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1. 发明专利

TW201704898A 度量衡方法及裝置、微影系統及元件製造方法审中-公开
简体标题：度量衡方法及设备、微影系统及组件制造方法
公开(公告)号：TW201704898A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105134143
申请日：2014-08-04
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：米德克魯克斯史考特安德森 , MIDDLEBROOKS, SCOTT ANDERSON , 吉朋尼爾斯 , GEYPEN, NIELS , 史密德韓卓克真海德 , SMILDE, HENDRIK JAN HIDDE , 斯特傑亞力山德 , STRAAIJER, ALEXANDER , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 凡可拉吉馬可斯傑拉度馬堤司瑪麗亞 , VAN KRAAIJ, MARKUS GERARDUS MARTINUS MARIA
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633
摘要：本發明揭示一種量測一微影程序之一參數之方法，及關聯檢測裝置。該方法包含使用複數個不同照明條件來量測一基板上之至少兩個目標結構，該等目標結構具有故意疊對偏置；以針對每一目標結構獲得表示一總不對稱性之一不對稱性量測，該總不對稱性包括歸因於(i)該等故意疊對偏置、(ii)在該目標結構之形成期間之一疊對誤差及(iii)任何特徵不對稱性的貢獻。藉由使一線性回歸模型擬合於針對一個目標結構之不對稱性量測相對於針對另一目標結構之不對稱性量測的一平面表示而對不對稱性量測資料執行一回歸分析，該線性回歸模型未必擬合通過該平面表示之一原點。可接著自由該線性回歸模型描述之一斜率判定該疊對誤差。
简体摘要：本发明揭示一种量测一微影进程之一参数之方法，及关联检测设备。该方法包含使用复数个不同照明条件来量测一基板上之至少两个目标结构，该等目标结构具有故意叠对偏置；以针对每一目标结构获得表示一总不对称性之一不对称性量测，该总不对称性包括归因于(i)该等故意叠对偏置、(ii)在该目标结构之形成期间之一叠对误差及(iii)任何特征不对称性的贡献。借由使一线性回归模型拟合于针对一个目标结构之不对称性量测相对于针对另一目标结构之不对称性量测的一平面表示而对不对称性量测数据运行一回归分析，该线性回归模型未必拟合通过该平面表示之一原点。可接着自由该线性回归模型描述之一斜率判定该叠对误差。

2. 发明专利

TWI563345B 度量衡方法及裝置、微影系統及元件製造方法有权
简体标题：度量衡方法及设备、微影系统及组件制造方法
公开(公告)号：TWI563345B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103126643
申请日：2014-08-04
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：米德克魯克斯史考特安德森 , MIDDLEBROOKS, SCOTT ANDERSON , 吉朋尼爾斯 , GEYPEN, NIELS , 史密德韓卓克真海德 , SMILDE, HENDRIK JAN HIDDE , 斯特傑亞力山德 , STRAAIJER, ALEXANDER , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 凡可拉吉馬可斯傑拉度馬堤司瑪麗亞 , VAN KRAAIJ, MARKUS GERARDUS MARTINUS MARIA
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633

3. 发明专利

TWI600981B 度量衡方法及裝置、微影系統及元件製造方法有权
简体标题：度量衡方法及设备、微影系统及组件制造方法
公开(公告)号：TWI600981B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105134143
申请日：2014-08-04
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：米德克魯克斯史考特安德森 , MIDDLEBROOKS, SCOTT ANDERSON , 吉朋尼爾斯 , GEYPEN, NIELS , 史密德韓卓克真海德 , SMILDE, HENDRIK JAN HIDDE , 斯特傑亞力山德 , STRAAIJER, ALEXANDER , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 凡可拉吉馬可斯傑拉度馬堤司瑪麗亞 , VAN KRAAIJ, MARKUS GERARDUS MARTINUS MARIA
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633

4. 发明专利

TW201506554A 度量衡方法及裝置、微影系統及元件製造方法审中-公开
简体标题：度量衡方法及设备、微影系统及组件制造方法
公开(公告)号：TW201506554A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103126643
申请日：2014-08-04
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：米德克魯克斯史考特安德森 , MIDDLEBROOKS, SCOTT ANDERSON , 吉朋尼爾斯 , GEYPEN, NIELS , 史密德韓卓克真海德 , SMILDE, HENDRIK JAN HIDDE , 斯特傑亞力山德 , STRAAIJER, ALEXANDER , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 凡可拉吉馬可斯傑拉度馬堤司瑪麗亞 , VAN KRAAIJ, MARKUS GERARDUS MARTINUS MARIA
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633
摘要：本發明揭示一種量測一微影程序之一參數之方法，及關聯檢測裝置。該方法包含使用複數個不同照明條件來量測一基板上之至少兩個目標結構，該等目標結構具有故意疊對偏置；以針對每一目標結構獲得表示一總不對稱性之一不對稱性量測，該總不對稱性包括歸因於(i)該等故意疊對偏置、(ii)在該目標結構之形成期間之一疊對誤差及(iii)任何特徵不對稱性的貢獻。藉由使一線性回歸模型擬合於針對一個目標結構之不對稱性量測相對於針對另一目標結構之不對稱性量測的一平面表示而對不對稱性量測資料執行一回歸分析，該線性回歸模型未必擬合通過該平面表示之一原點。可接著自由該線性回歸模型描述之一梯度判定該疊對誤差。
简体摘要：本发明揭示一种量测一微影进程之一参数之方法，及关联检测设备。该方法包含使用复数个不同照明条件来量测一基板上之至少两个目标结构，该等目标结构具有故意叠对偏置；以针对每一目标结构获得表示一总不对称性之一不对称性量测，该总不对称性包括归因于(i)该等故意叠对偏置、(ii)在该目标结构之形成期间之一叠对误差及(iii)任何特征不对称性的贡献。借由使一线性回归模型拟合于针对一个目标结构之不对称性量测相对于针对另一目标结构之不对称性量测的一平面表示而对不对称性量测数据运行一回归分析，该线性回归模型未必拟合通过该平面表示之一原点。可接着自由该线性回归模型描述之一梯度判定该叠对误差。

