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1. 发明专利

TW201330495A 橫截面擴張模式共振器审中-公开
简体标题：横截面扩张模式共振器
公开(公告)号：TW201330495A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101136070
申请日：2012-09-28
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC
发明人：左成杰 , ZUO, CHENGJIE , 運長漢 , YUN, CHANGHAN , 羅智昇 , LO, CHI SHUN , 艾倫衛斯里納桑尼爾 , ALLEN, WESLEY NATHANIEL , 費立茲馬立歐法蘭西斯可 , VELEZ, MARIO FRANCISCO , 金龍海 , KIM, JONGHAE
IPC分类号： H03H9/15
CPC分类号： H03H9/462 , H03H9/02228 , H03H9/2405 , H03H9/2426 , H03H2009/02503 , H03H2009/241
摘要：本發明揭示機電系統擴張模式共振器(DMR)結構。該DMR包含：一第一電極層；一第二電極層；及一壓電層，其由一壓電材料形成。該壓電層具有包含以下各項之尺寸：在一X軸與垂直於該X軸之一Y軸之一平面中之一橫向距離(D)以及沿垂直於該X軸及該Y軸之一Z軸之一厚度(T)。該厚度與該橫向距離之一數值比T/D經組態以回應於提供至該等電極中之一或多者之一信號而提供其中沿該Z軸及沿該X軸與該Y軸之該平面位移的該壓電層之一振動模式。階梯濾波器電路可構造有DMR作為串聯及/或分路元件，且該等共振器可具有螺旋組態。
简体摘要：本发明揭示机电系统扩张模式共振器(DMR)结构。该DMR包含：一第一电极层；一第二电极层；及一压电层，其由一压电材料形成。该压电层具有包含以下各项之尺寸：在一X轴与垂直于该X轴之一Y轴之一平面中之一横向距离(D)以及沿垂直于该X轴及该Y轴之一Z轴之一厚度(T)。该厚度与该横向距离之一数值比T/D经组态以回应于提供至该等电极中之一或多者之一信号而提供其中沿该Z轴及沿该X轴与该Y轴之该平面位移的该压电层之一振动模式。阶梯滤波器电路可构造有DMR作为串联及/或分路组件，且该等共振器可具有螺旋组态。

2. 发明专利

TW201338407A 在一共用基板上之組合共振器及被動電路組件审中-公开
简体标题：在一共享基板上之组合共振器及被动电路组件
公开(公告)号：TW201338407A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101141047
申请日：2012-11-05
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：左成杰 , ZUO, CHENGJIE , 羅齊順 , LO, CHI SHUN , 朱相勳 , JOO, SANGHOON , 運長漢 , YUN, CHANGHAN , 金龍海 , KIM, JONGHAE
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/22 , H01L41/22
CPC分类号： H03H9/02228 , H03H3/02 , H03H2003/021
摘要：本發明提供機電系統之組合共振器及被動電路組件結構、器件、裝置、系統及相關程序之實施方案。在一態樣中，該器件包含形成於一絕緣基板上之一壓電共振器結構。該壓電共振器結構之一部分與該基板隔開達一第一間隙。一被動電路組件結構(諸如一電感器或一電容器)係形成於該絕緣基板上。該被動電路組件結構之一部分與該基板隔開達一第二間隙。藉由移除一犧牲(SAC)層而界定該第一間隙及該第二間隙。
简体摘要：本发明提供机电系统之组合共振器及被动电路组件结构、器件、设备、系统及相关进程之实施方案。在一态样中，该器件包含形成于一绝缘基板上之一压电共振器结构。该压电共振器结构之一部分与该基板隔开达一第一间隙。一被动电路组件结构(诸如一电感器或一电容器)系形成于该绝缘基板上。该被动电路组件结构之一部分与该基板隔开达一第二间隙。借由移除一牺牲(SAC)层而界定该第一间隙及该第二间隙。

