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1. 发明专利

TWI377634B 具整合式晶載射頻信耦合器之射頻電路 RADIO FREQUENCY CIRCUIT WITH INTEGRATED ON-CHIP RADIO FREQUENCY SIGNAL COUPLER 有权
简体标题：具集成式晶载射频信耦合器之射频电路 RADIO FREQUENCY CIRCUIT WITH INTEGRATED ON-CHIP RADIO FREQUENCY SIGNAL COUPLER
公开(公告)号：TWI377634B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW094142204
申请日：2005-11-30
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：劉連鈞 , 強納森K 艾洛瓦 , 馬可仕R 雷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H01P5/185 , H01L2924/00
摘要：一根據本發明之一實施例組態之射頻("RF")電路(100)係使用整合式被動組件("IPD")處理技術於一基板上製造。該RF電路(100)(其可為(例如)一諧波濾波器)包括至少一RF信號線區段(204)及一緊接該RF信號線區段定位之整合式RF耦合器(304)。該整合式RF耦合器(304)、其輸出(212)及接地接觸焊墊(210)及其匹配網路(208)係使用相同IPD處理技術於相同基板上製造。該整合式RF耦合器提供有效且可再現之RF耦合而不增加該RF電路之晶粒佔據面積。
简体摘要：一根据本发明之一实施例组态之射频("RF")电路(100)系使用集成式被动组件("IPD")处理技术于一基板上制造。该RF电路(100)(其可为(例如)一谐波滤波器)包括至少一RF信号线区段(204)及一紧接该RF信号线区段定位之集成式RF耦合器(304)。该集成式RF耦合器(304)、其输出(212)及接地接触焊垫(210)及其匹配网络(208)系使用相同IPD处理技术于相同基板上制造。该集成式RF耦合器提供有效且可再现之RF耦合而不增加该RF电路之晶粒占据面积。

2. 发明专利

TWI463795B 具有改良式諧波抑制之平衡至不平衡轉換變壓器有权
简体标题：具有改良式谐波抑制之平衡至不平衡转换变压器
公开(公告)号：TWI463795B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW098102270
申请日：2009-01-21
申请人：飛思卡爾半導體公司 , FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：李江 , LI, QIANG , 艾洛瓦強納森K , ABROKWAH, JONATHAN K. , 哈汀歐琳L , HARTIN, OLIN L. , 劉連鈞 , LIU, LIANJUN
IPC分类号： H03H7/42 , H01P1/20
CPC分类号： H01F19/04 , H03H7/1775 , H03H7/42 , H03H2001/0064 , Y10T29/4902

3. 发明专利

TW201128691A 晶圓結構之電耦合 ELECTRICAL COUPLING OF WAFER STRUCTURES 审中-公开
简体标题：晶圆结构之电耦合 ELECTRICAL COUPLING OF WAFER STRUCTURES
公开(公告)号：TW201128691A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099142440
申请日：2010-12-06
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：劉連鈞 , 卡琳莉莎H , 麥納斯艾倫J
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81B7/007 , B81B2207/097 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/94 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06155 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/157 , H01L2924/16152 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/167 , H01L2924/16788 , H01L2224/83
摘要：本發明揭示一種用於電耦合一第一晶圓(105)與一第二晶圓(103)之方法。該方法包含使用一接合材料(121)接合該第一晶圓與該第二晶圓。該方法進一步包含在該第二晶圓之一刻線區(141或143)中，於該第一晶圓中形成一開口(201或203)以曝露該第二晶圓之一導電結構(108或112)之一表面。該方法進一步包含形成上覆該第一晶圓及該第一晶圓中之該開口之一導電層(301)，使得該導電層形成與該第二晶圓之該導電結構(108或112)之一電接觸，藉此電耦合該第一晶圓與該第二晶圓。
简体摘要：本发明揭示一种用于电耦合一第一晶圆(105)与一第二晶圆(103)之方法。该方法包含使用一接合材料(121)接合该第一晶圆与该第二晶圆。该方法进一步包含在该第二晶圆之一刻线区(141或143)中，于该第一晶圆中形成一开口(201或203)以曝露该第二晶圆之一导电结构(108或112)之一表面。该方法进一步包含形成上覆该第一晶圆及该第一晶圆中之该开口之一导电层(301)，使得该导电层形成与该第二晶圆之该导电结构(108或112)之一电接触，借此电耦合该第一晶圆与该第二晶圆。