5. 发明专利

TW201740077A 高諧波產生（HHG）源、檢測裝置及用於執行量測的方法审中-公开
简体标题：高谐波产生（HHG）源、检测设备及用于运行量测的方法
公开(公告)号：TW201740077A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106114027
申请日：2017-04-27
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：林楠 , LIN, NAN , 丹包伊夫亞歷傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 盧波山德巴斯 , ROOBOL, SANDER BAS , 麥提森賽門吉司伯喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 吉朋尼爾斯 , GEYPEN, NIELS
IPC分类号： G01B11/00 , G01J3/28 , G01N21/47
CPC分类号： G03F7/70616 , G01B11/24 , G01N21/9501 , G02F1/3551 , G02F1/37 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , H01S3/0092 , H01S3/1305 , H01S3/1625 , H01S3/1636
摘要：本發明揭示一種在一檢測裝置中執行一量測之方法，及一種相關聯檢測裝置及高諧波產生(HHG)源。該方法包含：組態一高諧波產生輻射源之至少一個驅動雷射脈衝之一或多個可控制特性以控制由該高諧波產生輻射源提供的照明輻射之輸出發射光譜；及運用該照明輻射照明一目標結構。該方法可包含組態該驅動雷射脈衝使得該輸出發射光譜包含複數個離散諧波波峰。替代地，該方法可包含使用具有不同波長之複數個驅動雷射脈衝使得該輸出發射光譜係實質上單色的。
简体摘要：本发明揭示一种在一检测设备中运行一量测之方法，及一种相关联检测设备及高谐波产生(HHG)源。该方法包含：组态一高谐波产生辐射源之至少一个驱动激光脉冲之一或多个可控制特性以控制由该高谐波产生辐射源提供的照明辐射之输出发射光谱；及运用该照明辐射照明一目标结构。该方法可包含组态该驱动激光脉冲使得该输出发射光谱包含复数个离散谐波波峰。替代地，该方法可包含使用具有不同波长之复数个驱动激光脉冲使得该输出发射光谱系实质上单色的。

6. 发明专利

TWI689791B 用於校準一對互補繞射圖案之方法和相關度量衡方法及設備有权
简体标题：用于校准一对互补绕射图案之方法和相关度量衡方法及设备
公开(公告)号：TWI689791B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107131403
申请日：2018-09-07
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：吉朋尼爾斯 , GEYPEN, NIELS
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00

7. 发明专利

TW201921150A 用於校準一對互補繞射圖案之方法和相關度量衡方法及設備审中-公开
简体标题：用于校准一对互补绕射图案之方法和相关度量衡方法及设备
公开(公告)号：TW201921150A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107131403
申请日：2018-09-07
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：吉朋尼爾斯 , GEYPEN, NIELS
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00
摘要：本發明揭示一種校準包含一第一互補繞射圖案及一第二互補繞射圖案之一對互補繞射圖案之方法，該對互補繞射圖案係自對藉由一微影製程而形成之一結構執行一度量衡製程來獲得。該方法包含執行至少一精細校準階段以校準該對互補繞射圖案。該校準階段包含：遍及偵測器區域之至少一部分內插該第一互補繞射圖案之量測值；及藉由使該第二互補繞射圖案平移及旋轉中之一個或兩個操作而最小化該第二互補繞射圖案中之量測值與自該第一互補繞射圖案之該內插之對應內插值之間的一殘差。亦揭示一種使用該校準方法量測一結構之一所關注參數的方法，及一種相關度量衡設備。
简体摘要：本发明揭示一种校准包含一第一互补绕射图案及一第二互补绕射图案之一对互补绕射图案之方法，该对互补绕射图案系自对借由一微影制程而形成之一结构运行一度量衡制程来获得。该方法包含运行至少一精细校准阶段以校准该对互补绕射图案。该校准阶段包含：遍及侦测器区域之至少一部分内插该第一互补绕射图案之量测值；及借由使该第二互补绕射图案平移及旋转中之一个或两个操作而最小化该第二互补绕射图案中之量测值与自该第一互补绕射图案之该内插之对应内插值之间的一残差。亦揭示一种使用该校准方法量测一结构之一所关注参数的方法，及一种相关度量衡设备。

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