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1. 发明专利

TW201631302A ＭＥＭＳ壓力感測器及其形成方法审中-公开
简体标题：ＭＥＭＳ压力传感器及其形成方法
公开(公告)号：TW201631302A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105103526
申请日：2016-02-03
申请人：邁爾森電子(天津)有限公司 , MEMSEN ELECTRONICS INC
发明人：周文卿
IPC分类号： G01L9/12 , H01L29/84 , B81B7/02
CPC分类号： G01L9/0073 , G01L9/0042
摘要：一種MEMS壓力感測器及其形成方法，形成方法包括：提供包括第一表面和第二表面的第一襯底，第一襯底包括導電層，導電層位於第一襯底的第一表面一側；提供包括第三表面和第四表面的第二襯底，第二襯底包括第二基底和壓敏電極，第二襯底包括壓力傳感區，壓敏電極位於壓力傳感區內，壓敏電極位於第二襯底的第三表面一側；將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定，並在第一襯底與第二襯底的壓力傳感區之間形成空腔；去除第二基底，形成與第二襯底的第三表面相對的第五表面；自第二襯底的第五表面一側形成貫穿至導電層的第一導電插塞，實現導電層與壓敏電極形成電連接；MEMS壓力感測器的性能和可靠性提高、尺寸縮小、工藝成本降低。
简体摘要：一种MEMS压力传感器及其形成方法，形成方法包括：提供包括第一表面和第二表面的第一衬底，第一衬底包括导电层，导电层位于第一衬底的第一表面一侧；提供包括第三表面和第四表面的第二衬底，第二衬底包括第二基底和压敏电极，第二衬底包括压力传感区，压敏电极位于压力传感区内，压敏电极位于第二衬底的第三表面一侧；将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定，并在第一衬底与第二衬底的压力传感区之间形成空腔；去除第二基底，形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面；自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至导电层的第一导电插塞，实现导电层与压敏电极形成电连接；MEMS压力传感器的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。

2. 发明专利

TWI667815B 一種ＭＥＭＳ壓電轉換器及其製作方法有权
简体标题：一种ＭＥＭＳ压电转换器及其制作方法
公开(公告)号：TWI667815B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW107101566
申请日：2018-01-16
申请人：大陸商邁爾森電子(天津)有限公司 , MEMSEN ELECTRONICS INC
发明人：周文卿 , CHAU, MANHING
IPC分类号： H01L41/083 , H01L29/66

3. 发明专利

TWI629460B ＭＥＭＳ壓力感測器及其形成方法有权
简体标题：ＭＥＭＳ压力传感器及其形成方法
公开(公告)号：TWI629460B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW105103526
申请日：2016-02-03
申请人：邁爾森電子(天津)有限公司 , MEMSEN ELECTRONICS INC
发明人：周文卿
IPC分类号： G01L9/12 , H01L29/84 , B81B7/02

4. 发明专利

TW201832390A 一種ＭＥＭＳ壓電轉換器及其製作方法审中-公开
简体标题：一种ＭＥＭＳ压电转换器及其制作方法
公开(公告)号：TW201832390A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107101566
申请日：2018-01-16
申请人：大陸商邁爾森電子(天津)有限公司 , MEMSEN ELECTRONICS INC
发明人：周文卿 , CHAU, MANHING
IPC分类号： H01L41/083 , H01L29/66
摘要：本發明提供了一種MEMS壓電轉換器及其製作方法，第一襯底包括第一基底、位於第一基底一側的至少一層導電層、信號處理電路和/或驅動電路，信號處理電路和/或驅動電路與導電層電連接；第二襯底包括第二基底以及位於第二基底一側的第一電極和位於第一電極一側的壓電介質層；將第一襯底具有導電層的一側與第二襯底具有第一電極和壓電介質層的一側貼合固定，並且，藉由導電通孔將第一電極與導電層電連接後，可以藉由信號處理電路接收形變後的第一電極輸出的電信號，和/或藉由驅動電路向第一電極輸入電信號，使第一電極和壓電介質層產生形變。基於此，不僅可以改善MEMS壓電轉換器的性能，而且降低了工藝難度，使得材料以及工藝的選擇更廣泛。
简体摘要：本发明提供了一种MEMS压电转换器及其制作方法，第一衬底包括第一基底、位于第一基底一侧的至少一层导电层、信号处理电路和/或驱动电路，信号处理电路和/或驱动电路与导电层电连接；第二衬底包括第二基底以及位于第二基底一侧的第一电极和位于第一电极一侧的压电介质层；将第一衬底具有导电层的一侧与第二衬底具有第一电极和压电介质层的一侧贴合固定，并且，借由导电通孔将第一电极与导电层电连接后，可以借由信号处理电路接收形变后的第一电极输出的电信号，和/或借由驱动电路向第一电极输入电信号，使第一电极和压电介质层产生形变。基于此，不仅可以改善MEMS压电转换器的性能，而且降低了工艺难度，使得材料以及工艺的选择更广泛。

