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1. 发明专利

TW201633406A 用於金屬氧化物薄膜電晶體之雷射退火技術审中-公开
简体标题：用于金属氧化物薄膜晶体管之激光退火技术
公开(公告)号：TW201633406A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104131501
申请日：2015-09-23
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：洪約翰元丘 , HONG, JOHN HYUNCHUL , 馮子青 , FUNG, TZE CHING , 金天弘 , KIM, CHEONHONG , 野村研二 , NOMURA, KENJI
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02664 , H01L21/02565 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要：本發明提供用於使一薄膜電晶體(TFT)中之一氧化物半導體退火之方法及裝置。在一項態樣中，該方法包括提供具有一部分製成TFT結構之一基板，該TFT結構形成於該基板上。該部分製成TFT結構可包括一氧化物半導體層及在該氧化物半導體層上的一介電質氧化物層。藉由在周圍條件下使用一紅外線雷射加熱該介電質氧化物層至低於該氧化物半導體層之熔化溫度的一溫度來使該氧化物半導體層退火。該紅外線雷射輻射可實質上由該介電質氧化物層吸收且可在與該介電質氧化物層接觸的一界面處將非所要缺陷自該氧化物半導體層移除。
简体摘要：本发明提供用于使一薄膜晶体管(TFT)中之一氧化物半导体退火之方法及设备。在一项态样中，该方法包括提供具有一部分制成TFT结构之一基板，该TFT结构形成于该基板上。该部分制成TFT结构可包括一氧化物半导体层及在该氧化物半导体层上的一介电质氧化物层。借由在周围条件下使用一红外线激光加热该介电质氧化物层至低于该氧化物半导体层之熔化温度的一温度来使该氧化物半导体层退火。该红外线激光辐射可实质上由该介电质氧化物层吸收且可在与该介电质氧化物层接触的一界面处将非所要缺陷自该氧化物半导体层移除。

2. 发明专利

TW201547007A 具有高密度儲存電容之電晶體之製造审中-公开
简体标题：具有高密度存储电容之晶体管之制造
公开(公告)号：TW201547007A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104116133
申请日：2015-05-20
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：金天弘 , KIM, CHEONHONG , 馮子青 , FUNG, TZE CHING , 徐在亨 , SEO, JAE HYEONG , 張泰里斯洋 , CHANG, TALLIS YOUNG
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L29/786 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/13 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L28/40 , H01L29/6675
摘要：本發明提供用於在一基板上製造TFT及儲存電容的設備及方法。在一個態樣中，一設備包括一TFT及一儲存電容，其中該TFT包括一第一金屬層、一第二金屬層及一半導體層，其中該半導體層受一第一蝕刻終止層及一第二蝕刻終止層保護。該儲存電容包括作為一在該第一金屬層與該第二金屬層之間的介電質的該第二蝕刻終止層。在另一態樣中，一設備包括一TFT及一儲存電容，其中該TFT包括一第一金屬層、一介電層及一半導體層，其中該半導體層受一蝕刻終止層保護。該儲存電容包括作為一在該第一金屬層與該半導體層之間的介電質的該介電層。
简体摘要：本发明提供用于在一基板上制造TFT及存储电容的设备及方法。在一个态样中，一设备包括一TFT及一存储电容，其中该TFT包括一第一金属层、一第二金属层及一半导体层，其中该半导体层受一第一蚀刻终止层及一第二蚀刻终止层保护。该存储电容包括作为一在该第一金属层与该第二金属层之间的介电质的该第二蚀刻终止层。在另一态样中，一设备包括一TFT及一存储电容，其中该TFT包括一第一金属层、一介电层及一半导体层，其中该半导体层受一蚀刻终止层保护。该存储电容包括作为一在该第一金属层与该半导体层之间的介电质的该介电层。

