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1. 发明专利

TW455631B 體磁芯及堆積磁芯有权
简体标题：体磁芯及堆积磁芯
公开(公告)号：TW455631B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW087113275
申请日：1998-08-12
申请人：阿爾普士電氣股份有限公司 , 井上明久
发明人：小柴壽人 , 牧野彰宏 , 井上明久
IPC分类号： C22C
CPC分类号： H01F41/0246 , H01F1/15308 , H01F1/1535 , H01F3/04 , H01F41/0226
摘要：本發明係一種體磁芯及堆積磁芯，其中在△Tx= Tx-Tg(但Tx係為表示開始結晶化溫度,而Tg係為表示玻璃轉變溫度)之公式所表示之過冷卻液體的溫度間隔△Tx為20℃以上，然後備有將Fe、Co、Ni之中的l種或2種以上元素與包含B之軟磁性金屬玻璃合金之粉末燒結而成之磁芯主體，或將上述軟磁性金屬玻璃合金之熔漿倒入規定之鑄模中，然後冷卻固化而成之磁芯主體之體磁芯，及備有將軟磁性金屬玻璃合金薄帶卷成環狀而成之磁芯主體，或堆積上述薄帶而成之磁芯主體之堆積磁芯。
简体摘要：本发明系一种体磁芯及堆积磁芯，其中在△Tx= Tx-Tg(但Tx系为表示开始结晶化温度,而Tg系为表示玻璃转变温度)之公式所表示之过冷却液体的温度间隔△Tx为20℃以上，然后备有将Fe、Co、Ni之中的l种或2种以上元素与包含B之软磁性金属玻璃合金之粉末烧结而成之磁芯主体，或将上述软磁性金属玻璃合金之熔浆倒入规定之铸模中，然后冷却固化而成之磁芯主体之体磁芯，及备有将软磁性金属玻璃合金薄带卷成环状而成之磁芯主体，或堆积上述薄带而成之磁芯主体之堆积磁芯。

2. 发明专利

TW422887B 由Fe基高硬度金屬玻璃合金所構成之燒結體及鑄造物失效
简体标题：由Fe基高硬度金属玻璃合金所构成之烧结体及铸造物
公开(公告)号：TW422887B
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：TW087114081
申请日：1998-08-26
申请人：阿爾普士電氣股份有限公司 , 井上明久
发明人：水嵨隆夫 , 牧野彰宏 , 井上明久
IPC分类号： C22C
CPC分类号： A63B53/04 , A63B53/0466 , A63B53/047 , A63B53/0487 , A63B53/10 , A63B53/12 , A63B60/00 , A63B60/48 , A63B2053/0416 , A63B2209/00 , B22F2998/00 , C22C33/0257 , C22C45/02 , B22F9/002
摘要：本發明係提供含有至少Fe與至少一種之準金屬元素，以△Tx=Tx-Tg(惟，Tx表示結晶化開始溫度,Tg表示玻璃轉移溫度)之式表示的過冷卻液體之溫度間隔△Tx在20℃以上的高硬度金屬玻璃合金之燒結體及鑄造物，可容易製得複雜的凸凹形狀者。
简体摘要：本发明系提供含有至少Fe与至少一种之准金属元素，以△Tx=Tx-Tg(惟，Tx表示结晶化开始温度,Tg表示玻璃转移温度)之式表示的过冷却液体之温度间隔△Tx在20℃以上的高硬度金属玻璃合金之烧结体及铸造物，可容易制得复杂的凸凹形状者。