4. 发明专利

TW200940439A 微機電系統元件及其製造方法 MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS COMPONENT AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
简体标题：微机电系统组件及其制造方法 MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS COMPONENT AND METHOD OF MAKING SAME
公开(公告)号：TW200940439A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW098103730
申请日：2009-02-05
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：米勒梅爾維F , 庫瑞丹尼爾N 二世 , 劉連鈞
IPC分类号： B81C , B81B , H01L
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81C2201/019 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要：一種微機電系統(MEMS)元件(20)包括：一MEMS結構(30)之一部分(32)，其係形成於一半導體基板(34)上；以及該結構(30)之一部分(36)，其係形成於一非半導體基板(22)中。該非半導體基板(22)係與該半導體基板(34)固定連通，其中該MEMS結構(30)之該部分(32)係插入在該等基板(34)與(22)之間。一製造方法(96)必需利用半導體薄膜處理技術來在該半導體基板(34)上形成該部分(32)，及利用一更低成本處理技術來在該非半導體基板(22)中製造該部分(36)。該等部分(32)與(36)係耦合以產生該MEMS結構(30)，並且可針對額外功能性按需要來將該MEMS結構(30)附著於另一基板。
简体摘要：一种微机电系统(MEMS)组件(20)包括：一MEMS结构(30)之一部分(32)，其系形成于一半导体基板(34)上；以及该结构(30)之一部分(36)，其系形成于一非半导体基板(22)中。该非半导体基板(22)系与该半导体基板(34)固定连通，其中该MEMS结构(30)之该部分(32)系插入在该等基板(34)与(22)之间。一制造方法(96)必需利用半导体薄膜处理技术来在该半导体基板(34)上形成该部分(32)，及利用一更低成本处理技术来在该非半导体基板(22)中制造该部分(36)。该等部分(32)与(36)系耦合以产生该MEMS结构(30)，并且可针对额外功能性按需要来将该MEMS结构(30)附着于另一基板。

5. 发明专利

TWI555069B 晶圓結構之電耦合有权
简体标题：晶圆结构之电耦合
公开(公告)号：TWI555069B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW099142440
申请日：2010-12-06
申请人：飛思卡爾半導體公司 , FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：劉連鈞 , LIU, LIANJUN , 卡琳莉莎H , KARLIN, LISA H. , 麥納斯艾倫J , MAGNUS, ALAN J.
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： B81B7/007 , B81B2207/097 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/94 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06155 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/157 , H01L2924/16152 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/167 , H01L2924/16788 , H01L2224/83

6. 发明专利

TWI404087B 平衡-非平衡信號變壓器及形成方法有权
简体标题：平衡-非平衡信号变压器及形成方法
公开(公告)号：TWI404087B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098118076
申请日：2009-06-01
申请人：飛思卡爾半導體公司 , FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：劉連鈞 , LIU, LIANJUN , 艾洛瓦強納森K , ABROKWAH, JONATHAN K. , 哈汀歐琳L , HARTIN, OLIN L. , 李江 , LI, QIANG
IPC分类号： H01F38/06 , H01F41/14
CPC分类号： H03H7/42 , H01F19/08 , H01F2017/0046 , H03H7/1758 , H03H7/1766 , H03H7/1775

7. 发明专利

TW201119934A 形成機電轉換器裝置之方法 METHOD OF FORMING AN ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE 审中-公开
简体标题：形成机电转换器设备之方法 METHOD OF FORMING AN ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE
公开(公告)号：TW201119934A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099121298
申请日：2010-06-29
申请人：飛思卡爾半導體公司 , 法國原子能與替代能源委員會
发明人：裴諾丘法蘭克 , 劉連鈞 , 帕奇歌瑟吉歐 , 德菲艾曼紐 , 雷派翠斯
IPC分类号： B81C , B81B
CPC分类号： B81C1/00666 , B81B2203/0118 , B81C2201/0167 , B81C2201/0169
摘要：本發明揭示一種形成一機電轉換器裝置(200)之方法,其包含在一固定結構(210)上形成(500)該機電轉換器裝置之一可移動結構(203)及一致動結構,其中該可移動結構(203)經配置以在該機電轉換器裝置(200)之操作中可回應於該致動結構之致動而相對於該固定結構移動。該方法進一步包含:在該可移動結構(203)之至少部分上提供(504)一應力微調層(216);在提供該應力微調層(216)之後,自該固定結構(210)釋放(506)該可移動結構(203)以提供一經釋放機電轉換器裝置(200);及在釋放該可移動結構(203)之後,改變(508)該經釋放機電轉換器裝置之該應力微調層中的應力,使得在該機電轉換器裝置(200)處於一關斷狀態中時使該可移動結構(203)相對於該固定結構(210)偏轉一預定量。
简体摘要：本发明揭示一种形成一机电转换器设备(200)之方法,其包含在一固定结构(210)上形成(500)该机电转换器设备之一可移动结构(203)及一致动结构,其中该可移动结构(203)经配置以在该机电转换器设备(200)之操作中可回应于该致动结构之致动而相对于该固定结构移动。该方法进一步包含:在该可移动结构(203)之至少部分上提供(504)一应力微调层(216);在提供该应力微调层(216)之后,自该固定结构(210)释放(506)该可移动结构(203)以提供一经释放机电转换器设备(200);及在释放该可移动结构(203)之后,改变(508)该经释放机电转换器设备之该应力微调层中的应力,使得在该机电转换器设备(200)处于一关断状态中时使该可移动结构(203)相对于该固定结构(210)偏转一预定量。