3. 发明专利

TW201308892A 具有聲學耦合之子共振器之壓電式橫向振動共振器架構审中-公开
简体标题：具有声学耦合之子共振器之压电式横向振动共振器架构
公开(公告)号：TW201308892A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101125929
申请日：2012-07-18
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：左成杰 , ZUO, CHENGJIE , 羅齊順 , LO, CHI SHUN , 運長漢 , YUN, CHANGHAN , 金龍海 , KIM, JONGHAE
IPC分类号： H03H9/24
CPC分类号： H03H9/173 , H03H9/02228
摘要：本發明提供機電系統共振器架構、裝置、設備、系統及相關製程之實施方案。一共振器架構通常包含具有一輸入電極、一輸出電極及一接地電極之一第一導電層。該接地電極安置於該輸入電極與該輸出電極之間。在某些實施方案中，第二導電層包含一輸入電極、一輸出電極及一接地電極。在某些其他實施方案中，一第二導電層包含一對接地電極及呈安置於該等接地電極之間的一輸入或輸出電極之形式之一信號電極。一壓電層安置於該第一導電層與該第二導電層之間。可在該架構之不同區中界定子共振器，以使得該壓電層能夠移動以產生具有在一第一共振頻率及一第二共振頻率之頻率之一輸出信號。
简体摘要：本发明提供机电系统共振器架构、设备、设备、系统及相关制程之实施方案。一共振器架构通常包含具有一输入电极、一输出电极及一接地电极之一第一导电层。该接地电极安置于该输入电极与该输出电极之间。在某些实施方案中，第二导电层包含一输入电极、一输出电极及一接地电极。在某些其他实施方案中，一第二导电层包含一对接地电极及呈安置于该等接地电极之间的一输入或输出电极之形式之一信号电极。一压电层安置于该第一导电层与该第二导电层之间。可在该架构之不同区中界定子共振器，以使得该压电层能够移动以产生具有在一第一共振频率及一第二共振频率之频率之一输出信号。

4. 发明专利

TW201334280A 用於將濾波器通帶扁平化之組合共振器及被動電路組件审中-公开
简体标题：用于将滤波器通带扁平化之组合共振器及被动电路组件
公开(公告)号：TW201334280A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101141200
申请日：2012-11-06
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：左成杰 , ZUO, CHENGJIE , 羅齊順 , LO, CHI SHUN , 朱相勳 , JOO, SANGHOON , 運長漢 , YUN, CHANGHAN , 金龍海 , KIM, JONGHAE
IPC分类号： H01P1/203
CPC分类号： H03H9/542 , H03H9/02228 , H03H9/564
摘要：本發明提供機電系統之組合共振器及被動電路組件結構、器件、裝置、系統及相關程序之實施方案。在一態樣中，通帶扁平化濾波器裝置包含一共振器結構、一輸入通帶扁平化組件及一輸出通帶扁平化組件。該共振器結構具有一第一輸入端、耦合至一接地端子之一第二輸入端、一第一輸出端及耦合至該接地端子之一第二輸出端。該輸入通帶扁平化組件包含：一第一電感器，其具有一輸入端及耦合至該共振器結構之該第一輸入端之一輸出端；及一第二電感器，其具有耦合至該共振器結構之該第一輸入端之一輸入端及耦合至該接地端子之一輸出端。該輸出通帶扁平化組件包含：一第一電感器，其具有耦合至該共振器結構之該第一輸出端之一輸入端及一輸出端；及一第二電感器，其具有耦合至該共振器結構之該第一輸出端之一輸入端及耦合至該接地端子之一輸出端。
简体摘要：本发明提供机电系统之组合共振器及被动电路组件结构、器件、设备、系统及相关进程之实施方案。在一态样中，通带扁平化滤波器设备包含一共振器结构、一输入通带扁平化组件及一输出通带扁平化组件。该共振器结构具有一第一输入端、耦合至一接地端子之一第二输入端、一第一输出端及耦合至该接地端子之一第二输出端。该输入通带扁平化组件包含：一第一电感器，其具有一输入端及耦合至该共振器结构之该第一输入端之一输出端；及一第二电感器，其具有耦合至该共振器结构之该第一输入端之一输入端及耦合至该接地端子之一输出端。该输出通带扁平化组件包含：一第一电感器，其具有耦合至该共振器结构之该第一输出端之一输入端及一输出端；及一第二电感器，其具有耦合至该共振器结构之该第一输出端之一输入端及耦合至该接地端子之一输出端。

