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1. 发明专利

TWI395405B 具提高反應速度與延長工作壽命功能之緩衝驅動電路、緩衝器與相關方法有权
简体标题：具提高反应速度与延长工作寿命功能之缓冲驱动电路、缓冲器与相关方法
公开(公告)号：TWI395405B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW098126518
申请日：2009-08-06
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 丁子仁 , TING, TZU JEN , 宋玉惠 , SUNG, YU HUI
IPC分类号： H03K19/0175
CPC分类号： H03K19/00315 , H03K19/017 , H03K19/018521 , H03K19/018528

2. 发明专利

TW201106626A 具提高反應速度與延長工作壽命功能之緩衝驅動電路、緩衝器與相關方法 BUFFER DRIVING CIRCUIT CAPABLE OF INCREASING RESPONDING SPEED AND PROLONGING LIFESPAN, BUFFER, AND METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：具提高反应速度与延长工作寿命功能之缓冲驱动电路、缓冲器与相关方法 BUFFER DRIVING CIRCUIT CAPABLE OF INCREASING RESPONDING SPEED AND PROLONGING LIFESPAN, BUFFER, AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201106626A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW098126518
申请日：2009-08-06
申请人：鈺創科技股份有限公司
发明人：夏濬 , 丁子仁 , 宋玉惠
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K19/00315 , H03K19/017 , H03K19/018521 , H03K19/018528
摘要：一種提升一緩衝器之反應速度與工作壽命之方法包含偵測該緩衝器之一輸入訊號之一邊緣、根據所偵測之該輸入訊號之該邊緣,觸發一預定時間長度之一脈衝訊號,以及根據該脈衝訊號與該輸入訊號,驅動該緩衝器以產生一輸出訊號。
简体摘要：一种提升一缓冲器之反应速度与工作寿命之方法包含侦测该缓冲器之一输入信号之一边缘、根据所侦测之该输入信号之该边缘,触发一预定时间长度之一脉冲信号,以及根据该脉冲信号与该输入信号,驱动该缓冲器以产生一输出信号。

3. 发明专利

TWI316256B 修補缺陷記憶晶胞之記憶模組及其修補方法 MEMORY MODULE WITH FAILED MEMORY CELL REPAIR FUNCTION AND METHOD THEREOF 有权
简体标题：修补缺陷记忆晶胞之记忆模块及其修补方法 MEMORY MODULE WITH FAILED MEMORY CELL REPAIR FUNCTION AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI316256B
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：TW097134808
申请日：2008-09-11
申请人：鈺創科技股份有限公司
发明人：夏濬 , 丁子仁 , 陳和穎
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/165 , G11C5/04 , G11C29/72
摘要：本發明係有關於一種修補缺陷記憶晶胞之記憶模組及其修補方法，其主要結構包括有一編程介面、一模式暫存器、一控制訊號產生器、一熔絲單元、一主記憶陣列及一多餘記憶陣列，其中編程介面包括有複數個接腳，並由記憶模組之一標準介面中所選定而成，編程介面用於輸入複數個編程指令及編程資料，當缺陷記憶晶胞出現於主記憶陣列時，模式暫存器將根據編程指令而進入一編程模式，並依此編程熔絲單元，如此多餘記憶陣列之多餘記憶晶胞將可用於取代缺陷記憶晶胞，藉此，熔絲單元可透過標準介面直接進行編程程序，以有效的減少修補時間及降低成本。
简体摘要：本发明系有关于一种修补缺陷记忆晶胞之记忆模块及其修补方法，其主要结构包括有一编程界面、一模式寄存器、一控制信号产生器、一熔丝单元、一主记忆数组及一多余记忆数组，其中编程界面包括有复数个接脚，并由记忆模块之一标准界面中所选定而成，编程界面用于输入复数个编程指令及编程数据，当缺陷记忆晶胞出现于主记忆数组时，模式寄存器将根据编程指令而进入一编程模式，并依此编程熔丝单元，如此多余记忆数组之多余记忆晶胞将可用于取代缺陷记忆晶胞，借此，熔丝单元可透过标准界面直接进行编程进程，以有效的减少修补时间及降低成本。

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