3. 发明专利

TW415968B 磁性阻抗效應元件及使用該元件之磁頭、電子羅盤及自動消除器失效
简体标题：磁性阻抗效应组件及使用该组件之磁头、电子罗盘及自动消除器
公开(公告)号：TW415968B
公开(公告)日：2000-12-21
申请号：TW087108091
申请日：1998-05-25
申请人：阿爾普士電氣股份有限公司 , 井上明久
发明人：水嵨隆夫 , 牧野彰宏 , 須藤能啓 , 川新一 , 井上明久
IPC分类号： C22C
CPC分类号： G11B5/332 , C22C45/008 , G01C17/28 , G01R33/02 , G11B5/012 , G11B5/127 , G11B5/3103 , G11B5/33 , G11B5/3903 , G11B5/3967
摘要：以Ｆｅ作為主成分，並以△Ｔｘ=Ｔｘ一Ｔｇ（式中，Ｔｘ係結晶化開始溫度，Ｔｇ係表示玻璃轉變溫度)之式所表示的過冷卻液體領域的溫度寬度△Ｔｘ，為３５℃以上之Ｆｅ基金屬玻璃合金所構成，當施加交流電流時，阻抗依存於外部磁場變化的磁性阻抗效應元件及使用該元件之磁頭，電子羅盤及自動消除器。
简体摘要：以Ｆｅ作为主成分，并以△Ｔｘ=Ｔｘ一Ｔｇ（式中，Ｔｘ系结晶化开始温度，Ｔｇ系表示玻璃转变温度)之式所表示的过冷却液体领域的温度宽度△Ｔｘ，为３５℃以上之Ｆｅ基金属玻璃合金所构成，当施加交流电流时，阻抗依存于外部磁场变化的磁性阻抗效应组件及使用该组件之磁头，电子罗盘及自动消除器。

4. 发明专利

TW388039B 使用Fe基金屬玻璃合金之磁心失效
简体标题：使用Fe基金属玻璃合金之磁心
公开(公告)号：TW388039B
公开(公告)日：2000-04-21
申请号：TW087114082
申请日：1998-08-26
申请人：阿爾普士電氣股份有限公司 , 井上明久
发明人：吉田昌二 , 水嵨隆夫 , 牧野彰宏 , 井上明久
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01F41/0226 , H01F1/15308 , H01F1/1535 , H01F3/04 , H01F41/0246
摘要：本發明提供以具有△Tx=Tx─Tg,(惟，Tvx表示結晶化開始溫度、Tg表示玻璃轉移溫度)之式表示的過冷卻液體之溫度間隔△Tx在20K以上，此電阻在1.5μΩm以上，含有Fe以外的其他金屬元素與半金屬元素、前述其他金屬元素係含有Al、Ga、In、Sn之中至少一種、而前述半金屬元素係含有P、C、B、Ge、 Si之中至少一種的Fe基軟磁性金屬玻璃合金之薄帶經予捲繞成螺旋管狀而成的磁心本體，或前述薄帶經予積層而成磁心本體之積層磁心，或具有凝聚(bulk)狀的磁心本體之凝聚磁心。
简体摘要：本发明提供以具有△Tx=Tx─Tg,(惟，Tvx表示结晶化开始温度、Tg表示玻璃转移温度)之式表示的过冷却液体之温度间隔△Tx在20K以上，此电阻在1.5μΩm以上，含有Fe以外的其他金属元素与半金属元素、前述其他金属元素系含有Al、Ga、In、Sn之中至少一种、而前述半金属元素系含有P、C、B、Ge、 Si之中至少一种的Fe基软磁性金属玻璃合金之薄带经予卷绕成螺旋管状而成的磁心本体，或前述薄带经予积层而成磁心本体之积层磁心，或具有凝聚(bulk)状的磁心本体之凝聚磁心。

5. 发明专利

TW434590B 變壓器失效
简体标题：变压器
公开(公告)号：TW434590B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW088113909
申请日：1999-08-13
申请人：阿爾普士電氣股份有限公司 , 佐藤敏郎 , 山清人
发明人： 內隆史 , 高橋利男 , 山本豊 , 牧野彰宏 , 佐藤敏郎 , 山清人
IPC分类号： H01F
摘要：茲提供一種即使薄型化、小型化，亦可升壓比高，高變換效率，且構造簡單化者。
其係具備一對導體ll、12所構成傳輸線路10，具備有介電性及磁性之鐵芯之電壓變換部2，以及具有與電壓變換部2固有阻抗不同之阻抗之冷陰極管(負載裝置)20之變壓器。
简体摘要：兹提供一种即使薄型化、小型化，亦可升压比高，高变换效率，且构造简单化者。其系具备一对导体ll、12所构成传输线路10，具备有介电性及磁性之铁芯之电压变换部2，以及具有与电压变换部2固有阻抗不同之阻抗之冷阴极管(负载设备)20之变压器。

