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1. 发明专利

TW201712840A 半導體封裝結構审中-公开
简体标题：半导体封装结构
公开(公告)号：TW201712840A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104140189
申请日：2015-12-01
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 文顥電子股份有限公司 , WIN-HOUSE ELECTRONIC CO., LTD.
发明人：張景堯 , CHANG, JING YAO , 張道智 , CHANG, TAO CHIH , 高國書 , KAO, KUO SHU , 呂芳俊 , LEU, FANG JUN , 林欣翰 , LIN, HSIN HAN , 曾志銘 , TZENG, CHIH MING , 張孝民 , CHANG, HSIAO MING , 沈志明 , SHEN, CHIH MING
IPC分类号： H01L23/58 , H01L29/66 , H01L29/49
CPC分类号： H01L2224/40 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要：本揭露內容係提供一種半導體封裝結構。半導體封裝結構包括一半導體晶片、一保護環(guard ring)、一膠層以及一第一引線架(lead frame)。保護環設置於半導體晶片上，膠層設置於保護環上。第一引線架電性連接至半導體晶片，膠層位於保護環和第一引線架之間。
简体摘要：本揭露内容系提供一种半导体封装结构。半导体封装结构包括一半导体芯片、一保护环(guard ring)、一胶层以及一第一引线架(lead frame)。保护环设置于半导体芯片上，胶层设置于保护环上。第一引线架电性连接至半导体芯片，胶层位于保护环和第一引线架之间。

2. 发明专利

TWI666754B 半導體封裝結構有权
简体标题：半导体封装结构
公开(公告)号：TWI666754B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104140189
申请日：2015-12-01
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 文顥電子股份有限公司 , WIN-HOUSE ELECTRONIC CO., LTD.
发明人：張景堯 , CHANG, JING YAO , 張道智 , CHANG, TAO CHIH , 高國書 , KAO, KUO SHU , 呂芳俊 , LEU, FANG JUN , 林欣翰 , LIN, HSIN HAN , 曾志銘 , TZENG, CHIH MING , 張孝民 , CHANG, HSIAO MING , 沈志明 , SHEN, CHIH MING
IPC分类号： H01L23/58 , H01L29/66 , H01L29/49

3. 发明专利

TW201832334A 電子封裝結構审中-公开
简体标题：电子封装结构
公开(公告)号：TW201832334A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106104871
申请日：2017-02-15
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：張景堯 , CHANG, JING YAO , 張道智 , CHANG, TAO CHIH , 呂芳俊 , LEU, FANG JUN , 韓偉國 , HAN, WEI KUO , 高國書 , KAO, KUO SHU
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/28
摘要：一種電子封裝結構係將晶片結合於承載件之金屬凸塊上，且藉由應力緩衝材包覆該金屬凸塊周圍以作為應力緩衝部，而提升應力緩衝之效果，藉此防止該晶片因應力而破裂之問題。
简体摘要：一种电子封装结构系将芯片结合于承载件之金属凸块上，且借由应力缓冲材包覆该金属凸块周围以作为应力缓冲部，而提升应力缓冲之效果，借此防止该芯片因应力而破裂之问题。

4. 发明专利

TWI632653B 電子封裝結構有权
简体标题：电子封装结构
公开(公告)号：TWI632653B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW106104871
申请日：2017-02-15
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：張景堯 , CHANG, JING YAO , 張道智 , CHANG, TAO CHIH , 呂芳俊 , LEU, FANG JUN , 韓偉國 , HAN, WEI KUO , 高國書 , KAO, KUO SHU
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/28

5. 发明专利

TW560016B 一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法失效
简体标题：一次成形之覆晶式闸球数组半导体构装与其制造方法
公开(公告)号：TW560016B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091121571
申请日：2002-09-20
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：盧思維 , 盧威華 , 呂芳俊
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/16225
摘要：本發明提供一種一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法，係利用錫膏本身的表面張力將錫球陣列之錫膏經由基板表面的導線填入基板的導通孔，藉此將覆晶接合與錫球陣列構裝一次完成，可以有效的節省製程步驟；在產生覆晶接合時不需要在晶片和基板表面形成凸塊以及底部填膠的動作即可完成覆晶封裝；且利用錫球陣列之錫膏自身的表面張力可以控制填入基板導通孔的錫膏量；本發明係用以簡化覆晶接合與錫球陣列構裝技術的製程，相對的能夠減少影響製程的因素使製程更加穩定以及降低封裝成本。
简体摘要：本发明提供一种一次成形之覆晶式闸球数组半导体构装与其制造方法，系利用锡膏本身的表面张力将锡球数组之锡膏经由基板表面的导线填入基板的导通孔，借此将覆晶接合与锡球数组构装一次完成，可以有效的节省制程步骤；在产生覆晶接合时不需要在芯片和基板表面形成凸块以及底部填胶的动作即可完成覆晶封装；且利用锡球数组之锡膏自身的表面张力可以控制填入基板导通孔的锡膏量；本发明系用以简化覆晶接合与锡球数组构装技术的制程，相对的能够减少影响制程的因素使制程更加稳定以及降低封装成本。

