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1. 发明专利

TW201911593A 改良式太陽能發電裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：改良式太阳能发电设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201911593A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106125610
申请日：2017-07-28
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING , 陳俋瑾 , CHEN, I CHIN , 陳俋錫 , CHEN, I HSI , 王韡勳 , WANG, WEI SYUN , 王𧁋頥 , WANG, MIN YI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/06
摘要：一種改良式太陽能發電裝置的製造方法，包含一半導體材料製備步驟，及一模組結合步驟。首先執行該半導體材料製備步驟，製備一N型半導體材料模組，及一P型半導體材料模組。接著執行該模組結合步驟，將該N型半導體材料模組及該P型半導體材料模組組合在一起，並於N型半導體材料模組之表面製造複數孔洞結構，每一孔洞結構內填入具有導電與催化效果的填充體，接著再製作一N電極及一P電極，最後在N型半導體材料模組表面覆加聚光材料，如此可以形成改良式太陽能發電裝置。
简体摘要：一种改良式太阳能发电设备的制造方法，包含一半导体材料制备步骤，及一模块结合步骤。首先运行该半导体材料制备步骤，制备一N型半导体材料模块，及一P型半导体材料模块。接着运行该模块结合步骤，将该N型半导体材料模块及该P型半导体材料模块组合在一起，并于N型半导体材料模块之表面制造复数孔洞结构，每一孔洞结构内填入具有导电与催化效果的填充体，接着再制作一N电极及一P电极，最后在N型半导体材料模块表面覆加聚光材料，如此可以形成改良式太阳能发电设备。

2. 发明专利

TWI621276B 太陽能電池及其製造方法有权
简体标题：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI621276B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW105139315
申请日：2016-11-29
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES INC.
发明人：劉書巖 , LIU, SHU YEN , 李岳霖 , LEE, YUEH LIN
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/06

3. 发明专利

TWI611028B 濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI611028B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW102128116
申请日：2013-08-06
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：張守斌 , ZHANG, SHOUBIN , 梅本啓太 , UMEMOTO, KEITA
IPC分类号： C22C9/00 , C01G15/00 , C23C14/34 , H01L31/06 , C01D3/02 , C01B17/22 , C01B19/00
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/1007 , B22F2999/00 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/02 , C22C32/0089 , C23C14/14 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , B22F2201/01 , B22F2201/20 , B22F2201/11

4. 发明专利

TW201618317A 包含在高片電阻晶圓上形成的電極的太陽能電池审中-公开
简体标题：包含在高片电阻晶圆上形成的电极的太阳能电池
公开(公告)号：TW201618317A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104127065
申请日：2015-08-20
申请人：三星SDI 股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：朴相熙 , PARK, SANG HEE , 丘顯晉 , KOO, HYUN JIN , 金泰俊 , KIM, TAE JOON , 朴珉秀 , PARK, MIN SU , 鄭名成 , JUNG, MYUNG SUNG , 河賢辰 , HA, HYUN JIN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/06
CPC分类号： H01L31/068 , H01B1/22 , H01L31/022425 , Y02E10/547
摘要：本發明公開一種太陽能電池，包含p-n接面基底以及在其一個表面上形成的電極，其中p-n接面基底的片電阻爲85到150 Ω/sq，且粒徑爲10到1,000奈米的銀晶體存在於電極內，鄰接於p-n接面基底與電極之間的界面。太陽能電池在高片電阻基底上包含電極，其中電極由太陽能電池電極用的組成物形成。組成物包含來自銀化合物的玻璃料，銀化合物在1000℃或低於1000℃的溫度下分解成銀離子，從而增强電極與基底之間的接觸效率，且具有被降到最低的接觸電阻（Rc）和串聯電阻（Rs），由此展現極佳填充因數和轉化效率。
简体摘要：本发明公开一种太阳能电池，包含p-n接面基底以及在其一个表面上形成的电极，其中p-n接面基底的片电阻为85到150 Ω/sq，且粒径为10到1,000奈米的银晶体存在于电极内，邻接于p-n接面基底与电极之间的界面。太阳能电池在高片电阻基底上包含电极，其中电极由太阳能电池电极用的组成物形成。组成物包含来自银化合物的玻璃料，银化合物在1000℃或低于1000℃的温度下分解成银离子，从而增强电极与基底之间的接触效率，且具有被降到最低的接触电阻（Rc）和串联电阻（Rs），由此展现极佳填充因子和转化效率。