6. 发明专利

TWI639706B 磁芯之製造方法有权
简体标题：磁芯之制造方法
公开(公告)号：TWI639706B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW104121604
申请日：2015-07-03
申请人：日商東北磁材研究所股份有限公司 , TOHOKU MAGNET INSTITUTE CO., LTD. , 日商阿爾普士電氣股份有限公司 , ALPS ELECTRIC CO., LTD.
发明人：牧野彰宏 , MAKINO, AKIHIRO , 沙瑪帕曼那德 , SHARMA, PARMANAND , 西山信行 , NISHIYAMA, NOBUYUKI , 清水一行 , SHIMIZU, KAZUYUKI , 吉田健二 , YOSHIDA, KENJI
IPC分类号： C21D6/00 , H01F41/02

7. 发明专利

TW184958B 鐵系軟磁性合金,及含有該合金之該磁性胚材以及使用該磁性胚材之磁性裝置失效
简体标题：铁系软磁性合金,及含有该合金之该磁性胚材以及使用该磁性胚材之磁性设备
公开(公告)号：TW184958B
公开(公告)日：1992-06-01
申请号：TW080104024
申请日：1991-05-23
申请人：阿爾普士電氣股份有限公司 , 增本健
发明人：井上明久 , 牧野彰宏 , 鈴木清策 , 增本健 , 潟岡教行
IPC分类号： C22C , H01F
摘要：本發明係有關於具有下列（Ⅰ）式所示之組成之高飽和磁通密度之鐵系軟磁性合金、及由該合金所構成之薄膜、薄帶及壓粉體等軟磁性胚材、以及使用此等軟磁性胚材之低頻率變壓器、磁頭等電磁變換裝置、以及該薄帶之製造方法及製造裝置；
而（Ⅰ）式係為：（Ｆel-aＱa）bＢxＴyＴ′z
其中，Ｑ為鈷、鎳之其中之一種，或者為兩者；Ｔ為從鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉬、鎢之中所選出之１種或２種以上之元素，且含有鋯、鉿之其中之一種或兩者皆包含；Ｔ′為從銅、銀、金、鎳、鈀、鎳之中所選出之１種或２種以上之元素；
０≦ａ≦０．０５；
０＜ｂ≦９３原子％；
ｘ＝０．５～１６原子％；
ｙ＝４～１０原子％；
０≦ｚ≦４．５原子％；
但是，０＜ｚ≦４．５原子％時，
Ｑ鈷；且０＜ｂ≦９２原子％；
另外，ｚ＝０時，
０．５≦ｘ≦８原子％；４≦ｙ≦９原子％。
简体摘要：本发明系有关于具有下列（Ⅰ）式所示之组成之高饱和磁通密度之铁系软磁性合金、及由该合金所构成之薄膜、薄带及压粉体等软磁性胚材、以及使用此等软磁性胚材之低频率变压器、磁头等电磁变换设备、以及该薄带之制造方法及制造设备；而（Ⅰ）式系为：（Ｆel-aＱa）bＢxＴyＴ′z 其中，Ｑ为钴、镍之其中之一种，或者为两者；Ｔ为从钛、锆、铪、钒、铌、钽、钼、钨之中所选出之１种或２种以上之元素，且含有锆、铪之其中之一种或两者皆包含；Ｔ′为从铜、银、金、镍、钯、镍之中所选出之１种或２种以上之元素；０≦ａ≦０．０５；０＜ｂ≦９３原子％；ｘ＝０．５～１６原子％；ｙ＝４～１０原子％；０≦ｚ≦４．５原子％；但是，０＜ｚ≦４．５原子％时，Ｑ钴；且０＜ｂ≦９２原子％；另外，ｚ＝０时，０．５≦ｘ≦８原子％；４≦ｙ≦９原子％。