3. 发明专利

TW201438242A 藉由原子層沈積之用於薄膜電晶體之金屬氧化物層組合物控制审中-公开
简体标题：借由原子层沉积之用于薄膜晶体管之金属氧化物层组合物控制
公开(公告)号：TW201438242A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103102799
申请日：2014-01-24
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：洪約翰元丘 , HONG, JOHN HYUNCHUL , 楊鴻森 , RYANG, HONG-SON , 金天弘 , KIM, CHEONHONG , 馮子青 , FUNG, TZE CHING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/78693 , G09G3/20 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/823807 , H01L29/1054 , H01L29/6675 , H01L29/78696
摘要：本發明提供用於一基板上之一薄膜電晶體(TFT)器件之系統、方法及裝置。在一項態樣中，該TFT器件包含一閘極電極、一個氧化物半導體層，以及在該閘極電極與該氧化物半導體層之間的一閘極絕緣體。該氧化物半導體層包含至少兩種金屬氧化物，其中該兩種金屬氧化物在該氧化物半導體層之一下表面與一上表面之間相對於彼此具有一變化濃度。該TFT器件亦包含毗鄰於該氧化物半導體層之一部分之一源極金屬及毗鄰於該氧化物半導體層之另一部分之一汲極金屬。該氧化物半導體層之成分可藉由使用原子層沈積(ALD)之一順序沈積技術而精確控制。
简体摘要：本发明提供用于一基板上之一薄膜晶体管(TFT)器件之系统、方法及设备。在一项态样中，该TFT器件包含一闸极电极、一个氧化物半导体层，以及在该闸极电极与该氧化物半导体层之间的一闸极绝缘体。该氧化物半导体层包含至少两种金属氧化物，其中该两种金属氧化物在该氧化物半导体层之一下表面与一上表面之间相对于彼此具有一变化浓度。该TFT器件亦包含毗邻于该氧化物半导体层之一部分之一源极金属及毗邻于该氧化物半导体层之另一部分之一汲极金属。该氧化物半导体层之成分可借由使用原子层沉积(ALD)之一顺序沉积技术而精确控制。

4. 发明专利

TWI535020B 藉由原子層沈積之用於薄膜電晶體之金屬氧化物層組合物控制有权
简体标题：借由原子层沉积之用于薄膜晶体管之金属氧化物层组合物控制
公开(公告)号：TWI535020B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103102799
申请日：2014-01-24
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：洪約翰元丘 , HONG, JOHN HYUNCHUL , 楊鴻森 , RYANG, HONG-SON , 金天弘 , KIM, CHEONHONG , 馮子青 , FUNG, TZE CHING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/78693 , G09G3/20 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/823807 , H01L29/1054 , H01L29/6675 , H01L29/78696

5. 发明专利

TWI590458B 多閘極薄膜電晶體有权
简体标题：多闸极薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI590458B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102125604
申请日：2013-07-17
申请人：高通微機電系統技術公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：洪約翰亨哲 , HONG, JOHN HYUNCHUL , 金天弘 , KIM, CHEONHONG , 馮子青 , FUNG, TZE CHING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/78645 , H01L29/78648

6. 发明专利

TW201413962A 多閘極薄膜電晶體审中-公开
简体标题：多闸极薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201413962A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102125604
申请日：2013-07-17
申请人：高通微機電系統技術公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：洪約翰亨哲 , HONG, JOHN HYUNCHUL , 金天弘 , KIM, CHEONHONG , 馮子青 , FUNG, TZE CHING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/78645 , H01L29/78648
摘要：本案提供對多閘極電晶體、結構、裝置、裝置、系統和相關的程式的實現。在一態樣，裝置包括安排在基底上方的薄膜半導體層。汲極和源極被耦合到半導體層。該裝置亦包括全部皆被安排為與半導體層相鄰並被配置為分別接收第一控制信號、第二控制信號和第三控制信號的第一閘極、第二閘極和第三閘極。介電層使各閘極與半導體層絕緣，並使其彼此絕緣。在第一模式中，第一閘極、第二閘極和第三閘極被配置為使得電荷被儲存在處於半導體層的與第二閘極相鄰的區域內的勢阱中。在第二模式中，第一閘極電極、第二閘極電極和第三閘極電極被配置為使得所儲存的電荷被傳輸通過半導體層的與第三閘極電極相鄰的區域並通過源極而到負載。
简体摘要：本案提供对多闸极晶体管、结构、设备、设备、系统和相关的进程的实现。在一态样，设备包括安排在基底上方的薄膜半导体层。汲极和源极被耦合到半导体层。该设备亦包括全部皆被安排为与半导体层相邻并被配置为分别接收第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号的第一闸极、第二闸极和第三闸极。介电层使各闸极与半导体层绝缘，并使其彼此绝缘。在第一模式中，第一闸极、第二闸极和第三闸极被配置为使得电荷被存储在处于半导体层的与第二闸极相邻的区域内的势阱中。在第二模式中，第一闸极电极、第二闸极电极和第三闸极电极被配置为使得所存储的电荷被传输通过半导体层的与第三闸极电极相邻的区域并通过源极而到负载。

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