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1. 发明专利

TWI625725B 對用於寫入操作的電阻隨機存取記憶體(ＲＲＡＭ) 陣列進行配置有权
简体标题：对用于写入操作的电阻随机存取内存(ＲＲＡＭ) 数组进行配置
公开(公告)号：TWI625725B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW102137127
申请日：2013-10-15
申请人：馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：蘇塔亞潘塔司 , SUTARDJA, PANTAS , 吳艾伯特 , WU, ALBERT , 常潤滋 , CHANG, RUNZI , 李溫士頓 , LEE, WINSTON , 李彼得 , LEE, PETER
IPC分类号： G11C13/00

2. 发明专利

TW201435874A 用於修復電阻式記憶體單元的裝置和方法审中-公开
简体标题：用于修复电阻式内存单元的设备和方法
公开(公告)号：TW201435874A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102138479
申请日：2013-10-24
申请人：馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：蘇塔亞潘塔司 , SUTARDJA, PANTAS , 吳艾伯特 , WU, ALBERT , 李溫士頓 , LEE, WINSTON , 李彼得 , LEE, PETER , 常潤滋 , CHANG, RUNZI
IPC分类号： G11C13/00 , G11C29/44
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/16 , G11C13/00 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C29/50008 , G11C2013/0076 , G11C2013/0083
摘要：一種記憶體，包括記憶體單元陣列、第一模組和第二模組。第一模組被配置為將記憶體單元的第一狀態與基準進行比較。記憶體單元處於記憶體單元陣列中。第二模組被配置為在記憶體單元的讀取週期或者寫入週期之後並且基於比較，重新形成記憶體單元以調節記憶體單元的第一狀態與第二狀態之間的差值。
简体摘要：一种内存，包括内存单元数组、第一模块和第二模块。第一模块被配置为将内存单元的第一状态与基准进行比较。内存单元处于内存单元数组中。第二模块被配置为在内存单元的读取周期或者写入周期之后并且基于比较，重新形成内存单元以调节内存单元的第一状态与第二状态之间的差值。

3. 发明专利

TWI620357B 電阻式隨機存取記憶體與用於導電及電阻元件之相對應次解析度特徵之製造的控制方法有权
简体标题：电阻式随机存取内存与用于导电及电阻组件之相对应次分辨率特征之制造的控制方法
公开(公告)号：TWI620357B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW102146176
申请日：2013-12-13
申请人：馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：蘇塔亞潘塔司 , SUTARDJA, PANTAS , 吳艾伯特 , WU, ALBERT , 常潤滋 , CHANG, RUNZI , 李溫士頓 , LEE, WINSTON , 李彼得 , LEE, PETER
IPC分类号： H01L45/00 , H01L49/02
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1675

4. 发明专利

TWI612520B 用於修復電阻式記憶體並且增加感測放大器的總讀取靈敏度的裝置和方法有权
简体标题：用于修复电阻式内存并且增加传感放大器的总读取灵敏度的设备和方法
公开(公告)号：TWI612520B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102137138
申请日：2013-10-15
申请人：馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：蘇塔亞潘塔司 , SUTARDJA, PANTAS , 吳艾伯特 , WU, ALBERT , 常潤滋 , CHANG, RUNZI , 李溫士頓 , LEE, WINSTON , 李彼得 , LEE, PETER
IPC分类号： G11C13/00 , G11C29/02 , G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C7/06 , G11C7/067 , G11C7/1057 , G11C7/106 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C29/026