8. 发明专利

TW402725B 感應式元件用磁芯及變壓器以及電感器失效
简体标题：感应式组件用磁芯及变压器以及电感器
公开(公告)号：TW402725B
公开(公告)日：2000-08-21
申请号：TW087121554
申请日：1998-12-23
申请人：阿爾普士電氣股份有限公司 , 長野日本無線股份有限公司
发明人：山本豊 , 內隆史 , 牧野彰宏 , 南俊孝
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01F17/0006 , H01F17/04
摘要：提供一種，將Ｍｎ－Ｚｎ鐵氧體原料粉末造粒，成形後燒結所得平均結晶粒徑５μｍ以下之Ｍｎ－Ｚｎ鐵氧體構成之基側磁芯及上側磁芯所形成感應式元件用磁芯，及挾持配置於該基側磁芯與上側磁芯間之變壓器用導體板所構成之高頻磁損少，電力傳送效率高之變壓器，及挾持配置於該基側磁芯與上側磁芯間之電感器用導體板所形成之高頻磁損少之電感器。
简体摘要：提供一种，将Ｍｎ－Ｚｎ铁氧体原料粉末造粒，成形后烧结所得平均结晶粒径５μｍ以下之Ｍｎ－Ｚｎ铁氧体构成之基侧磁芯及上侧磁芯所形成感应式组件用磁芯，及挟持配置于该基侧磁芯与上侧磁芯间之变压器用导体板所构成之高频磁损少，电力发送效率高之变压器，及挟持配置于该基侧磁芯与上侧磁芯间之电感器用导体板所形成之高频磁损少之电感器。

9. 发明专利

TW095473B 磁頭用非晶質合金失效
简体标题：磁头用非晶质合金
公开(公告)号：TW095473B
公开(公告)日：1988-02-01
申请号：TW075105426
申请日：1986-11-15
申请人：阿爾普士電氣股份有限公司
发明人：中幹雄 , 牧野彰宏
IPC分类号： C22C , H01F

10. 发明专利

TW201606087A 磁芯之製造方法审中-公开
简体标题：磁芯之制造方法
公开(公告)号：TW201606087A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104121604
申请日：2015-07-03
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 阿爾普士電氣股份有限公司 , ALPS ELECTRIC CO., LTD.
发明人：牧野彰宏 , MAKINO, AKIHIRO , 沙瑪帕曼那德 , SHARMA, PARMANAND , 西山信行 , NISHIYAMA, NOBUYUKI , 清水一行 , SHIMIZU, KAZUYUKI , 吉田健二 , YOSHIDA, KENJI
IPC分类号： C21D6/00 , H01F41/02
CPC分类号： C21D6/00 , C22C38/00 , C22C45/02 , H01F1/153 , H01F41/02
摘要：一種磁芯之製造方法包含第1熱處理步驟、中間體製作步驟及第2熱處理步驟。在第1熱處理步驟中，熱處理由合金組成物形成的薄帶。在中間體製作步驟中，使用第1熱處理步驟後的薄帶製作中間體。在第2熱處理步驟中，熱處理中間體。合金組成物具有非晶質相作為主相，且，以組成式Fe100-a-b-c-d-e-f Coa Bb Sic Pd Cue Cf (但，3.5≦a≦4.5at%、8≦b≦11at%、0＜c≦2at%、3≦d≦5at%、0.5≦e≦1.1at%、0≦f≦2at%)表示。在第1熱處理步驟中，薄帶以第1升溫速度升溫到比合金組成物之結晶化溫度高的第1溫度。在第2熱處理步驟中，中間體升溫到結晶化溫度以下的第2溫度。
简体摘要：一种磁芯之制造方法包含第1热处理步骤、中间体制作步骤及第2热处理步骤。在第1热处理步骤中，热处理由合金组成物形成的薄带。在中间体制作步骤中，使用第1热处理步骤后的薄带制作中间体。在第2热处理步骤中，热处理中间体。合金组成物具有非晶质相作为主相，且，以组成式Fe100-a-b-c-d-e-f Coa Bb Sic Pd Cue Cf (但，3.5≦a≦4.5at%、8≦b≦11at%、0＜c≦2at%、3≦d≦5at%、0.5≦e≦1.1at%、0≦f≦2at%)表示。在第1热处理步骤中，薄带以第1升温速度升温到比合金组成物之结晶化温度高的第1温度。在第2热处理步骤中，中间体升温到结晶化温度以下的第2温度。

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