5. 发明专利

TW201448250A 熱載子光電轉換裝置及其方法审中-公开
简体标题：热载子光电转换设备及其方法
公开(公告)号：TW201448250A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102119892
申请日：2013-06-05
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：林清富 , LIN, CHING FUH , 陳新鎰 , CHEN, HSIN YI , 趙俊傑 , CHAO, JIUN JIE , 許紘彰 , SYU, HONG JHANG
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： H01L31/06 , H01L51/0039 , H01L51/4213 , Y02E10/549
摘要：一種熱載子光電轉換裝置及其方法，該方法係包括：提供具有P型半導體層、N型半導體層、與無機可導電之吸光層之熱載子光電轉換裝置，其中，該無機可導電之吸光層係位於該P型半導體層與該N型半導體層之間，且該P型半導體層與該N型半導體層之間形成電場。接著，藉由該無機可導電之吸光層吸收光子而產生電子及電洞。最後，藉由該電場或是擴散作用將該電子及該電洞分別移向該N型半導體層與該P型半導體層，使該電子及該電洞各自導出而產生電能。藉此，本發明能增加該光子之吸收數量，並快速導出大量具有高能量之電子與電洞(熱載子)，以提高光電轉換效率，進而產生具有高開路電壓及高電流之電能。
简体摘要：一种热载子光电转换设备及其方法，该方法系包括：提供具有P型半导体层、N型半导体层、与无机可导电之吸光层之热载子光电转换设备，其中，该无机可导电之吸光层系位于该P型半导体层与该N型半导体层之间，且该P型半导体层与该N型半导体层之间形成电场。接着，借由该无机可导电之吸光层吸收光子而产生电子及电洞。最后，借由该电场或是扩散作用将该电子及该电洞分别移向该N型半导体层与该P型半导体层，使该电子及该电洞各自导出而产生电能。借此，本发明能增加该光子之吸收数量，并快速导出大量具有高能量之电子与电洞(热载子)，以提高光电转换效率，进而产生具有高开路电压及高电流之电能。

6. 发明专利

TW201432931A 光電變換元件及太陽能電池审中-公开
简体标题：光电变换组件及太阳能电池
公开(公告)号：TW201432931A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102131983
申请日：2013-09-05
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：芝崎聡一郎 , SHIBASAKI, SOICHIRO , 平賀広貴 , HIRAGA, HIROKI , 中川直之 , NAKAGAWA, NAOYUKI , 山崎六月 , YAMAZAKI, MUTSUKI , 山本和重 , YAMAMOTO, KAZUSHIGE , 桜田新哉 , SAKURADA, SHINYA , 稲葉道彦 , INABA, MICHIHIKO
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/0264 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/068 , Y02E10/541 , Y02E10/547
摘要：本發明之實施方式，其目的係在提供高效率之光電變換元件及太陽能電池。本發明之實施方式的光電變換元件，係具備：同型接合著I-III-VI2族化合物或I2-II-IV-VI4族化合物之p型化合物半導體層及n型化合物半導體層的光電變換層；透明電極；位於光電變換層及透明電極間之n型層上，平均膜厚為1nm以上、10nm以下的中間層；以及位於中間層及透明電極之間的窗口層。
简体摘要：本发明之实施方式，其目的系在提供高效率之光电变换组件及太阳能电池。本发明之实施方式的光电变换组件，系具备：同型接合着I-III-VI2族化合物或I2-II-IV-VI4族化合物之p型化合物半导体层及n型化合物半导体层的光电变换层；透明电极；位于光电变换层及透明电极间之n型层上，平均膜厚为1nm以上、10nm以下的中间层；以及位于中间层及透明电极之间的窗口层。

7. 实用新型

TWM453965U 高電壓元件有权
简体标题：高电压组件
公开(公告)号：TWM453965U
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW101213184
申请日：2012-07-09
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：曾培凱 , TSENG, PEI KAI , 唐建夫 , TANG, CHEN FU , 陳曜洲 , CHEN, ISSAC Y.
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50

8. 发明专利

TWI395340B 多接面太陽能電池有权
简体标题：多接面太阳能电池
公开(公告)号：TWI395340B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW098146648
申请日：2009-12-31
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳澤澎 , CHEN, TZER PERNG
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/036
CPC分类号： Y02E10/50

9. 发明专利

TWI666785B 太陽能電池及形成太陽能電池的方法有权
简体标题：太阳能电池及形成太阳能电池的方法
公开(公告)号：TWI666785B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW101109831
申请日：2012-03-22
申请人：美商波音公司 , THE BOEING COMPANY
发明人：金理查R , KING, RICHARD R. , 費策克里斯多福M , FETZER, CHRISTOPHER M. , 克魯特狄米崔D , KRUT, DIMITRI D. , 卡朗納薩H , KARAM, NASSER H.
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/06

10. 发明专利

TW201838198A 可於常溫條件下製作之太陽能發電裝置及其卷對卷生產製造方法审中-公开
简体标题：可于常温条件下制作之太阳能发电设备及其卷对卷生产制造方法
公开(公告)号：TW201838198A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106112663
申请日：2017-04-14
申请人：陳柏頴 , CHEN, PO YING
发明人：陳柏頴 , CHEN, PO YING , 陳俋瑾 , CHEN, I CHIN , 陳俋錫 , CHEN, I HSI , 王韡勳 , WANG, WEI SYUN
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/06 , H01L31/042
摘要：一種可於常溫條件下製作之太陽能發電裝置，包含一第一導電層、一第一半導體層、一第二半導體層，及一第二導電層。該第一半導體層中具有一第一基材，及一第一型粉末。該第二半導體層中具有一第二基材、一催化劑粉末，及一第二型粉末。該催化劑粉末選自於共軛體系之分子、過渡元素、富勒烯，其中之一或其組合，可提升該太陽能發電裝置之發電效率。
简体摘要：一种可于常温条件下制作之太阳能发电设备，包含一第一导电层、一第一半导体层、一第二半导体层，及一第二导电层。该第一半导体层中具有一第一基材，及一第一型粉末。该第二半导体层中具有一第二基材、一催化剂粉末，及一第二型粉末。该催化剂粉末选自于共轭体系之分子、过渡元素、富勒烯，其中之一或其组合，可提升该太阳能发电设备之发电效率。

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