专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TW564435B 具內建效能增進功能之高容量記憶體模組有权
简体标题：具内置性能增进功能之高容量内存模块
公开(公告)号：TW564435B
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW091113262
申请日：2002-06-18
申请人：高度連接密度公司
发明人：雪倫L 摩麗亞提 , 范智能 , 德克D 布朗 , 李澤豫
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H05K1/0246 , G11C5/04 , G11C5/063 , G11C2207/105 , H05K1/0231 , H05K1/0262 , H05K3/222 , H05K2201/10022
摘要：本發明提供一種使用在高速，阻抗受控制之記憶體匯流排上之記憶體模組，其具有任意個驅動器線終端器、電源供應電路及元件整合至一記憶體控制至次系統直接地附著至該記憶體模組上之組合。該記憶體模組可以被形成在一般印刷電路板上，其具有已封裝或未封裝之記憶體晶片直接地附著在該記憶體模組。該記憶體模組上直接地包括額外的功能以改進該EMC/EMI效能以及信號品質及整體性，藉以增加該記憶體次系統之效能。如此之設計亦可以減少匯流排外部連接之需求，因此允許增加連接之容量以增加模組上記憶體容量之定址空間。其他實施例顯示一模組具有額外的功能但不具有記憶體裝置。
简体摘要：本发明提供一种使用在高速，阻抗受控制之内存总线上之内存模块，其具有任意个驱动器线终端器、电源供应电路及组件集成至一内存控制至次系统直接地附着至该内存模块上之组合。该内存模块可以被形成在一般印刷电路板上，其具有已封装或未封装之内存芯片直接地附着在该内存模块。该内存模块上直接地包括额外的功能以改进该EMC/EMI性能以及信号品质及整体性，借以增加该内存次系统之性能。如此之设计亦可以减少总线外部连接之需求，因此允许增加连接之容量以增加模块上内存容量之寻址空间。其他实施例显示一模块具有额外的功能但不具有内存设备。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式