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1. 发明专利

TWI673564B 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光罩基底、转印用光罩之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI673564B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW107135331
申请日：2015-03-30
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI , 野澤順 , NOZAWA,OSAMU
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58 , G03F1/80

2. 发明专利

TW201921088A 光罩基底、相移光罩、光罩基底之製造方法、相移光罩之製造方法及半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、相移光罩、光罩基底之制造方法、相移光罩之制造方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201921088A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108104220
申请日：2014-01-15
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI , 酒井和也 , SAKAI,KAZUYA
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/70
摘要：本發明提供一種光罩基底，該光罩基底即便於對形成相移膜之材料應用矽系材料之情形時，上述相移膜之面內及膜厚方向上之組成及光學特性之均一性均高，複數個基板間之相移膜之組成及光學特性之均一性亦高，進而該光罩基底為低缺陷。一種光罩基底，其特徵在於：其係於透光性基板上設置有相移膜者，上述相移膜具有使ArF曝光光線以特定之透過率透過且相對於透過之ArF曝光光線產生特定量之相移的功能，上述相移膜包含低透過層及高透過層積層而成之構造，上述低透過層及上述高透過層係由包含矽及氮之材料、或於該材料中含有選自半金屬元素、非金屬元素及稀有氣體中之1種以上之元素之材料形成，上述低透過層與上述高透過層相比，氮含量相對較少。
简体摘要：本发明提供一种光罩基底，该光罩基底即便于对形成相移膜之材料应用硅系材料之情形时，上述相移膜之面内及膜厚方向上之组成及光学特性之均一性均高，复数个基板间之相移膜之组成及光学特性之均一性亦高，进而该光罩基底为低缺陷。一种光罩基底，其特征在于：其系于透光性基板上设置有相移膜者，上述相移膜具有使ArF曝光光线以特定之透过率透过且相对于透过之ArF曝光光线产生特定量之相移的功能，上述相移膜包含低透过层及高透过层积层而成之构造，上述低透过层及上述高透过层系由包含硅及氮之材料、或于该材料中含有选自半金属元素、非金属元素及稀有气体中之1种以上之元素之材料形成，上述低透过层与上述高透过层相比，氮含量相对较少。

3. 发明专利

TW201820026A 光罩基底、相移光罩及其等之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、相移光罩及其等之制造方法
公开(公告)号：TW201820026A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW107109321
申请日：2014-01-15
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：野澤順 , NOZAWA,OSAMU , 宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI , 酒井和也 , SAKAI,KAZUYA
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/70
摘要：本發明提供一種光罩基底，該光罩基底即便於對形成相移膜之材料應用矽系材料之情形時，上述相移膜之面內及膜厚方向上之組成及光學特性之均一性均高，複數個基板間之相移膜之組成及光學特性之均一性亦高，進而該光罩基底為低缺陷。一種光罩基底，其特徵在於：其係於透光性基板上設置有相移膜者，上述相移膜具有使ArF曝光光線以特定之透過率透過且相對於透過之ArF曝光光線產生特定量之相移的功能，上述相移膜包含低透過層及高透過層積層而成之構造，上述低透過層及上述高透過層係由包含矽及氮之材料、或於該材料中含有選自半金屬元素、非金屬元素及稀有氣體中之1種以上之元素之材料形成，上述低透過層與上述高透過層相比，氮含量相對較少。
简体摘要：本发明提供一种光罩基底，该光罩基底即便于对形成相移膜之材料应用硅系材料之情形时，上述相移膜之面内及膜厚方向上之组成及光学特性之均一性均高，复数个基板间之相移膜之组成及光学特性之均一性亦高，进而该光罩基底为低缺陷。一种光罩基底，其特征在于：其系于透光性基板上设置有相移膜者，上述相移膜具有使ArF曝光光线以特定之透过率透过且相对于透过之ArF曝光光线产生特定量之相移的功能，上述相移膜包含低透过层及高透过层积层而成之构造，上述低透过层及上述高透过层系由包含硅及氮之材料、或于该材料中含有选自半金属元素、非金属元素及稀有气体中之1种以上之元素之材料形成，上述低透过层与上述高透过层相比，氮含量相对较少。

4. 发明专利

TWI686662B 光罩基底、相移光罩、光罩基底之製造方法、相移光罩之製造方法及半導體元件之製造方法有权
简体标题：光罩基底、相移光罩、光罩基底之制造方法、相移光罩之制造方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI686662B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108104220
申请日：2014-01-15
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI , 酒井和也 , SAKAI,KAZUYA
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/70

5. 发明专利

TWI666509B 光罩基底、相位偏移光罩之製造方法、及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光罩基底、相位偏移光罩之制造方法、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI666509B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107123882
申请日：2016-10-28
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：野澤順 , NOZAWA,OSAMU , 大久保亮 , OHKUBO,RYO , 宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI
IPC分类号： G03F1/32

