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1. 发明专利

TWI686955B 肖特基二極體及肖特基二極體陣列有权
简体标题：肖特基二极管及肖特基二极管数组
公开(公告)号：TWI686955B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106106279
申请日：2017-02-24
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：趙宇丹 , ZHAO, YU-DAN , 肖小陽 , XIAO, XIAO-YANG , 王营城 , WANG, YING-CHENG , 金元浩 , JIN, YUAN-HAO , 張天夫 , ZHANG, TIAN-FU , 李群慶 , LI, QUN-QING
IPC分类号： H01L29/872 , H01L27/12 , H01L21/329

2. 发明专利

TW201841364A 薄膜電晶體审中-公开
简体标题：薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201841364A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106106277
申请日：2017-02-24
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：趙宇丹 , ZHAO, YU-DAN , 肖小陽 , XIAO, XIAO-YANG , 王营城 , WANG, YING-CHENG , 金元浩 , JIN, YUAN-HAO , 張天夫 , ZHANG, TIAN-FU , 李群慶 , LI, QUN-QING
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/786 , H01L29/872
摘要：一種薄膜電晶體，其包括：一柵極、一絕緣介質層及至少一肖特基二極體單元。所述肖特基二極體單元，其包括：一絕緣基底及至少一肖特基二極體單元，所述至少一肖特基二極體單元設置在絕緣基底的表面；所述肖特基二極體單元包括一第一電極，一半導體結構及一第二電極；所述第一電極設置在絕緣基底的表面，所述半導體結構包括一第一端及與第一端相對的第二端，所述半導體結構的第一端鋪設在第一電極上使第一電極位於半導體結構的第一端和絕緣基底之間，第二端設置在絕緣基底的表面，所述第二電極設置在半導體結構的第二端並使半導體結構的第二端位於第二電極和絕緣基底之間，所述半導體結構為一奈米級半導體結構。
简体摘要：一种薄膜晶体管，其包括：一栅极、一绝缘介质层及至少一肖特基二极管单元。所述肖特基二极管单元，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一奈米级半导体结构。

3. 发明专利

TW201828483A 肖特基二極體及肖特基二極體陣列审中-公开
简体标题：肖特基二极管及肖特基二极管数组
公开(公告)号：TW201828483A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106106273
申请日：2017-02-24
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：趙宇丹 , ZHAO, YU-DAN , 肖小陽 , XIAO, XIAO-YANG , 王营城 , WANG, YING-CHENG , 金元浩 , JIN, YUAN-HAO , 張天夫 , ZHANG, TIAN-FU , 李群慶 , LI, QUN-QING
IPC分类号： H01L29/872
摘要：一種肖特基二極體，其包括：一絕緣基底及至少一肖特基二極體單元，所述至少一肖特基二極體單元設置在絕緣基底的表面；所述肖特基二極體單元包括一第一電極，一半導體結構及一第二電極；所述第一電極設置在絕緣基底的表面，所述半導體結構包括一第一端及與第一端相對的第二端，所述半導體結構的第一端鋪設在第一電極上使第一電極位於半導體結構的第一端和絕緣基底之間，第二端設置在絕緣基底的表面，所述第二電極設置在半導體結構的第二端並使半導體結構的第二端位於第二電極和絕緣基底之間，所述半導體結構為一奈米碳管結構。
简体摘要：一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一奈米碳管结构。

