专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201911593A 改良式太陽能發電裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：改良式太阳能发电设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201911593A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106125610
申请日：2017-07-28
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING , 陳俋瑾 , CHEN, I CHIN , 陳俋錫 , CHEN, I HSI , 王韡勳 , WANG, WEI SYUN , 王𧁋頥 , WANG, MIN YI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/06
摘要：一種改良式太陽能發電裝置的製造方法，包含一半導體材料製備步驟，及一模組結合步驟。首先執行該半導體材料製備步驟，製備一N型半導體材料模組，及一P型半導體材料模組。接著執行該模組結合步驟，將該N型半導體材料模組及該P型半導體材料模組組合在一起，並於N型半導體材料模組之表面製造複數孔洞結構，每一孔洞結構內填入具有導電與催化效果的填充體，接著再製作一N電極及一P電極，最後在N型半導體材料模組表面覆加聚光材料，如此可以形成改良式太陽能發電裝置。
简体摘要：一种改良式太阳能发电设备的制造方法，包含一半导体材料制备步骤，及一模块结合步骤。首先运行该半导体材料制备步骤，制备一N型半导体材料模块，及一P型半导体材料模块。接着运行该模块结合步骤，将该N型半导体材料模块及该P型半导体材料模块组合在一起，并于N型半导体材料模块之表面制造复数孔洞结构，每一孔洞结构内填入具有导电与催化效果的填充体，接着再制作一N电极及一P电极，最后在N型半导体材料模块表面覆加聚光材料，如此可以形成改良式太阳能发电设备。

2. 发明专利

TW201714319A 太陽能薄膜結構，及製造該太陽能薄膜結構的方法與裝置审中-公开
简体标题：太阳能薄膜结构，及制造该太阳能薄膜结构的方法与设备
公开(公告)号：TW201714319A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104132886
申请日：2015-10-06
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING , 陳俋瑾 , CHEN, I CHIN , 陳俋錫 , CHEN, I HSI
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能薄膜結構，其包含一導電底層、一第一半導體層、一第二半導體層，及一導電頂層。該導電底層由一第一導電材料所組成。該第一半導體層設置於該導電底層上方，並包括一加熱後成熔融狀態之第一透光導電膠、一呈粉末狀態之第一本質材料，及一呈粉末狀態之第一雜質材料。該第二半導體層設置於該第一半導體層上方，並包括一加熱後成熔融狀態之第二透光導電膠、一呈粉末狀態之第二本質材料，及一呈粉末狀態之第二雜質材料。該導電頂層設置於該第二半導體層上方，並由一第二導電材料所組成，該導電頂層具透光特性。
简体摘要：一种太阳能薄膜结构，其包含一导电底层、一第一半导体层、一第二半导体层，及一导电顶层。该导电底层由一第一导电材料所组成。该第一半导体层设置于该导电底层上方，并包括一加热后成熔融状态之第一透光导电胶、一呈粉末状态之第一本质材料，及一呈粉末状态之第一杂质材料。该第二半导体层设置于该第一半导体层上方，并包括一加热后成熔融状态之第二透光导电胶、一呈粉末状态之第二本质材料，及一呈粉末状态之第二杂质材料。该导电顶层设置于该第二半导体层上方，并由一第二导电材料所组成，该导电顶层具透光特性。

3. 发明专利

TW201444929A 具電磁波遮蔽效果之半導體奈米塗料組成物及其用於製成太陽能電池之方法审中-公开
简体标题：具电磁波屏蔽效果之半导体奈米涂料组成物及其用于制成太阳能电池之方法
公开(公告)号：TW201444929A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW102119188
申请日：2013-05-30
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
IPC分类号： C09D5/24 , H05K9/00 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要：一種適用於以液態或氣態方法製造太陽能電池，且可以使太陽能電池兼具較佳發電效果及富有電磁波遮蔽效果之半導體奈米塗料組成物，以及使用該半導體奈米塗料組成物製成太陽能電池之方法。其中，該具電磁波遮蔽效果之半導體奈米塗料組成物，係包含0.01%~49%的奈米化N/P雜質添加劑粉體、50%~99%的奈米化半導體基材、0.01%~30%的導電膠材及0.01%~10%的奈米碳管，且該奈米化半導體基材與該奈米化N/P雜質添加劑粉體的粒徑大小均為10-9~10-7米。藉此，係可利用該具電磁波遮蔽效果之半導體奈米塗料噴灑或塗佈於網印有金屬線的一基板上，以經烘烤定型後製成太陽能電池。
简体摘要：一种适用于以液态或气态方法制造太阳能电池，且可以使太阳能电池兼具较佳发电效果及富有电磁波屏蔽效果之半导体奈米涂料组成物，以及使用该半导体奈米涂料组成物制成太阳能电池之方法。其中，该具电磁波屏蔽效果之半导体奈米涂料组成物，系包含0.01%~49%的奈米化N/P杂质添加剂粉体、50%~99%的奈米化半导体基材、0.01%~30%的导电胶材及0.01%~10%的奈米碳管，且该奈米化半导体基材与该奈米化N/P杂质添加剂粉体的粒径大小均为10-9~10-7米。借此，系可利用该具电磁波屏蔽效果之半导体奈米涂料喷洒或涂布于网印有金属线的一基板上，以经烘烤定型后制成太阳能电池。