5. 发明专利

TWI622759B ＭＥＭＳ壓力感測器及其形成方法有权
简体标题：ＭＥＭＳ压力传感器及其形成方法
公开(公告)号：TWI622759B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105103525
申请日：2016-02-03
申请人：邁爾森電子〈天津〉有限公司 , MEMSEN ELECTRONICS INC
发明人：周文卿
IPC分类号： G01L9/02 , H01L41/113 , H01L41/22

6. 发明专利

TWI592030B ＭＥＭＳ麥克風及其形成方法有权
简体标题：ＭＥＭＳ麦克风及其形成方法
公开(公告)号：TWI592030B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW105103520
申请日：2016-02-03
申请人：邁爾森電子〈天津〉有限公司 , MEMSEN ELECTRONICS INC
发明人：周文卿
IPC分类号： H04R19/00 , H04R19/04 , H04R31/00
CPC分类号： H04R19/005 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81C1/00238 , B81C2203/0792 , H04R19/04 , H04R23/006 , H04R31/006 , H04R2201/003

7. 发明专利

TW201631991A ＭＥＭＳ麥克風及其形成方法审中-公开
简体标题：ＭＥＭＳ麦克风及其形成方法
公开(公告)号：TW201631991A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105103520
申请日：2016-02-03
申请人：邁爾森電子〈天津〉有限公司 , MEMSEN ELECTRONICS INC
发明人：周文卿
IPC分类号： H04R19/00 , H04R19/04 , H04R31/00
CPC分类号： H04R19/005 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81C1/00238 , B81C2203/0792 , H04R19/04 , H04R23/006 , H04R31/006 , H04R2201/003
摘要：一種MEMS麥克風及其形成方法，其中的形成方法包括：提供包括第一表面和第二表面的第一襯底，第一襯底包括至少一層導電層，導電層位於第一襯底的第一表面一側；提供包括第三表面和第四表面的第二襯底，第二襯底包括第二基底和敏感電極，第二襯底包括敏感區，敏感電極位於敏感區內，敏感電極位於第二襯底的第三表面一側；將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定；之後去除第二基底，形成與第二襯底的第三表面相對的第五表面；在第一襯底和第二襯底的敏感區之間形成空腔；自第二襯底的第五表面一側形成貫穿至至少一層導電層的第一導電插塞；MEMS麥克風的性能和可靠性提高、尺寸縮小、工藝成本降低。
简体摘要：一种MEMS麦克风及其形成方法，其中的形成方法包括：提供包括第一表面和第二表面的第一衬底，第一衬底包括至少一层导电层，导电层位于第一衬底的第一表面一侧；提供包括第三表面和第四表面的第二衬底，第二衬底包括第二基底和敏感电极，第二衬底包括敏感区，敏感电极位于敏感区内，敏感电极位于第二衬底的第三表面一侧；将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定；之后去除第二基底，形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面；在第一衬底和第二衬底的敏感区之间形成空腔；自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至至少一层导电层的第一导电插塞；MEMS麦克风的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。

8. 发明专利

TW201631301A ＭＥＭＳ壓力感測器及其形成方法审中-公开
简体标题：ＭＥＭＳ压力传感器及其形成方法
公开(公告)号：TW201631301A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105103525
申请日：2016-02-03
申请人：邁爾森電子〈天津〉有限公司 , MEMSEN ELECTRONICS INC
发明人：周文卿
IPC分类号： G01L9/02 , H01L41/113 , H01L41/22
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B7/008 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81B2207/99 , G01L9/0052 , G01L9/0073
摘要：一種MEMS壓力感測器及其形成方法，形成方法包括：提供包括相對的第一表面和第二表面的第一襯底，包括至少一層導電層，導電層位於第一襯底的第一表面一側；提供包括相對的第三表面和第四表面的第二襯底，包括第二基底和壓敏電阻元件，第二襯底包括壓力傳感區，壓敏電阻元件位於壓力傳感區內，壓敏電阻元件位於第二襯底的第三表面一側；將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定；在第一襯底與第二襯底的壓力傳感區之間形成空腔；去除第二基底，形成與第二襯底的第三表面相對的第五表面；自第二襯底的第五表面一側形成貫穿至至少一層導電層表面的第一導電插塞；MEMS壓力感測器的性能和可靠性提高、尺寸縮小、工藝成本降低。
简体摘要：一种MEMS压力传感器及其形成方法，形成方法包括：提供包括相对的第一表面和第二表面的第一衬底，包括至少一层导电层，导电层位于第一衬底的第一表面一侧；提供包括相对的第三表面和第四表面的第二衬底，包括第二基底和压敏电阻组件，第二衬底包括压力传感区，压敏电阻组件位于压力传感区内，压敏电阻组件位于第二衬底的第三表面一侧；将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定；在第一衬底与第二衬底的压力传感区之间形成空腔；去除第二基底，形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面；自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至至少一层导电层表面的第一导电插塞；MEMS压力传感器的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。

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