4. 发明专利

TW202021904A 石墨烯膠膜的製備方法及石墨烯的轉移方法审中-公开
简体标题：石墨烯胶膜的制备方法及石墨烯的转移方法
公开(公告)号：TW202021904A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107146693
申请日：2018-12-22
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：張天夫 , ZHANG, TIAN-FU , 黃忠政 , HUANG, ZHONG-ZHENG , 肖小陽 , XIAO, XIAO-YANG , 王營城 , WANG, YING-CHENG , 李群慶 , LI, QUN-QING , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： C01B32/182 , B82Y40/00
摘要：一種石墨烯膠膜的製備方法，其包括以下步驟：在一生長基底上生長一石墨烯，該生長基底的材料為銅；在所述石墨烯遠離生長基底的表面塗覆一膠黏劑層；及利用一腐蝕液將所述生長基底去除，所述腐蝕液為雙氧水、鹽酸及去離子水的混合液。本發明還涉及一種石墨烯的轉移方法。
简体摘要：一种石墨烯胶膜的制备方法，其包括以下步骤：在一生长基底上生长一石墨烯，该生长基底的材料为铜；在所述石墨烯远离生长基底的表面涂覆一胶黏剂层；及利用一腐蚀液将所述生长基底去除，所述腐蚀液为双氧水、盐酸及去离子水的混合液。本发明还涉及一种石墨烯的转移方法。

5. 发明专利

TWI664735B 薄膜電晶體有权
简体标题：薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI664735B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW106106281
申请日：2017-02-24
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：趙宇丹 , ZHAO, YU-DAN , 肖小陽 , XIAO, XIAO-YANG , 王营城 , WANG, YING-CHENG , 金元浩 , JIN, YUAN-HAO , 張天夫 , ZHANG, TIAN-FU , 李群慶 , LI, QUN-QING
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/66

6. 发明专利

TW201841376A 肖特基二極體及肖特基二極體陣列审中-公开
简体标题：肖特基二极管及肖特基二极管数组
公开(公告)号：TW201841376A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106106279
申请日：2017-02-24
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：趙宇丹 , ZHAO, YU-DAN , 肖小陽 , XIAO, XIAO-YANG , 王营城 , WANG, YING-CHENG , 金元浩 , JIN, YUAN-HAO , 張天夫 , ZHANG, TIAN-FU , 李群慶 , LI, QUN-QING
IPC分类号： H01L29/872 , H01L27/12 , H01L21/329
摘要：一種肖特基二極體，其包括：一第一電極，該第一電極包括一第一金屬層及一第二金屬層及一臺階狀結構；一第二電極，該第二電極包括一第三金屬層及一第四金屬層及一反向臺階狀結構；一半導體結構設置在第一電極和第二電極之間，該半導體結構包括一第一端及與第一端相對的第二端以及第一端和第二端之間的中間部，所述半導體結構的第一端被第一金屬層和第二金屬層夾持，所述半導體結構的第二端被第三金屬層和第四金屬層夾持，所述半導體結構的中間部從所述臺階狀結構延伸至所述反向臺階狀結構，所述半導體結構為一奈米級半導體結構。
简体摘要：一种肖特基二极管，其包括：一第一电极，该第一电极包括一第一金属层及一第二金属层及一台阶状结构；一第二电极，该第二电极包括一第三金属层及一第四金属层及一反向台阶状结构；一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述半导体结构的第一端被第一金属层和第二金属层夹持，所述半导体结构的第二端被第三金属层和第四金属层夹持，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一奈米级半导体结构。

7. 发明专利

TWI622134B 一種邏輯電路有权
简体标题：一种逻辑电路
公开(公告)号：TWI622134B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105141971
申请日：2016-12-17
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：趙宇丹 , ZHAO, YU-DAN , 霍雨佳 , HUO, YU-JIA , 肖小陽 , XIAO, XIAO-YANG , 王营城 , WANG, YING-CHENG , 張天夫 , ZHANG, TIAN-FU , 金元浩 , JIN, YUAN-HAO , 李群慶 , LI, QUN-QING , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： H01L21/98 , H03K19/00
CPC分类号： H01L51/0558 , H01L21/2855 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/0023 , H01L51/0026 , H01L51/0048 , H01L51/0516 , H01L51/055 , H03K19/094

