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    • 2. 发明专利
    • 靜電放電保護電路
    • 静电放电保护电路
    • TW201633505A
    • 2016-09-16
    • TW104142174
    • 2015-12-15
    • ARM股份有限公司ARM LIMITED
    • 迪亞 雷那畢爾DEY, RANABIR庫瑪 艾比那維KUMAR, ABHINAV維諾科達 維賈亞 庫瑪VINUKONDA, VIJAYA KUMAR布隆科 法布利斯BLANC, FABRICE
    • H01L27/02H02H9/04H01L29/78
    • H02H9/046H01L27/0285H01L29/78
    • 本文所描述之各種實施方案係針對一種用於靜電放電(ESD)保護之積體電路。該積體電路可包含一偵測級,其具有一電阻器及與一第二電容器串接之一第一電容器。該電阻器及該第一電容器經配置以界定經組態以提供一觸發信號之一觸發節點。該第一電容器及該第二電容器經配置以界定經組態以提供一參考信號之一參考節點。該積體電路可包含具有一第一電晶體之一第一ESD箝位級,該第一電晶體經組態以基於該觸發信號而將一供應電壓提供至一第一箝位電晶體。該積體電路可包含具有一第二電晶體之一第二ESD箝位級,該第二電晶體經組態以基於該參考信號而自該第一電晶體接收該供應電壓且將該供應電壓提供至一第二箝位電晶體。
    • 本文所描述之各种实施方案系针对一种用于静电放电(ESD)保护之集成电路。该集成电路可包含一侦测级,其具有一电阻器及与一第二电容器串接之一第一电容器。该电阻器及该第一电容器经配置以界定经组态以提供一触发信号之一触发节点。该第一电容器及该第二电容器经配置以界定经组态以提供一参考信号之一参考节点。该集成电路可包含具有一第一晶体管之一第一ESD箝位级,该第一晶体管经组态以基于该触发信号而将一供应电压提供至一第一箝位晶体管。该集成电路可包含具有一第二晶体管之一第二ESD箝位级,该第二晶体管经组态以基于该参考信号而自该第一晶体管接收该供应电压且将该供应电压提供至一第二箝位晶体管。