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1. 发明专利

TW200922153A 使用通用級聯代碼(GCC)之編碼及解碼方法 ENCODING AND DECODING METHODS USING GENERALIZED CONCATENATED CODES (GCC) 失效
简体标题：使用通用级联代码(GCC)之编码及译码方法 ENCODING AND DECODING METHODS USING GENERALIZED CONCATENATED CODES (GCC)
公开(公告)号：TW200922153A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097130354
申请日：2008-08-08
申请人：邁威爾世界貿易有限公司 MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：楊雪石 XUESHI YANG , 葛羅利伯德 GREGORY BURD , 唐恆 HENG TANG , 潘魯蔡昌納窩 PANU CHAICHANAVONG , 吳子寧 ZINING WU
IPC分类号： H03M
CPC分类号： H03M13/2945 , G06F11/1068 , H03M13/033 , H03M13/1515 , H03M13/2903 , H03M13/2906
摘要：本發明描述用於使用通用級聯代碼(GCC)來進行編碼和解碼的系統、裝置和方法。這些方法包括:接收資料;編碼所接收到的資料以獲得第一經編碼資料;編碼第一經編碼資料,直到一GCC編碼達到一中間級別;以及在所述中間級別終止所述GCC編碼。
简体摘要：本发明描述用于使用通用级联代码(GCC)来进行编码和译码的系统、设备和方法。这些方法包括:接收数据;编码所接收到的数据以获得第一经编码数据;编码第一经编码数据,直到一GCC编码达到一中间级别;以及在所述中间级别终止所述GCC编码。

2. 发明专利

TW200842890A 用於非揮發性記憶體之導引設置 PILOT PLACEMENT FOR NON-VOLATILE MEMORY 审中-公开
简体标题：用于非挥发性内存之导引设置 PILOT PLACEMENT FOR NON-VOLATILE MEMORY
公开(公告)号：TW200842890A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW097104818
申请日：2008-02-12
申请人：邁威爾世界貿易有限公司 MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：楊雪石 XUESHI YANG , 吳子寧 ZINING WU , 佩達斯史達佳 PANTAS SUTARDJA
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F11/1068 , G11C29/18 , G11C29/24 , G11C29/50 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411 , G11C2029/5002
摘要：一種記憶體控制模組包括格式模組,所述之格式模組與包括B個記憶體塊的記憶體陣列通信,每個記憶體塊包括P個物理頁和Q個邏輯頁。格式模組在B個記憶體塊中的每一個中選擇X個預定位置以寫入引導資料(write pilot data)和讀回引導信號(read-back pilot signals)。B、P、Q和X是大於或等於1的整數。記憶體控制模組還包括信號處理模組,所述之信號處理模組將所寫入的引導資料與讀回的引導信號相比較,並根據比較結果確定所寫入的引導資料和所讀回的引導信號之間的差異。
简体摘要：一种内存控制模块包括格式模块,所述之格式模块与包括B个内存块的内存数组通信,每个内存块包括P个物理页和Q个逻辑页。格式模块在B个内存块中的每一个中选择X个预定位置以写入引导数据(write pilot data)和读回引导信号(read-back pilot signals)。B、P、Q和X是大于或等于1的整数。内存控制模块还包括信号处理模块,所述之信号处理模块将所写入的引导数据与读回的引导信号相比较,并根据比较结果确定所写入的引导数据和所读回的引导信号之间的差异。

3. 发明专利

TW200828317A 用於記憶體單元之自適應讀寫系統與方法 ADAPTIVE READ AND WRITE SYSTEMS AND METHODS FOR MEMORY CELLS 审中-公开
简体标题：用于内存单元之自适应读写系统与方法 ADAPTIVE READ AND WRITE SYSTEMS AND METHODS FOR MEMORY CELLS
公开(公告)号：TW200828317A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW096141922
申请日：2007-11-06
申请人：邁威爾世界貿易有限公司 MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：楊雪石 XUESHI YANG , 葛羅利伯德 GREGORY BURD
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/28 , G11C2211/5634
摘要：本發明公開了一種自適應記憶體讀寫系統和方法,其可以適應例如因記憶單元的重複循環操作的有害影響而引起的記憶單元的閥値電壓分佈的改變。該新系統可以至少包括多階記憶單元以及被操作耦合到多階記憶單元的計算模組,多階記憶單元可以是多階快閃記憶體單元。計算模組可以被配置用於至少部分基於多階記憶單元的位階分佈的估計中間値和標準偏差値來計算最理想或近似理想中間値和檢測閥値。計算模組計算出的最理想或近似理想中間値和檢測閥値可以隨後被分別用於輔助向多階記憶單元寫入數據和從多階記憶單元讀取數據。
简体摘要：本发明公开了一种自适应内存读写系统和方法,其可以适应例如因记忆单元的重复循环操作的有害影响而引起的记忆单元的阀値电压分布的改变。该新系统可以至少包括多阶记忆单元以及被操作耦合到多阶记忆单元的计算模块,多阶记忆单元可以是多阶闪存单元。计算模块可以被配置用于至少部分基于多阶记忆单元的位阶分布的估计中间値和标准偏差値来计算最理想或近似理想中间値和检测阀値。计算模块计算出的最理想或近似理想中间値和检测阀値可以随后被分别用于辅助向多阶记忆单元写入数据和从多阶记忆单元读取数据。

4. 发明专利

TW200825740A 用於儲存數據至記憶體單元和從記憶體單元擷取數據的自適應系統及其方法 ADAPTIVE SYSTEMS AND METHODS FOR STORING AND RETRIEVING DATA TO AND FROM MEMORY CELLS 审中-公开
简体标题：用于存储数据至内存单元和从内存单元截取数据的自适应系统及其方法 ADAPTIVE SYSTEMS AND METHODS FOR STORING AND RETRIEVING DATA TO AND FROM MEMORY CELLS
公开(公告)号：TW200825740A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096138035
申请日：2007-10-11
申请人：邁威爾世界貿易有限公司 MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：楊雪石 XUESHI YANG , 吳子寧 ZINING WU
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F11/1048
摘要：本發明係一種可以幫助確保從記憶體單元所取回的數據的可靠性的自適應系統和方法。該系統可以包含具有複數個記憶體單元的記憶體裝置、數據品質監控模組和自適應數據編碼模組,該數據品質監控模組和自適應數據編碼模組皆可被操作地耦合至記憶體裝置。數據品質監控模組可以被配置用於確定記憶體裝置中所包含的一個或一個以上記憶體單元構成的組的品質値,所確定的品質値表示一個或一個以上記憶體單元構成的組的品質。該自適應數據編碼模組可以被配置用於從複數個編碼系統中選擇用於對將被寫入記憶體裝置中的一個或一個以上記憶體單元構成的組的數據進行編碼的編碼系統,編碼系統的選擇至少部分地基於一個或一個以上記憶體單元構成的組的確定品質値。
简体摘要：本发明系一种可以帮助确保从内存单元所取回的数据的可靠性的自适应系统和方法。该系统可以包含具有复数个内存单元的内存设备、数据品质监控模块和自适应数据编码模块,该数据品质监控模块和自适应数据编码模块皆可被操作地耦合至内存设备。数据品质监控模块可以被配置用于确定内存设备中所包含的一个或一个以上内存单元构成的组的品质値,所确定的品质値表示一个或一个以上内存单元构成的组的品质。该自适应数据编码模块可以被配置用于从复数个编码系统中选择用于对将被写入内存设备中的一个或一个以上内存单元构成的组的数据进行编码的编码系统,编码系统的选择至少部分地基于一个或一个以上内存单元构成的组的确定品质値。

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