8. 发明专利

TW201014170A 具有改良式諧波抑制之平衡至不平衡轉換變壓器 BALUN TRANSFORMER WITH IMPROVED HARMONIC SUPPRESSION 审中-公开
简体标题：具有改良式谐波抑制之平衡至不平衡转换变压器 BALUN TRANSFORMER WITH IMPROVED HARMONIC SUPPRESSION
公开(公告)号：TW201014170A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098102270
申请日：2009-01-21
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：李江 , 艾洛瓦強納森K , 哈汀歐琳L , 劉連鈞
IPC分类号： H03H , H01P
CPC分类号： H01F19/04 , H03H7/1775 , H03H7/42 , H03H2001/0064 , Y10T29/4902
摘要：本發明提供一種電子總成，其包含：一基板(66)；一平衡至不平衡轉換變壓器(42)，其形成在該基板(66)上且包含一第一繞組(50)與一第二繞組(52)，該第一繞組與該第二繞組之每一者具有各自的第一端與第二端；及一反應電路組件(48)，其形成在該基板(66)上且被電耦合到該第二繞組(52)之第一端與第二端之間。該平衡至不平衡轉換變壓器(42)與該反應電路組件(48)共同形成具有一基本頻率之一諧波抑制平衡至不平衡轉換變壓器，且該反應電路組件(48)被調諧使得該諧波抑制平衡至不平衡轉換變壓器在該基本頻率的一選定諧波諧振。
简体摘要：本发明提供一种电子总成，其包含：一基板(66)；一平衡至不平衡转换变压器(42)，其形成在该基板(66)上且包含一第一绕组(50)与一第二绕组(52)，该第一绕组与该第二绕组之每一者具有各自的第一端与第二端；及一反应电路组件(48)，其形成在该基板(66)上且被电耦合到该第二绕组(52)之第一端与第二端之间。该平衡至不平衡转换变压器(42)与该反应电路组件(48)共同形成具有一基本频率之一谐波抑制平衡至不平衡转换变压器，且该反应电路组件(48)被调谐使得该谐波抑制平衡至不平衡转换变压器在该基本频率的一选定谐波谐振。

9. 发明专利

TW201005768A 平衡－非平衡信號變壓器及形成方法 BALUN SIGNAL TRANSFORMER AND METHOD OF FORMING 审中-公开
简体标题：平衡－非平衡信号变压器及形成方法 BALUN SIGNAL TRANSFORMER AND METHOD OF FORMING
公开(公告)号：TW201005768A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098118076
申请日：2009-06-01
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：劉連鈞 , 艾洛瓦強納森K , 哈汀歐琳L , 李江
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H03H7/42 , H01F19/08 , H01F2017/0046 , H03H7/1758 , H03H7/1766 , H03H7/1775
摘要：一種平衡-非平衡(BALUN)信號變壓器(48)包含一非平衡端口(30)；一耦合至該非平衡端口的平衡端口(50)，該平衡端口包含一第一端子(52)及一第二端子(54)；一耦合至該第一端子的第一電容(90)；一耦合至地線及該第一電容的第一電感器(92)；一耦合至該第二端子的第二電容(94)；及一耦合至地線及該第二電容的第二電感器(96)。該變壓器亦可包含一耦合至該非平衡端口之一端子的第三電容(84)，及一耦合至該第三電容及該第三端子的第三電感器(82)。
简体摘要：一种平衡-非平衡(BALUN)信号变压器(48)包含一非平衡端口(30)；一耦合至该非平衡端口的平衡端口(50)，该平衡端口包含一第一端子(52)及一第二端子(54)；一耦合至该第一端子的第一电容(90)；一耦合至地线及该第一电容的第一电感器(92)；一耦合至该第二端子的第二电容(94)；及一耦合至地线及该第二电容的第二电感器(96)。该变压器亦可包含一耦合至该非平衡端口之一端子的第三电容(84)，及一耦合至该第三电容及该第三端子的第三电感器(82)。

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