6. 发明专利

TW201921089A 光罩基底、相移光罩及半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、相移光罩及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201921089A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108104223
申请日：2014-01-15
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：野澤順 , NOZAWA,OSAMU , 宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI , 酒井和也 , SAKAI,KAZUYA
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/70
摘要：本發明提供一種光罩基底，該光罩基底即便於對形成相移膜之材料應用矽系材料之情形時，上述相移膜之面內及膜厚方向上之組成及光學特性之均一性均高，複數個基板間之相移膜之組成及光學特性之均一性亦高，進而該光罩基底為低缺陷。一種光罩基底，其特徵在於：其係於透光性基板上設置有相移膜者，上述相移膜具有使ArF曝光光線以特定之透過率透過且相對於透過之ArF曝光光線產生特定量之相移的功能，上述相移膜包含低透過層及高透過層積層而成之構造，上述低透過層及上述高透過層係由包含矽及氮之材料、或於該材料中含有選自半金屬元素、非金屬元素及稀有氣體中之1種以上之元素之材料形成，上述低透過層與上述高透過層相比，氮含量相對較少。
简体摘要：本发明提供一种光罩基底，该光罩基底即便于对形成相移膜之材料应用硅系材料之情形时，上述相移膜之面内及膜厚方向上之组成及光学特性之均一性均高，复数个基板间之相移膜之组成及光学特性之均一性亦高，进而该光罩基底为低缺陷。一种光罩基底，其特征在于：其系于透光性基板上设置有相移膜者，上述相移膜具有使ArF曝光光线以特定之透过率透过且相对于透过之ArF曝光光线产生特定量之相移的功能，上述相移膜包含低透过层及高透过层积层而成之构造，上述低透过层及上述高透过层系由包含硅及氮之材料、或于该材料中含有选自半金属元素、非金属元素及稀有气体中之1种以上之元素之材料形成，上述低透过层与上述高透过层相比，氮含量相对较少。

7. 发明专利

TWI690769B 光罩基底、相移光罩及半導體元件之製造方法有权
简体标题：光罩基底、相移光罩及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI690769B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW108104223
申请日：2014-01-15
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：野澤順 , NOZAWA,OSAMU , 宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI , 酒井和也 , SAKAI,KAZUYA
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/70

8. 发明专利

TWI648592B 光罩基底、相位偏移光罩、相位偏移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光罩基底、相位偏移光罩、相位偏移光罩之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI648592B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106107539
申请日：2015-11-03
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI , 野澤順 , NOZAWA,OSAMU , 梶原猛伯 , KAJIWARA,,TAKENORI
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/60

9. 发明专利

TW201903513A 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、转印用光罩之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201903513A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107135331
申请日：2015-03-30
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI , 野澤順 , NOZAWA,OSAMU
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58 , G03F1/80
摘要：本發明係一種於透光性基板上依序積層有光半透過膜、遮光膜、及硬質光罩膜之光罩基底。光半透過膜含有矽，硬質光罩膜含有矽及鉭中之任一者或兩者。遮光膜呈底層及上層之積層構造且含有鉻。上層之鉻之含量為65原子%以上，且氧之含量未達20原子%，底層之鉻之含量未達60原子%，且氧之含量為20原子%以上。
简体摘要：本发明系一种于透光性基板上依序积层有光半透过膜、遮光膜、及硬质光罩膜之光罩基底。光半透过膜含有硅，硬质光罩膜含有硅及钽中之任一者或两者。遮光膜呈底层及上层之积层构造且含有铬。上层之铬之含量为65原子%以上，且氧之含量未达20原子%，底层之铬之含量未达60原子%，且氧之含量为20原子%以上。

10. 发明专利

TW201835674A 光罩基底、相位偏移光罩之製造方法、及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、相位偏移光罩之制造方法、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201835674A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107123882
申请日：2016-10-28
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：野澤順 , NOZAWA,OSAMU , 大久保亮 , OHKUBO,RYO , 宍戶博明 , SHISHIDO,HIROAKI
IPC分类号： G03F1/32
摘要：本發明提供一種能夠於遮光膜形成高精度且微細之圖案之相位偏移光罩製造用之光罩基底。本發明係一種光罩基底，其特徵在於：其係於透光性基板上依序設置有包括含有矽之材料之相位偏移膜、包括含有鉻、氧及碳之材料之遮光膜、以及包括含有自矽及鉭選擇之1種以上之元素之材料之硬遮罩膜，遮光膜係於硬遮罩膜側之表面及其附近之區域具有氧含量增加之組成傾斜部之單層膜，遮光膜利用X射線光電子光譜法分析而獲得之N1s之窄光譜之最大峰值為檢測下限值以下，遮光膜之除組成傾斜部以外之部分之鉻含量為50原子%以上，且利用X射線光電子光譜法分析而獲得之Cr2p之窄光譜於574 eV以下之鍵結能具有最大峰值。
简体摘要：本发明提供一种能够于遮光膜形成高精度且微细之图案之相位偏移光罩制造用之光罩基底。本发明系一种光罩基底，其特征在于：其系于透光性基板上依序设置有包括含有硅之材料之相位偏移膜、包括含有铬、氧及碳之材料之遮光膜、以及包括含有自硅及钽选择之1种以上之元素之材料之硬遮罩膜，遮光膜系于硬遮罩膜侧之表面及其附近之区域具有氧含量增加之组成倾斜部之单层膜，遮光膜利用X射线光电子光谱法分析而获得之N1s之窄光谱之最大峰值为检测下限值以下，遮光膜之除组成倾斜部以外之部分之铬含量为50原子%以上，且利用X射线光电子光谱法分析而获得之Cr2p之窄光谱于574 eV以下之键结能具有最大峰值。

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