5. 发明专利

TW201727722A 提高多晶片集成工藝的產量的方法和系統审中-公开
简体标题：提高多芯片组成工艺的产量的方法和系统
公开(公告)号：TW201727722A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105136722
申请日：2016-11-10
申请人：馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：常潤滋 , CHANG, RUNZI , 李溫士頓 , LEE, WINSTON
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/56 , H01L21/67 , H01L25/18 , H01L27/108
CPC分类号： H01L25/18 , H01L21/28185 , H01L21/3221 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L27/10873 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/10253 , H01L2924/1436 , H01L2924/37001
摘要：本公開包括與提高多晶片集成工藝中的產量的方法和系統相關的系統和技術。在一些實施方式中，該方法包括：在室中提供支撐在載體上的第一積體電路晶片和第二積體電路晶片；使模制化合物流動以覆蓋第一積體電路晶片、第二積體電路晶片和載體；以及使形成氣體流動到室中，同時固化模制化合物。
简体摘要：本公开包括与提高多芯片组成工艺中的产量的方法和系统相关的系统和技术。在一些实施方式中，该方法包括：在室中提供支撑在载体上的第一集成电路芯片和第二集成电路芯片；使模制化合物流动以覆盖第一集成电路芯片、第二集成电路芯片和载体；以及使形成气体流动到室中，同时固化模制化合物。

6. 发明专利

TW201432689A 用於修復電阻式記憶體並且增加感測放大器的總讀取靈敏度的裝置和方法审中-公开
简体标题：用于修复电阻式内存并且增加传感放大器的总读取灵敏度的设备和方法
公开(公告)号：TW201432689A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102137138
申请日：2013-10-15
申请人：馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：蘇塔亞潘塔司 , SUTARDJA, PANTAS , 吳艾伯特 , WU, ALBERT , 常潤滋 , CHANG, RUNZI , 李溫士頓 , LEE, WINSTON , 李彼得 , LEE, PETER
IPC分类号： G11C13/00 , G11C29/02 , G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C7/06 , G11C7/067 , G11C7/1057 , G11C7/106 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C29/026
摘要：一種記憶體包括模組和解複用器。模組被配置為監控感測放大器的輸出。感測放大器的輸出中的每個輸出被配置為處於第一狀態或者第二狀態。模組被配置為確定感測放大器的輸出中的兩個或者更多輸出處於相同狀態。相同狀態是第一狀態或者第二狀態。模組被配置為輸出感測放大器的兩個或者更多輸出的狀態。解複用器被配置為向鎖存器提供感測放大器的兩個或者更多輸出的狀態。
简体摘要：一种内存包括模块和解复用器。模块被配置为监控传感放大器的输出。传感放大器的输出中的每个输出被配置为处于第一状态或者第二状态。模块被配置为确定传感放大器的输出中的两个或者更多输出处于相同状态。相同状态是第一状态或者第二状态。模块被配置为输出传感放大器的两个或者更多输出的状态。解复用器被配置为向锁存器提供传感放大器的两个或者更多输出的状态。

7. 发明专利

TW201432678A 用於讀取電阻式隨機存取記憶體（ＲＲＡＭ）單元的系統和方法审中-公开
简体标题：用于读取电阻式随机存取内存（ＲＲＡＭ）单元的系统和方法
公开(公告)号：TW201432678A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102137130
申请日：2013-10-15
申请人：馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：蘇塔亞潘塔司 , SUTARDJA, PANTAS , 吳艾伯特 , WU, ALBERT , 常潤滋 , CHANG, RUNZI , 李溫士頓 , LEE, WINSTON , 李彼得 , LEE, PETER
IPC分类号： G11C11/16 , G11C7/06 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/067 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C13/0002 , G11C13/0061
摘要：一種系統包括：連接到字線和位線的電阻式隨機存取記憶體單元；以及預充電電路，被配置用於將位線預充電成第一電壓而未選擇字線。驅動器電路在將位線充電成第一電壓之後的第一時間選擇字線。比較器比較位線上的第二電壓與向比較器供應的第三電壓並且基於比較來生成輸出。鎖存器鎖存比較器的輸出並且生成鎖存的輸出。脈衝生成器在第一時間之後的延遲之後生成脈衝，以鐘控鎖存器以鎖存比較器的輸出並且生成鎖存的輸出。鎖存的輸出指示電阻式隨機存取記憶體單元的狀態。
简体摘要：一种系统包括：连接到字线和位线的电阻式随机存取内存单元；以及预充电电路，被配置用于将位线预充电成第一电压而未选择字线。驱动器电路在将位线充电成第一电压之后的第一时间选择字线。比较器比较位在线的第二电压与向比较器供应的第三电压并且基于比较来生成输出。锁存器锁存比较器的输出并且生成锁存的输出。脉冲生成器在第一时间之后的延迟之后生成脉冲，以钟控锁存器以锁存比较器的输出并且生成锁存的输出。锁存的输出指示电阻式随机存取内存单元的状态。

