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1. 发明专利

TW201349237A 控制存取信號之電壓層級以減少半導體記憶體中之存取干擾审中-公开
简体标题：控制存取信号之电压层级以减少半导体内存中之存取干扰
公开(公告)号：TW201349237A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102114617
申请日：2013-04-24
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：尙姆甘亞瑪蘭斯 , SHANMUGAM, AMARANTH , 麥提百卡斯 , MAITI, BIKAS , 史庫皮文森菲利普 , SCHUPPE, VINCENT PHILLIPPE , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 鍾怡康 , CHONG, YEW KEONG , 金凱德馬丁傑 , KINKADE, MARTIN JAY
IPC分类号： G11C11/412
CPC分类号： G11C7/02 , G11C8/08 , G11C11/418
摘要：本文介紹了一種用於儲存資料之半導體記憶體儲存裝置。半導體記憶體儲存裝置具有用於儲存資料之複數個儲存單元，每個儲存單元包含：存取控制裝置，該存取控制裝置經配置以回應存取控制信號，以向儲存單元提供對資料存取埠之存取或隔離；及存取控制電路系統，該存取控制電路系統經配置以沿複數個存取控制線路中之一者傳輸存取控制信號以控制複數個存取控制裝置，該等複數個存取控制裝置連接至複數個存取控制線路中之一者。其中，存取控制電路系統包含：電壓供應線路，用於向存取控制線路供應電壓之電壓供應線路；至少一電容器；用於將至少一電容器連接至電壓供應線路之電壓控制開關電路系統；及用於將選定存取控制線路連接至電壓供應線路之存取控制線路開關電路系統。其中，存取控制電路系統經配置以回應資料存取請求信號，以存取選定儲存單元，該選定儲存單元連接至相對應之選定存取控制線路，以便：控制電壓控制開關電路系統以將至少一電容器連接至電壓供應線路，以便使至少一電容器由電壓供應線路充電，且電壓供應線路上之電壓層級降低；及控制存取控制線路開關電路系統以將選定存取控制線路連接至具有降低之電壓層級的電壓供應線路。
简体摘要：本文介绍了一种用于存储数据之半导体内存存储设备。半导体内存存储设备具有用于存储数据之复数个存储单元，每个存储单元包含：存取控制设备，该存取控制设备经配置以回应存取控制信号，以向存储单元提供对数据存取端口之存取或隔离；及存取控制电路系统，该存取控制电路系统经配置以沿复数个存取控制线路中之一者传输存取控制信号以控制复数个存取控制设备，该等复数个存取控制设备连接至复数个存取控制线路中之一者。其中，存取控制电路系统包含：电压供应线路，用于向存取控制线路供应电压之电压供应线路；至少一电容器；用于将至少一电容器连接至电压供应线路之电压控制开关电路系统；及用于将选定存取控制线路连接至电压供应线路之存取控制线路开关电路系统。其中，存取控制电路系统经配置以回应数据存取请求信号，以存取选定存储单元，该选定存储单元连接至相对应之选定存取控制线路，以便：控制电压控制开关电路系统以将至少一电容器连接至电压供应线路，以便使至少一电容器由电压供应线路充电，且电压供应线路上之电压层级降低；及控制存取控制线路开关电路系统以将选定存取控制线路连接至具有降低之电压层级的电压供应线路。