8. 发明专利

TWI679773B 薄膜電晶體有权
简体标题：薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI679773B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW106106280
申请日：2017-02-24
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：趙宇丹 , ZHAO, YU-DAN , 肖小陽 , XIAO, XIAO-YANG , 王营城 , WANG, YING-CHENG , 金元浩 , JIN, YUAN-HAO , 張天夫 , ZHANG, TIAN-FU , 李群慶 , LI, QUN-QING
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/872 , H01L29/06 , B82Y10/00

9. 发明专利

TW201827330A 薄膜電晶體审中-公开
简体标题：薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201827330A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106106272
申请日：2017-02-24
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：趙宇丹 , ZHAO, YU-DAN , 肖小陽 , XIAO, XIAO-YANG , 王营城 , WANG, YING-CHENG , 金元浩 , JIN, YUAN-HAO , 張天夫 , ZHANG, TIAN-FU , 李群慶 , LI, QUN-QING
IPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/812
摘要：一種薄膜電晶體，其包括：一柵極、一絕緣介質層及至少一肖特基二極體單元。所述肖特基二極體單元，其包括：一絕緣基底及至少一肖特基二極體單元，所述至少一肖特基二極體單元設置在絕緣基底的表面；所述肖特基二極體單元包括一第一電極，一半導體結構及一第二電極；所述第一電極設置在絕緣基底的表面，所述半導體結構包括一第一端及與第一端相對的第二端，所述半導體結構的第一端鋪設在第一電極上使第一電極位於半導體結構的第一端和絕緣基底之間，第二端設置在絕緣基底的表面，所述第二電極設置在半導體結構的第二端並使半導體結構的第二端位於第二電極和絕緣基底之間，所述半導體結構為一奈米碳管結構。
简体摘要：一种薄膜晶体管，其包括：一栅极、一绝缘介质层及至少一肖特基二极管单元。所述肖特基二极管单元，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一奈米碳管结构。

10. 发明专利

TW201822359A 一種薄膜電晶體及其製備方法审中-公开
简体标题：一种薄膜晶体管及其制备方法
公开(公告)号：TW201822359A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105141974
申请日：2016-12-17
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：霍雨佳 , HUO, YU-JIA , 趙宇丹 , ZHAO, YU-DAN , 肖小陽 , XIAO, XIAO-YANG , 王营城 , WANG, YING-CHENG , 張天夫 , ZHANG, TIAN-FU , 金元浩 , JIN, YUAN-HAO , 李群慶 , LI, QUN-QING , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/306
摘要：一種薄膜電晶體及其製備方法。該薄膜電晶體包括；一基底；一半導體層，所述半導體層設置於所述基底的一表面，且所述半導體層包括複數個奈米半導體材料；一源極和一漏極，所述源極和漏極間隔設置且分別與所述半導體層電連接；一電介質層，所述電介質層設置於所述半導體層遠離所述基底的表面；所述電介質層包括層疊設置的第一子電介質層和第二子電介質層；一柵極，所述柵極設置於所述電介質層遠離所述基底的表面；其中，所述第一子電介質層為反常遲滯材料層，且與所述柵極直接接觸；所述第二子電介質層為正常遲滯材料層，且設置於所述第一子電介質層與半導體層之間。本發明的薄膜電晶體的遲滯曲線明顯減小甚至消除。
简体摘要：一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一半导体层，所述半导体层设置于所述基底的一表面，且所述半导体层包括复数个奈米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置且分别与所述半导体层电连接；一电介质层，所述电介质层设置于所述半导体层远离所述基底的表面；所述电介质层包括层叠设置的第一子电介质层和第二子电介质层；一栅极，所述栅极设置于所述电介质层远离所述基底的表面；其中，所述第一子电介质层为反常迟滞材料层，且与所述栅极直接接触；所述第二子电介质层为正常迟滞材料层，且设置于所述第一子电介质层与半导体层之间。本发明的薄膜晶体管的迟滞曲线明显减小甚至消除。

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