5. 发明专利

TW201320593A 橫截面擴張模式共振器及基於共振器之階梯濾波器审中-公开
简体标题：横截面扩张模式共振器及基于共振器之阶梯滤波器
公开(公告)号：TW201320593A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101136097
申请日：2012-09-28
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：左成杰 , ZUO, CHENGJIE , 運長漢 , YUN, CHANGHAN , 羅智昇 , LO, CHI SHUN , 艾倫衛斯里納桑尼爾 , ALLEN, WESLEY NATHANIEL , 費立茲馬立歐法蘭西斯可 , VELEZ, MARIO FRANCISCO , 金龍海 , KIM, JONGHAE , 周山虎 , JOO, SANGHOON
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/64
CPC分类号： H03H9/462 , H03H9/02228 , H03H9/2405 , H03H9/2426 , H03H2009/02503 , H03H2009/241
摘要：本發明揭示機電系統擴張模式共振器(DMR)結構。該DMR包含：一第一電極層；一第二電極層；及一壓電層，其由一壓電材料形成。該壓電層具有包含以下各項之尺寸：在一X軸與垂直於該X軸之一Y軸之一平面中之一橫向距離(D)以及沿垂直於該X軸及該Y軸之一Z軸之一厚度(T)。該厚度與該橫向距離之一數值比T/D經組態以回應於提供至該等電極中之一或多者之一信號而提供其中沿該Z軸及沿該X軸與該Y軸之該平面位移的該壓電層之一振動模式。階梯濾波器電路可構造有DMR作為串聯及/或分路元件，且該等共振器可具有螺旋組態。
简体摘要：本发明揭示机电系统扩张模式共振器(DMR)结构。该DMR包含：一第一电极层；一第二电极层；及一压电层，其由一压电材料形成。该压电层具有包含以下各项之尺寸：在一X轴与垂直于该X轴之一Y轴之一平面中之一横向距离(D)以及沿垂直于该X轴及该Y轴之一Z轴之一厚度(T)。该厚度与该横向距离之一数值比T/D经组态以回应于提供至该等电极中之一或多者之一信号而提供其中沿该Z轴及沿该X轴与该Y轴之该平面位移的该压电层之一振动模式。阶梯滤波器电路可构造有DMR作为串联及/或分路组件，且该等共振器可具有螺旋组态。

6. 发明专利

TW201316682A 用於雜散頻率抑制之壓電式橫向振動共振器架構幾何审中-公开
简体标题：用于杂散频率抑制之压电式横向振动共振器架构几何
公开(公告)号：TW201316682A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101125900
申请日：2012-07-18
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：左成杰 , ZUO, CHENGJIE , 運長漢 , YUN, CHANGHAN , 羅齊順 , LO, CHI SHUN , 金龍海 , KIM, JONGHAE
IPC分类号： H03H9/15 , H01L41/22
CPC分类号： H03H9/02228 , H03H3/02 , H03H9/02055 , H03H9/173 , H03H2003/021 , Y10T29/42
摘要：本發明提供機電系統共振器架構、裝置、設備、系統及相關製程之實施方案。在一項態樣中，一共振器架構包含一第一導電電極層及一第二導電電極層。包含一壓電材料之一壓電層安置於該第一導電層與該第二導電層之間。一或多個溝渠可形成於一個或兩個側上之該壓電層中該等電極之間的空間區中。在某些實施方案中，一種用於形成該共振器架構之製程包含：例如藉由使用一XeF2氣體或SF6電漿進行部分蝕刻或執行一各向同性釋放蝕刻來移除該壓電層之一經曝露部分以界定一溝渠。在某些其他實施方案中，移除一犧牲層之一部分以在該壓電層中界定一溝渠。
简体摘要：本发明提供机电系统共振器架构、设备、设备、系统及相关制程之实施方案。在一项态样中，一共振器架构包含一第一导电电极层及一第二导电电极层。包含一压电材料之一压电层安置于该第一导电层与该第二导电层之间。一或多个沟渠可形成于一个或两个侧上之该压电层中该等电极之间的空间区中。在某些实施方案中，一种用于形成该共振器架构之制程包含：例如借由使用一XeF2气体或SF6等离子进行部分蚀刻或运行一各向同性释放蚀刻来移除该压电层之一经曝露部分以界定一沟渠。在某些其他实施方案中，移除一牺牲层之一部分以在该压电层中界定一沟渠。

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