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1. 发明专利

TW201824512A 半導體裝置及過電流保護的設備审中-公开
简体标题：半导体设备及过电流保护的设备
公开(公告)号：TW201824512A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106125651
申请日：2017-07-31
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全浩淵 , JEON, HO YEON , 柳華烈 , YU, HWA YEAL , 李承圭 , LEE, SEUNG GYU , 金恩淑 , KIM, EUN SUK
IPC分类号： H01L27/04 , H02H9/00
摘要：一種半導體裝置及系統。半導體裝置包含：電感器，選擇性連接供電電壓且配置成存儲及釋放能量；第一電晶體，連接在供電電壓與電感器之間且配置成將供電電壓提供電感器；第二電晶體，串聯連接第一電晶體、連接在電感器與接地電壓之間且配置成將接地電壓提供電感器；調變器，配置成將調變信號提供控制電路，控制電路配置成藉進行脈寬調變控制第一電晶體及第二電晶體；電流感測器，配置成感測穿過第一電晶體的電流量且基於所感測電流量產生第一輸出信號；及第一過電流保護輸出產生器，配置成基於第一輸出信號及第一參考信號產生第二輸出信號。
简体摘要：一种半导体设备及系统。半导体设备包含：电感器，选择性连接供电电压且配置成存储及释放能量；第一晶体管，连接在供电电压与电感器之间且配置成将供电电压提供电感器；第二晶体管，串联连接第一晶体管、连接在电感器与接地电压之间且配置成将接地电压提供电感器；调制器，配置成将调制信号提供控制电路，控制电路配置成藉进行脉宽调制控制第一晶体管及第二晶体管；电流传感器，配置成传感穿过第一晶体管的电流量且基于所传感电流量产生第一输出信号；及第一过电流保护输出产生器，配置成基于第一输出信号及第一参考信号产生第二输出信号。

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