩之制造方法、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201841043A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107105192
申请日：2018-02-13
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：野澤順 , NOZAWA, OSAMU , 大久保亮 , OHKUBO, RYO , 宍戸博明 , SHISHIDO, HIROAKI
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/24 , G03F1/48
摘要：本發明係於透光性基板1上積層有遮光膜2及硬遮罩膜3，上述遮光膜2包含含有選自矽及鉭中之1種以上之元素之材料，上述硬遮罩膜3包含含有鉻、氧及碳之材料。硬遮罩膜3係於其表面及其附近區域中具有氧含量增加之組成梯度部的單層膜，藉由X射線光電子光譜法進行分析而獲得之N1s之窄譜之最大峰值為檢測下限值以下，硬遮罩膜3之除組成梯度部以外之部分的鉻含量為50原子%以上，且藉由X射線光電子光譜法進行分析而獲得之Cr2p之窄譜於574 eV以下之鍵能下具有最大峰值。
简体摘要：本发明系于透光性基板1上积层有遮光膜2及硬遮罩膜3，上述遮光膜2包含含有选自硅及钽中之1种以上之元素之材料，上述硬遮罩膜3包含含有铬、氧及碳之材料。硬遮罩膜3系于其表面及其附近区域中具有氧含量增加之组成梯度部的单层膜，借由X射线光电子光谱法进行分析而获得之N1s之窄谱之最大峰值为检测下限值以下，硬遮罩膜3之除组成梯度部以外之部分的铬含量为50原子%以上，且借由X射线光电子光谱法进行分析而获得之Cr2p之窄谱于574 eV以下之键能下具有最大峰值。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式