2. 发明专利

TW201515007A 記憶體裝置以及在此記憶體裝置中執行存取操作的方法审中-公开
简体标题：内存设备以及在此内存设备中运行存取操作的方法
公开(公告)号：TW201515007A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103125130
申请日：2014-07-22
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：麥提百卡斯 , MAITI, BIKAS , 鍾怡康 , CHONG, YEW KEONG , 金凱德馬丁傑 , KINKADE, MARTIN JAY
IPC分类号： G11C7/22 , G11C8/08
CPC分类号： G11C7/22 , G11C5/148 , G11C7/227 , G11C11/419
摘要：本發明提供一種記憶體裝置及在此記憶體裝置中執行存取操作的方法。記憶體裝置包含：按複數個行與列排列的記憶體單元之陣列；複數個字線，每一字線經耦接至記憶體單元之關聯行；及複數個位元線，每一位元線經耦接至記憶體單元之關聯列。在具有陣列電壓供應的陣列電壓域中操作陣列。存取電路系統經耦接至複數個字線及複數個位元線以便關於陣列中的選定記憶體單元執行存取操作，存取電路系統中的至少一部分在具有周邊電壓供應的周邊電壓域中操作。控制電路系統則控制存取電路系統之操作，控制電路系統包括自計時路徑(STP)延遲電路系統，該STP延遲電路系統產生指示與存取記憶體單元關聯的存取時序延遲之延遲指示。控制電路系統在控制存取電路系統執行該等存取操作時使用延遲指示。電壓供應控制電路系統與STP延遲電路系統中的至少一個部分關聯及取決於關於該陣列電壓供應與該周邊電壓供應之電壓位準所設置的控制訊號在該周邊電壓供應與該陣列電壓供應之間切換對STP延遲電路系統中的該至少一個部分的電壓供應。此產生一種改良STP延遲機制，該改良STP延遲機制不僅在周邊電壓供應比陣列電壓供應更小時，並且在兩個電壓供應類似的情形中，及甚至在周邊電壓供應超過陣列電壓供應的情形中提供充足讀取及寫入餘裕。
简体摘要：本发明提供一种内存设备及在此内存设备中运行存取操作的方法。内存设备包含：按复数个行与列排列的内存单元之数组；复数个字线，每一字线经耦接至内存单元之关联行；及复数个比特线，每一比特线经耦接至内存单元之关联列。在具有数组电压供应的数组电压域中操作数组。存取电路系统经耦接至复数个字线及复数个比特线以便关于数组中的选定内存单元运行存取操作，存取电路系统中的至少一部分在具有周边电压供应的周边电压域中操作。控制电路系统则控制存取电路系统之操作，控制电路系统包括自计时路径(STP)延迟电路系统，该STP延迟电路系统产生指示与存取内存单元关联的存取时序延迟之延迟指示。控制电路系统在控制存取电路系统运行该等存取操作时使用延迟指示。电压供应控制电路系统与STP延迟电路系统中的至少一个部分关联及取决于关于该数组电压供应与该周边电压供应之电压位准所设置的控制信号在该周边电压供应与该数组电压供应之间切换对STP延迟电路系统中的该至少一个部分的电压供应。此产生一种改良STP延迟机制，该改良STP延迟机制不仅在周边电压供应比数组电压供应更小时，并且在两个电压供应类似的情形中，及甚至在周边电压供应超过数组电压供应的情形中提供充足读取及写入余裕。

3. 发明专利

TWI620197B 記憶體裝置以及在此記憶體裝置中執行存取操作的方法有权
简体标题：内存设备以及在此内存设备中运行存取操作的方法
公开(公告)号：TWI620197B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103125130
申请日：2014-07-22
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：麥提百卡斯 , MAITI, BIKAS , 鍾怡康 , CHONG, YEW KEONG , 金凱德馬丁傑 , KINKADE, MARTIN JAY
IPC分类号： G11C7/22 , G11C8/08
CPC分类号： G11C7/22 , G11C5/148 , G11C7/227 , G11C11/419

4. 发明专利

TWI600011B 用於控制存取信號之電壓層級以減少半導體記憶體中之存取干擾的方法、裝置、構件及電腦程式產品有权
简体标题：用于控制存取信号之电压层级以减少半导体内存中之存取干扰的方法、设备、构件及电脑进程产品
公开(公告)号：TWI600011B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW102114617
申请日：2013-04-24
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：尙姆甘亞瑪蘭斯 , SHANMUGAM, AMARANTH , 麥提百卡斯 , MAITI, BIKAS , 史庫皮文森菲利普 , SCHUPPE, VINCENT PHILLIPPE , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 鍾怡康 , CHONG, YEW KEONG , 金凱德馬丁傑 , KINKADE, MARTIN JAY
IPC分类号： G11C11/412
CPC分类号： G11C7/02 , G11C8/08 , G11C11/418

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