4. 发明专利

TW201432933A 半導體材料組成物及其製成太陽能電池之方法审中-公开
简体标题：半导体材料组成物及其制成太阳能电池之方法
公开(公告)号：TW201432933A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102104871
申请日：2013-02-07
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種適用於製成液態或氣態太陽能電池且使太陽能電池具有較佳導電性之半導體材料組成物，以及使用該半導體材料組成物製成太陽能電池之方法。其中，該半導體材料組成物包含：0.01%~49%的奈米化N/P型添加劑、50%~99%的奈米化半導體基材及0.01%~30%的導電膠材，且該奈米化半導體基材的粒徑大小為10-9~10-7米。藉此，係可利用該半導體材料噴灑或塗佈於網印有金屬線的一基板上，以經烘烤定型後成形太陽能電池。
简体摘要：一种适用于制成液态或气态太阳能电池且使太阳能电池具有较佳导电性之半导体材料组成物，以及使用该半导体材料组成物制成太阳能电池之方法。其中，该半导体材料组成物包含：0.01%~49%的奈米化N/P型添加剂、50%~99%的奈米化半导体基材及0.01%~30%的导电胶材，且该奈米化半导体基材的粒径大小为10-9~10-7米。借此，系可利用该半导体材料喷洒或涂布于网印有金属线的一基板上，以经烘烤定型后成形太阳能电池。

5. 发明专利

TW201827306A 密封容器及以該密封容器將一氧化氮與氫氣封存之方法與用途审中-公开
简体标题：密封容器及以该密封容器将一氧化氮与氢气封存之方法与用途
公开(公告)号：TW201827306A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106102999
申请日：2017-01-25
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING , 陳俋瑾 , CHEN, I CHIN , 陳俋錫 , CHEN, I HSI
IPC分类号： B65D23/02 , B65D25/14 , B65D85/72 , B65D81/00
摘要：一種密封容器，圍繞界定出一容置空間，並包含一基底層、一第一阻障層，一第二阻障層，及一第一隔絕層。該基底層與外部相隔絕用以規範容器體積，並具有一內表面及一相反的外表面。該第一阻障層設置於該內表面上，其係以第一種金屬材質所製成。該第二阻障層設置於該第一阻障層上，其係以第二種金屬材質所製成。藉由此密封容器可將穩定態之一氧化氮與氫氣混合氣體與一食物共同封存，以使食物上附著有一氧化氮與氫氣。使用者只要在該密封容器開啟後直接飲用液體食物，或著是食用前述之固體食物，即可攝取到一氧化氮及氫氣，產生保健功效。
简体摘要：一种密封容器，围绕界定出一容置空间，并包含一基底层、一第一阻障层，一第二阻障层，及一第一隔绝层。该基底层与外部相隔绝用以规范容器体积，并具有一内表面及一相反的外表面。该第一阻障层设置于该内表面上，其系以第一种金属材质所制成。该第二阻障层设置于该第一阻障层上，其系以第二种金属材质所制成。借由此密封容器可将稳定态之一氧化氮与氢气混合气体与一食物共同封存，以使食物上附着有一氧化氮与氢气。用户只要在该密封容器打开后直接饮用液体食物，或着是食用前述之固体食物，即可摄取到一氧化氮及氢气，产生保健功效。

6. 发明专利

TW201742263A 太陽能發電裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：太阳能发电设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201742263A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105116006
申请日：2016-05-23
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING , 陳俋瑾 , CHEN, I CHIN , 陳俋錫 , CHEN, I HSI , 葉文冠 , YEN, WEN KUAN , 王韡勳 , WANG, WEI SYUN
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/036 , B82Y10/00
摘要：一種太陽能發電裝置，包含一導電單元，及一發電單元。該導電單元包括一導電底層，及一與該導電底層間隔設置之導電頂層。該發電單元包括複數設置於該導電底層及該導電頂層之間的發電顆粒，及設置於該複數發電顆粒之間的絕緣層，每一發電顆粒為太陽能發電二極體，並具有一與該導電底層電連接之下表面，及一與該導電頂層電連接之上表面，用以將日光轉換成電能。
简体摘要：一种太阳能发电设备，包含一导电单元，及一发电单元。该导电单元包括一导电底层，及一与该导电底层间隔设置之导电顶层。该发电单元包括复数设置于该导电底层及该导电顶层之间的发电颗粒，及设置于该复数发电颗粒之间的绝缘层，每一发电颗粒为太阳能发电二极管，并具有一与该导电底层电连接之下表面，及一与该导电顶层电连接之上表面，用以将日光转换成电能。