8. 发明专利

TW201834209A 製造具有優化的柵極氧化物厚度的記憶體器件审中-公开
简体标题：制造具有优化的栅极氧化物厚度的内存器件
公开(公告)号：TW201834209A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106137222
申请日：2017-10-27
申请人：巴貝多商馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：常潤滋 , CHANG, RUNZI , 李溫士頓 , LEE, WINSTON , 李彼得 , LEE, PETER
IPC分类号： H01L27/112 , G11C17/16 , G11C17/18
摘要：一種用於製造具有優化的柵極氧化物厚度的可程式設計記憶體器件的裝置和方法。在一些方面，使用光刻掩模來製造積體電路(IC)裸片的可程式設計記憶體器件的氧化物柵極，可程式設計記憶體器件的氧化物柵極比被製造用於IC裸片的處理器核心器件的氧化物柵極薄。在其他方面，光刻掩模被用於製造IC裸片的可程式設計記憶體器件的氧化物柵極，使得它們比被製造用於IC裸片的處理器核心器件製造的氧化物柵極更厚。據此，可程式設計記憶體器件可以被製造有優化的柵極氧化物厚度，這可以降低程式設計電壓或者增加可程式設計記憶體器件的器件可靠性。
简体摘要：一种用于制造具有优化的栅极氧化物厚度的可编程内存器件的设备和方法。在一些方面，使用光刻掩模来制造集成电路(IC)裸片的可编程内存器件的氧化物栅极，可编程内存器件的氧化物栅极比被制造用于IC裸片的处理器内核器件的氧化物栅极薄。在其他方面，光刻掩模被用于制造IC裸片的可编程内存器件的氧化物栅极，使得它们比被制造用于IC裸片的处理器内核器件制造的氧化物栅极更厚。据此，可编程内存器件可以被制造有优化的栅极氧化物厚度，这可以降低编程电压或者增加可编程内存器件的器件可靠性。

9. 发明专利

TWI612521B 用於修復電阻式記憶體單元的裝置和方法有权
简体标题：用于修复电阻式内存单元的设备和方法
公开(公告)号：TWI612521B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102138479
申请日：2013-10-24
申请人：馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：蘇塔亞潘塔司 , SUTARDJA, PANTAS , 吳艾伯特 , WU, ALBERT , 李溫士頓 , LEE, WINSTON , 李彼得 , LEE, PETER , 常潤滋 , CHANG, RUNZI
IPC分类号： G11C13/00 , G11C29/44
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/16 , G11C13/00 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C29/50008 , G11C2013/0076 , G11C2013/0083

10. 发明专利

TWI603459B 在電阻式隨機存取記憶體單元中形成接觸以降低單元編程所需電壓的方法和裝置有权
简体标题：在电阻式随机存取内存单元中形成接触以降低单元编程所需电压的方法和设备
公开(公告)号：TWI603459B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW102137135
申请日：2013-10-15
申请人：馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：蘇塔亞潘塔司 , SUTARDJA, PANTAS , 吳艾伯特 , WU, ALBERT , 李溫士頓 , LEE, WINSTON , 李彼得 , LEE, PETER , 常潤滋 , CHANG, RUNZI
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L45/1273 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , Y10T29/49117

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