6. 发明专利

TW463284B 三維方向自動準確對位的覆晶接合半導體構裝方法失效
简体标题：三维方向自动准确对位的覆晶接合半导体构装方法
公开(公告)号：TW463284B
公开(公告)日：2001-11-11
申请号：TW089118634
申请日：2000-09-08
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：呂芳俊 , 林世雄 , 吳碧珠 , 陳榮泰 , 沈里正 , 汪若蕙
IPC分类号： H01L
摘要：一種三維方向自動準確對位的覆晶接合半導體構裝方法，其係首先在一基板上形成複數個第一組凸塊，之後形成複數個第二組凸塊在此基板上。第一組凸塊之熔點高於第二組凸塊之熔點，及第一組凸塊在此基板上的高度小於第二組凸塊在此基板上的高度，並且第一組凸塊定義一個 Z軸方向的平面。以覆晶接合方式接合一晶片與此基板,藉由低熔點的第二組凸塊熔融拉回對正的力量達致晶片與基板在XY平面上的對準，同時在第二組凸塊熔融垮陷過程中高熔點的第一組凸塊所定義的Z軸方向的平面仍能維持原來設計高度，此一高度即為此晶片與基板的組裝高度。
简体摘要：一种三维方向自动准确对位的覆晶接合半导体构装方法，其系首先在一基板上形成复数个第一组凸块，之后形成复数个第二组凸块在此基板上。第一组凸块之熔点高于第二组凸块之熔点，及第一组凸块在此基板上的高度小于第二组凸块在此基板上的高度，并且第一组凸块定义一个 Z轴方向的平面。以覆晶接合方式接合一芯片与此基板,借由低熔点的第二组凸块熔融拉回对正的力量达致芯片与基板在XY平面上的对准，同时在第二组凸块熔融垮陷过程中高熔点的第一组凸块所定义的Z轴方向的平面仍能维持原来设计高度，此一高度即为此芯片与基板的组装高度。

7. 发明专利

TW548811B 一種應用半導體構裝治具的雙面組裝方法有权
简体标题：一种应用半导体构装治具的双面组装方法
公开(公告)号：TW548811B
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：TW091116789
申请日：2002-07-26
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：呂芳俊 , 盧思維 , 樓百堯
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種應用半導體構裝治具的雙面組裝方法；利用基板本身的通透孔以及特殊設計之半導體構裝治具，在半導體構裝治具上依次進行安裝下層晶片、置放基板、塗佈焊料與置放上層晶片的步驟，最後再加熱迴焊；使基板僅需經過一次迴焊即可同時接合上下層晶片以及完成電性接合。
简体摘要：本发明提供一种应用半导体构装治具的双面组装方法；利用基板本身的通透孔以及特殊设计之半导体构装治具，在半导体构装治具上依次进行安装下层芯片、置放基板、涂布焊料与置放上层芯片的步骤，最后再加热回焊；使基板仅需经过一次回焊即可同时接合上下层芯片以及完成电性接合。

8. 发明专利

TW399310B 覆晶式球形陣列之半導體的構裝有权
简体标题：覆晶式球形数组之半导体的构装
公开(公告)号：TW399310B
公开(公告)日：2000-07-21
申请号：TW087120039
申请日：1998-12-01
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：呂芳俊 , 李榮賢 , 黃新鉗 , 羅曉餘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2924/15311
摘要：一種覆晶式球形陣列的半導體構裝，包括一連結在一半導體晶元表面的金屬散熱元件。此散熱元件具有一結合的結構，用來結合自身和半導體晶元組立於上的球形陣列基板。此散熱元件保護該晶元免於受損，同時也幫助散熱。第一種構裝組合，在散熱元件上提供接觸實體，以將散熱元件連結到形成在一球形陣列基板上的接觸墊。第二種構裝組合，將散熱元件固定在連結在一球形陣列基板上的支撐結構。支撐釘子形成在支撐結構上，並且環扣在散熱元件之接觸實體上的通口裡。兩種構裝組合都可使用習知的構裝或測試的設備，來測試或製造本發明之半導體晶元構裝。
简体摘要：一种覆晶式球形数组的半导体构装，包括一链接在一半导体芯片表面的金属散热组件。此散热组件具有一结合的结构，用来结合自身和半导体芯片组立于上的球形数组基板。此散热组件保护该芯片免于受损，同时也帮助散热。第一种构装组合，在散热组件上提供接触实体，以将散热组件链接到形成在一球形数组基板上的接触垫。第二种构装组合，将散热组件固定在链接在一球形数组基板上的支撑结构。支撑钉子形成在支撑结构上，并且环扣在散热组件之接触实体上的通口里。两种构装组合都可使用习知的构装或测试的设备，来测试或制造本发明之半导体芯片构装。

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