7. 发明专利

TW201733145A 可提升太陽能發電效益之結構及其製造方法审中-公开
简体标题：可提升太阳能发电效益之结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201733145A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105106173
申请日：2016-03-01
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING , 陳俋瑾 , CHEN, I CHIN , 陳俋錫 , CHEN, I HSI
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種可提升太陽能發電效益的結構，包含一發電單元，及一導電單元。該發電單元包括一P型半導體層，及一與該P型半導體層連接之N型半導體層，該N型半導體層是由複數N型材料，及一包覆該複數N型材料之導電材料所組成。該導電單元包括一與該P型半導體層連接之導電底層，及一與該N型半導體層連接之導電頂層。
简体摘要：一种可提升太阳能发电效益的结构，包含一发电单元，及一导电单元。该发电单元包括一P型半导体层，及一与该P型半导体层连接之N型半导体层，该N型半导体层是由复数N型材料，及一包覆该复数N型材料之导电材料所组成。该导电单元包括一与该P型半导体层连接之导电底层，及一与该N型半导体层连接之导电顶层。

8. 发明专利

TWI571602B 集水除濕機有权
简体标题：集水除湿机
公开(公告)号：TWI571602B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW104102735
申请日：2015-01-27
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING , 陳俋瑾 , CHEN, I CHIN , 陳俋錫 , CHEN, I HSI
IPC分类号： F24F1/02 , F24F3/14

9. 发明专利

TW201627078A 可尖端釋放負電荷之清潔裝置审中-公开
简体标题：可尖端释放负电荷之清洁设备
公开(公告)号：TW201627078A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104102738
申请日：2015-01-27
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING , 陳俋瑾 , CHEN, I CHIN , 陳俋錫 , CHEN, I HSI
IPC分类号： B08B5/00 , B03C3/017
摘要：一種可尖端釋放負電荷之清潔裝置，係用以提升環境清潔效果，其包含：一本體，該本體之內周壁環繞形成一流道，該本體具有連通該流道之一開口；一高壓流體源，係用以產生一高壓流體，該高壓流體沿該流道朝向該開口流動；及一放電荷件，包含一尖部及一偏壓元件，該尖部設於該本體之內周壁，該偏壓元件電性連接該尖部。
简体摘要：一种可尖端释放负电荷之清洁设备，系用以提升环境清洁效果，其包含：一本体，该本体之内周壁环绕形成一流道，该本体具有连通该流道之一开口；一高压流体源，系用以产生一高压流体，该高压流体沿该流道朝向该开口流动；及一放电荷件，包含一尖部及一偏压组件，该尖部设于该本体之内周壁，该偏压组件电性连接该尖部。

10. 发明专利

TW201607505A 體表電容量測量裝置及其測量方法审中-公开
简体标题：体表电容量测量设备及其测量方法
公开(公告)号：TW201607505A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103129392
申请日：2014-08-26
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING , 陳俋瑾 , CHEN, I CHIN , 陳俋錫 , CHEN, I HSI
IPC分类号： A61B5/00
摘要：一種體表電容量測量裝置及其測量方法，用以提升診斷裝置的實用性，該體表電容量測量裝置係包含：一穿戴件，該穿戴件係供配戴於身體之特定部位，該穿戴件設有第一感測區塊及一第二感測區塊，該第一感測區塊設有數個極板，該第二感測區塊設有數個極板；及一控制器，該控制器包含一供電單元，該供電單元分別電性連接一量測單元及一處理單元，該量測單元係電性連接該第一感測區塊所設有之數個極板，該量測單元另電性連接該第二感測區塊所設有之數個極板，該量測單元用以測量該第一感測區塊或該第二感測區塊所設有之各個極板的電容值，該處理單元耦接於該量測單元，以供接收該量測單元所測量產生之電容值量測結果。
简体摘要：一种体表电容量测量设备及其测量方法，用以提升诊断设备的实用性，该体表电容量测量设备系包含：一穿戴件，该穿戴件系供配戴于身体之特定部位，该穿戴件设有第一传感区块及一第二传感区块，该第一传感区块设有数个极板，该第二传感区块设有数个极板；及一控制器，该控制器包含一供电单元，该供电单元分别电性连接一量测单元及一处理单元，该量测单元系电性连接该第一传感区块所设有之数个极板，该量测单元另电性连接该第二传感区块所设有之数个极板，该量测单元用以测量该第一传感区块或该第二传感区块所设有之各个极板的电容值，该处理单元耦接于该量测单元，以供接收该量测单元所测量产生之电容值量测结果。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式