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1. 发明专利

TW298631B 低電壓單一電源供應快閃記憶體之程式演算法失效
简体标题：低电压单一电源供应闪存之进程算法
公开(公告)号：TW298631B
公开(公告)日：1997-02-21
申请号：TW084113739
申请日：1995-12-22
申请人：高級微裝置公司
发明人：忠.K.張 , 郭苕華 , 陳中利 , 游擇仁
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G11C16/10
摘要：一種用於快閃記憶體之程式演算法，其中程式編寫電路細分成一組互相分開之可控制組群。此演算法藉由每一個組群偵測將編寫進入單元陣列之邏輯零之個數，並且切換於組群中以便使得在單元陣列中同時編寫之單元個數不會超過某一預定數值，同時可使用最大可獲得編寫電流加強程式編寫速度。
简体摘要：一种用于闪存之进程算法，其中进程编写电路细分成一组互相分开之可控制组群。此算法借由每一个组群侦测将编写进入单元数组之逻辑零之个数，并且切换于组群中以便使得在单元数组中同时编写之单元个数不会超过某一预定数值，同时可使用最大可获得编写电流加强进程编写速度。

2. 发明专利

TW283239B 使用聚積電容器之改良式充電泵失效
简体标题：使用聚积电容器之改良式充电泵
公开(公告)号：TW283239B
公开(公告)日：1996-08-11
申请号：TW084113740
申请日：1995-12-22
申请人：高級微裝置公司
发明人：李.E.克萊佛蘭得 , 忠.K.張 , 勇.K.金
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L27/0222 , G11C5/145 , H01L27/0629 , H01L29/94 , H02M3/073
摘要：一種充電泵電路，利用聚積電容器以使用於EEPROM裝置，以便內部泵激一外部電源電壓，該充電泵包括複數個 MOS電晶體(T101，T102；T201，T202)及聚積電容器(N2，P2)。複數個MOS電晶體在第一輸入電壓端與高電壓輸出端之間串聯。第一輸入電壓端接收外部電源電壓。聚積電容器具有第一板極與第二板極。各聚積電容器之第一板極在複數個MOS電晶體相鄰者之間連接。各聚積電容器之第二板極連接第二輸入端以接收時脈信號，因此可有效操作泵電路以使功率消耗顯著減少。
简体摘要：一种充电泵电路，利用聚积电容器以使用于EEPROM设备，以便内部泵激一外部电源电压，该充电泵包括复数个 MOS晶体管(T101，T102；T201，T202)及聚积电容器(N2，P2)。复数个MOS晶体管在第一输入电压端与高电压输出端之间串联。第一输入电压端接收外部电源电压。聚积电容器具有第一板极与第二板极。各聚积电容器之第一板极在复数个MOS晶体管相邻者之间连接。各聚积电容器之第二板极连接第二输入端以接收时脉信号，因此可有效操作泵电路以使功率消耗显着减少。

3. 发明专利

TW340202B 限制過拭除及防止拭除驗證錯誤之快閃記憶體之過拭除更正失效
简体标题：限制过拭除及防止拭除验证错误之闪存之过拭除更正
公开(公告)号：TW340202B
公开(公告)日：1998-09-11
申请号：TW084113742
申请日：1995-12-22
申请人：高級微裝置公司
发明人：李.E.克萊佛蘭得 , 忠.K.張 , 唐原 , 梁思雷 , 郭苕華 , 麥可.D.弗蕾絲樂
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G11C16/3409 , G11C16/3404 , G11C16/3445
摘要：一種包括快閃EEPROM（電子可拭除式可程式唯讀記憶體）之陣列的積體電路，其中在各拭除脈波之施用後，提供過拭除校正。
简体摘要：一种包括快闪EEPROM（电子可拭除式可进程唯读内存）之数组的集成电路，其中在各拭除脉波之施用后，提供过拭除校正。

4. 发明专利

TW279988B 低供應電壓之負性充電泵失效
简体标题：低供应电压之负性充电泵
公开(公告)号：TW279988B
公开(公告)日：1996-07-01
申请号：TW084113845
申请日：1995-12-26
申请人：高級微裝置公司
发明人：李.E.克萊佛蘭得 , 忠.K.張 , 陳中利
IPC分类号： G11C
摘要：一種低供應電壓力負性充電泵，係用以在快閃抹除期間經由一連串快閃ＥＥＰＲＯＭ（電子可抹除式可程式唯讀記憶體）記憶單元之字線（ｗｏｒｄｌｉｎｅｓ），生成較高負電壓，以控制經選定記憶單元之閘極，其包含有由許多充電泵段（２０１－２０６）耦合電容器構（Ｃ２０１－Ｃ２１２）所構成之用以傳送時鐘信號至該多個充電泵段之充電泵構（２１０）。各充電泵段係由Ｎ－通道本質傳送（ｐａｓｓ）電晶體（Ｎ１－Ｎ６），Ｎ－通道本質初始電晶體（ＭＤ１－ＭＤ６），及Ｎ－通道本質預充電電晶體（ＭＸ３－ＭＸ７，ＭＸ１）所構成，其係設於個別之ｐ型井部中，俾便減少本體效應。因此，該負性充電泵可使用＋３伏特或＋３伏特以下之供應電壓而據以操作。
简体摘要：一种低供应电压力负性充电泵，系用以在快闪抹除期间经由一连串快闪ＥＥＰＲＯＭ（电子可抹除式可进程唯读内存）记忆单元之字线（ｗｏｒｄｌｉｎｅｓ），生成较高负电压，以控制经选定记忆单元之闸极，其包含有由许多充电泵段（２０１－２０６）耦合电容器构（Ｃ２０１－Ｃ２１２）所构成之用以发送时钟信号至该多个充电泵段之充电泵构（２１０）。各充电泵段系由Ｎ－信道本质发送（ｐａｓｓ）晶体管（Ｎ１－Ｎ６），Ｎ－信道本质初始晶体管（ＭＤ１－ＭＤ６），及Ｎ－信道本质预充电晶体管（ＭＸ３－ＭＸ７，ＭＸ１）所构成，其系设于个别之ｐ型井部中，俾便减少本体效应。因此，该负性充电泵可使用＋３伏特或＋３伏特以下之供应电压而据以操作。

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