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1. 发明专利

TWI244188B 異方性導電膜層的形成方法及結構 FABRICATION METHOD OF ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND STRUCTURE OF THE SAME 有权
简体标题：异方性导电膜层的形成方法及结构 FABRICATION METHOD OF ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND STRUCTURE OF THE SAME
公开(公告)号：TWI244188B
公开(公告)日：2005-11-21
申请号：TW093141107
申请日：2004-12-29
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：鄭世裕 CHENG, SYH YUH , 林人傑 LIN, REN JEN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種異方性導電膜層的形成方法和結構。本方法，包括：(A)提供一具有複數個微孔洞之奈米模板；(B)形成至少一金屬導電膜層於奈米模板之表面，且分別成長複數個金屬奈米線於此等微孔洞中；(C)除去此奈米模板；(D)形成至少一磁性披覆層於每一金屬奈米線表面；(E)施加一磁場於金屬奈米線及此金屬導電膜層，且形成一固定層於此金屬導電膜層之表面及此等金屬奈米線之間；以及(F)選擇性地移除此金屬導電膜層，形成一異方性導電膜層。此外，可於完成之異方性導電膜的表面以濺鍍法形成規則且近間距的電極，而形成導電的焊墊電極。
简体摘要：本发明系关于一种异方性导电膜层的形成方法和结构。本方法，包括：(A)提供一具有复数个微孔洞之奈米模板；(B)形成至少一金属导电膜层于奈米模板之表面，且分别成长复数个金属奈米线于此等微孔洞中；(C)除去此奈米模板；(D)形成至少一磁性披覆层于每一金属奈米线表面；(E)施加一磁场于金属奈米线及此金属导电膜层，且形成一固定层于此金属导电膜层之表面及此等金属奈米线之间；以及(F)选择性地移除此金属导电膜层，形成一异方性导电膜层。此外，可于完成之异方性导电膜的表面以溅镀法形成守则且近间距的电极，而形成导电的焊垫电极。

2. 发明专利

TW200520943A 功能性膜層的製作方法與其所包含之核殼結構粉體 FABRICATION METHOD OF FUNCTIONAL FILM AND CORE-SHELL PARTICLE THEREFOR 审中-公开
简体标题：功能性膜层的制作方法与其所包含之核壳结构粉体 FABRICATION METHOD OF FUNCTIONAL FILM AND CORE-SHELL PARTICLE THEREFOR
公开(公告)号：TW200520943A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW092136519
申请日：2003-12-23
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：鄭世裕 CHENG, SYH YUH , 林人傑 LIN, REN JEN
IPC分类号： B32B , C08K
摘要：本發明揭示一種功能性膜層的製作方法與其所包含之核殼結構粉體。該核殼結構粉體包括：一核心，係由至少一種功能性粉體組成，且其微波吸收能力相對較低；以及一殼層，具有相對較高的微波吸收能力。而該功能性膜層的製作方法包括：首先提供一基板，再披覆一層上述核殼結構粉體於該基板上，以及將基板暴露於一微波場中該層核殼結構粉體上，使該殼層吸收微波而於該層核殼結構粉體內產生緻密化，以形成一以該功能性粉體為主體之功能性膜層。
简体摘要：本发明揭示一种功能性膜层的制作方法与其所包含之核壳结构粉体。该核壳结构粉体包括：一内核，系由至少一种功能性粉体组成，且其微波吸收能力相对较低；以及一壳层，具有相对较高的微波吸收能力。而该功能性膜层的制作方法包括：首先提供一基板，再披覆一层上述核壳结构粉体于该基板上，以及将基板暴露于一微波场中该层核壳结构粉体上，使该壳层吸收微波而于该层核壳结构粉体内产生致密化，以形成一以该功能性粉体为主体之功能性膜层。

3. 发明专利

TWI255466B 高分子導電膜結構及其製作方法 POLYMER-MATRIX CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 失效
简体标题：高分子导电膜结构及其制作方法 POLYMER-MATRIX CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI255466B
公开(公告)日：2006-05-21
申请号：TW093130523
申请日：2004-10-08
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：汪若蕙 UANG, RUOH HUEY , 陳有志 CHEN, YU CHIH , 林人傑 LIN, REN JEN , 鄭世裕 CHENG, SYH YUH
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01L23/49827 , B82Y10/00 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01R4/04 , H01R13/2414 , H05K3/323 , H05K2201/026 , H05K2201/083 , H05K2201/10378 , H05K2203/0726 , H05K2203/104 , Y10S977/761 , Y10S977/762 , Y10S977/766 , Y10S977/77 , Y10S977/778 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , Y10T29/49204 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
摘要：本發明提供一種以高分子與微米以下的導線構成的複合導電膜結構及其製作方法。本發明導電膜中的導線間呈相互間隔平行排列，而提供單一導電方向，可應用在極小間距的晶片與基板的電性連接。本發明導電膜沿其導電方向兩端分別形成一黏著層，以增加黏著面積，提高後續組裝強度及可靠度。
简体摘要：本发明提供一种以高分子与微米以下的导线构成的复合导电膜结构及其制作方法。本发明导电膜中的导线间呈相互间隔平行排列，而提供单一导电方向，可应用在极小间距的芯片与基板的电性连接。本发明导电膜沿其导电方向两端分别形成一黏着层，以增加黏着面积，提高后续组装强度及可靠度。

4. 发明专利

TW200612440A 高分子導電膜結構及其製作方法 POLYMER-MATRIX CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 失效
简体标题：高分子导电膜结构及其制作方法 POLYMER-MATRIX CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200612440A
公开(公告)日：2006-04-16
申请号：TW093130523
申请日：2004-10-08
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：汪若蕙 UANG, RUOH HUEY , 陳有志 CHEN, YU CHIH , 林人傑 LIN, REN JEN , 鄭世裕 CHENG, SYH YUH
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01L23/49827 , B82Y10/00 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01R4/04 , H01R13/2414 , H05K3/323 , H05K2201/026 , H05K2201/083 , H05K2201/10378 , H05K2203/0726 , H05K2203/104 , Y10S977/761 , Y10S977/762 , Y10S977/766 , Y10S977/77 , Y10S977/778 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , Y10T29/49204 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
摘要：本發明提供一種以高分子與微米以下的導線構成的複合導電膜結構及其製作方法。本發明導電膜中的導線間呈相互間隔平行排列，而提供單一導電方向，可應用在極小間距的晶片與基板的電性連接。本發明導電膜沿其導電方向兩端分別形成一黏著層，以增加黏著面積，提高後續組裝強度及可靠度。
简体摘要：本发明提供一种以高分子与微米以下的导线构成的复合导电膜结构及其制作方法。本发明导电膜中的导线间呈相互间隔平行排列，而提供单一导电方向，可应用在极小间距的芯片与基板的电性连接。本发明导电膜沿其导电方向两端分别形成一黏着层，以增加黏着面积，提高后续组装强度及可靠度。

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