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1. 发明专利

TW201830406A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201830406A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106142377
申请日：2017-12-04
申请人：韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：任明均 , YIM, MYUNG KYOON , 全浩淵 , JEON, HO YEON , 韓相佑 , HAN, SANG WOO , 申宅均 , SHIN, TAEK KYUN , 李愚星 , LEE, WOO SUNG , 崔承鉉 , CHOI, SEUNG HYUN
IPC分类号： G11C29/08 , G01R31/3181
摘要：本發明提供一種半導體裝置及半導體系統。一種半導體裝置包括：監測電路，所述監測電路從電源管理積體電路（PMIC）接收第一操作電壓及與所述第一操作電壓不同的第二操作電壓並監測系統晶片（SoC）以所述第一操作電壓及所述第二操作電壓中的每一者進行使用的持續時間；處理電路，基於來自所述系統晶片以所述第一操作電壓及所述第二操作電壓中的每一者進行使用的所述持續時間的預定權重資訊來計算正規化值；以及電壓電路，通過將所述正規化值與預定值進行比較來判斷是否增大所述系統晶片的操作電壓。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及半导体系统。一种半导体设备包括：监测电路，所述监测电路从电源管理集成电路（PMIC）接收第一操作电压及与所述第一操作电压不同的第二操作电压并监测系统芯片（SoC）以所述第一操作电压及所述第二操作电压中的每一者进行使用的持续时间；处理电路，基于来自所述系统芯片以所述第一操作电压及所述第二操作电压中的每一者进行使用的所述持续时间的预定权重信息来计算范式值；以及电压电路，通过将所述范式值与预定值进行比较来判断是否增大所述系统芯片的操作电压。

2. 发明专利

TW201824512A 半導體裝置及過電流保護的設備审中-公开
简体标题：半导体设备及过电流保护的设备
公开(公告)号：TW201824512A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106125651
申请日：2017-07-31
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全浩淵 , JEON, HO YEON , 柳華烈 , YU, HWA YEAL , 李承圭 , LEE, SEUNG GYU , 金恩淑 , KIM, EUN SUK
IPC分类号： H01L27/04 , H02H9/00
摘要：一種半導體裝置及系統。半導體裝置包含：電感器，選擇性連接供電電壓且配置成存儲及釋放能量；第一電晶體，連接在供電電壓與電感器之間且配置成將供電電壓提供電感器；第二電晶體，串聯連接第一電晶體、連接在電感器與接地電壓之間且配置成將接地電壓提供電感器；調變器，配置成將調變信號提供控制電路，控制電路配置成藉進行脈寬調變控制第一電晶體及第二電晶體；電流感測器，配置成感測穿過第一電晶體的電流量且基於所感測電流量產生第一輸出信號；及第一過電流保護輸出產生器，配置成基於第一輸出信號及第一參考信號產生第二輸出信號。
简体摘要：一种半导体设备及系统。半导体设备包含：电感器，选择性连接供电电压且配置成存储及释放能量；第一晶体管，连接在供电电压与电感器之间且配置成将供电电压提供电感器；第二晶体管，串联连接第一晶体管、连接在电感器与接地电压之间且配置成将接地电压提供电感器；调制器，配置成将调制信号提供控制电路，控制电路配置成藉进行脉宽调制控制第一晶体管及第二晶体管；电流传感器，配置成传感穿过第一晶体管的电流量且基于所传感电流量产生第一输出信号；及第一过电流保护输出产生器，配置成基于第一输出信号及第一参考信号产生第二输出信号。

3. 发明专利

TW201837652A 半導體裝置及半導體系統审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体系统
公开(公告)号：TW201837652A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106116871
申请日：2017-05-22
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全浩淵 , JEON, HO YEON , 金硪燦 , KIM, AH CHAN , 李宰坤 , LEE, JAE GON
IPC分类号： G06F1/32 , G06F1/04
摘要：本發明提供一種半導體裝置以及半導體系統。半導體裝置包含：第一控制電路，其控制第一子代時脈源從親代時脈源中接收時脈信號；第一通道管理（CM）電路，其響應於從第一智慧財產權（IP）塊接收的第一時脈請求將第一時脈請求傳輸到第一控制電路；第二控制電路，其控制第二子代時脈源從親代時脈源中接收時脈信號；第二CM電路，其回應於從第二IP塊接收的第四時脈請求將第三時脈請求傳輸到第二控制電路；以及功率管理單元，其將功率控制命令傳輸到第一CM電路和第二CM電路以控制第一IP塊和第二IP塊的功率狀態。第一CM電路和第二電路交換信號以維持主從關係。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备以及半导体系统。半导体设备包含：第一控制电路，其控制第一子代时脉源从亲代时脉源中接收时脉信号；第一信道管理（CM）电路，其响应于从第一知识产权（IP）块接收的第一时脉请求将第一时脉请求传输到第一控制电路；第二控制电路，其控制第二子代时脉源从亲代时脉源中接收时脉信号；第二CM电路，其回应于从第二IP块接收的第四时脉请求将第三时脉请求传输到第二控制电路；以及功率管理单元，其将功率控制命令传输到第一CM电路和第二CM电路以控制第一IP块和第二IP块的功率状态。第一CM电路和第二电路交换信号以维持主从关系。

4. 发明专利

TW201826135A 半導體裝置及半導體系統审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体系统
公开(公告)号：TW201826135A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106126163
申请日：2017-08-03
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全浩淵 , JEON, HO YEON , 金硪燦 , KIM, AH CHAN , 李宰坤 , LEE, JAE GON
IPC分类号： G06F13/38
摘要：一種半導體裝置包括：第一智慧財產區塊（IP區塊），包括功能單元及介面單元；第一時脈控制電路，控制第一時脈源；第二時脈控制電路，向第一時脈控制電路傳送第一時脈請求，並控制第二時脈源，所述第二時脈源自所述第一時脈源接收時脈訊號；以及通道管理電路，被配置成因應於自第一智慧財產區塊接收的時脈停止請求而向第二時脈控制電路傳送第二時脈請求；其中功能單元控制第一智慧財產區塊的運作，且介面單元接收自電性連接至所述第一智慧財產區塊的第二智慧財產區塊提供的第一訊號並將所述第一訊號提供至所述功能單元。
简体摘要：一种半导体设备包括：第一智能财产区块（IP区块），包括功能单元及界面单元；第一时脉控制电路，控制第一时脉源；第二时脉控制电路，向第一时脉控制电路发送第一时脉请求，并控制第二时脉源，所述第二时脉源自所述第一时脉源接收时脉信号；以及信道管理电路，被配置成因应于自第一智能财产区块接收的时脉停止请求而向第二时脉控制电路发送第二时脉请求；其中功能单元控制第一智能财产区块的运作，且界面单元接收自电性连接至所述第一智能财产区块的第二智能财产区块提供的第一信号并将所述第一信号提供至所述功能单元。

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