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1. 发明专利

TWI498888B 垂直磁化自旋磁性記憶體元件有权
简体标题：垂直磁化自旋磁性内存组件
公开(公告)号：TWI498888B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW101138726
申请日：2012-10-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 楊姍意 , YANG, SHAN YI
IPC分类号： G11C11/02 , G11C11/16
CPC分类号： G11C11/161

2. 发明专利

TW201409784A 磁性穿隧接合元件及其形成方法审中-公开
简体标题：磁性穿隧接合组件及其形成方法
公开(公告)号：TW201409784A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102116224
申请日：2013-05-07
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃勝煌 , HUANG, SHENG HUANG , 沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 王泳弘 , WANG, YUNG HUNG
IPC分类号： H01L41/08
CPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：一種磁性穿隧接合(MTJ)元件，包括參考層、穿隧絕緣層及自由層。參考層具有表面。穿隧絕緣層是形成在參考層的表面上。自由層是形成在穿隧絕緣層上。參考層及自由層各自的磁化方向與上述表面實質上垂直。參考層在實質上平行於上述表面的水平方向上的尺寸大於自由層在水平方向上的尺寸。
简体摘要：一种磁性穿隧接合(MTJ)组件，包括参考层、穿隧绝缘层及自由层。参考层具有表面。穿隧绝缘层是形成在参考层的表面上。自由层是形成在穿隧绝缘层上。参考层及自由层各自的磁化方向与上述表面实质上垂直。参考层在实质上平行于上述表面的水平方向上的尺寸大于自由层在水平方向上的尺寸。

3. 发明专利

TW201448300A 垂直磁化穿隧式磁阻元件及其製造方法审中-公开
简体标题：垂直磁化穿隧式磁阻组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201448300A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102137939
申请日：2013-10-21
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 楊姍意 , YANG, SHAN YI , 王泳弘 , WANG, YUNG HUNG
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , H01L43/12
摘要：一種垂直磁化穿隧式磁阻元件，包括參考層、穿隧介電層、自由層以及覆蓋層。穿隧介電層覆蓋於參考層上。自由層覆蓋於穿隧介電層上。覆蓋層覆蓋於自由層上，覆蓋層是由鎂、鋁以及氧所組成。
简体摘要：一种垂直磁化穿隧式磁阻组件，包括参考层、穿隧介电层、自由层以及覆盖层。穿隧介电层覆盖于参考层上。自由层覆盖于穿隧介电层上。覆盖层覆盖于自由层上，覆盖层是由镁、铝以及氧所组成。

4. 发明专利

TW201409788A 磁性穿隧接面元件及其製造方法审中-公开
简体标题：磁性穿隧接面组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201409788A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102128701
申请日：2013-08-09
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃勝煌 , HUANG, SHENG HUANG , 沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 王泳弘 , WANG, YUNG HUNG
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/02 , G01R33/091 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11C11/15 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：一種磁性穿隧接面元件，其包括具有表面的參考層、形成於參考層表面上方的穿隧絕緣層、形成於穿隧絕緣層上方的自由層以及形成於自由層上方的磁場提供層。參考層與自由層之每一者中的磁化方向實質上垂直於表面。磁場提供層經配置以在自由層中提供側向磁場，所述側向磁場實質上平行於表面。
简体摘要：一种磁性穿隧接面组件，其包括具有表面的参考层、形成于参考层表面上方的穿隧绝缘层、形成于穿隧绝缘层上方的自由层以及形成于自由层上方的磁场提供层。参考层与自由层之每一者中的磁化方向实质上垂直于表面。磁场提供层经配置以在自由层中提供侧向磁场，所述侧向磁场实质上平行于表面。

5. 发明专利

TW201333946A 上固定型垂直磁化穿隧磁阻元件审中-公开
简体标题：上固定型垂直磁化穿隧磁阻组件
公开(公告)号：TW201333946A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101104902
申请日：2012-02-15
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：王泳弘 , WANG, YUNG HUNG , 沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 王丁勇 , WANG, DING YEONG , 楊姍意 , YANG, SHAN YI
IPC分类号： G11C11/16 , H01L43/12 , C23C14/06
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286
摘要：一種上固定型垂直磁化穿隧磁阻元件，包括底電極、非鐵磁性間隔物、自由層、穿隧絕緣層、合成式反鐵磁參考層以及上電極。非鐵磁性間隔物位於底電極上。自由層位於非鐵磁性間隔物上。穿隧絕緣層位於自由層上。合成式反鐵磁參考層位於穿隧絕緣層上。合成式反鐵磁參考層包括參考下層、參考中間層以及參考上層。參考下層位於穿隧絕緣層上。參考中間層位於參考下層上，且參考中間層為Ru層。參考上層位於參考中間層上。參考上層的磁化量大於參考下層的磁化量。上電極位於合成式反鐵磁參考層上。
简体摘要：一种上固定型垂直磁化穿隧磁阻组件，包括底电极、非铁磁性间隔物、自由层、穿隧绝缘层、合成式反铁磁参考层以及上电极。非铁磁性间隔物位于底电极上。自由层位于非铁磁性间隔物上。穿隧绝缘层位于自由层上。合成式反铁磁参考层位于穿隧绝缘层上。合成式反铁磁参考层包括参考下层、参考中间层以及参考上层。参考下层位于穿隧绝缘层上。参考中间层位于参考下层上，且参考中间层为Ru层。参考上层位于参考中间层上。参考上层的磁化量大于参考下层的磁化量。上电极位于合成式反铁磁参考层上。

6. 发明专利

TWI569483B 垂直磁化穿隧式磁阻元件及其製造方法有权
简体标题：垂直磁化穿隧式磁阻组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI569483B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW102137939
申请日：2013-10-21
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 楊姍意 , YANG, SHAN YI , 王泳弘 , WANG, YUNG HUNG
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , H01L43/12

7. 发明专利

TWI514373B 上固定型垂直磁化穿隧磁阻元件有权
简体标题：上固定型垂直磁化穿隧磁阻组件
公开(公告)号：TWI514373B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW101104902
申请日：2012-02-15
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：王泳弘 , WANG, YUNG HUNG , 沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 王丁勇 , WANG, DING YEONG , 楊姍意 , YANG, SHAN YI
IPC分类号： G11C11/16 , H01L43/12 , C23C14/06
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286

8. 发明专利

TW201401278A 垂直磁化自旋磁性記憶體元件审中-公开
简体标题：垂直磁化自旋磁性内存组件
公开(公告)号：TW201401278A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW101138726
申请日：2012-10-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 楊姍意 , YANG, SHAN YI
IPC分类号： G11C11/02 , G11C11/16
CPC分类号： G11C11/161
摘要：一種垂直磁化自旋磁性記憶體元件，包括至少一複合層，此複合層包括第一金屬氧化物層、第一鐵磁層、第一修飾層與第二鐵磁層。第一鐵磁層位於上述第一金屬氧化物層上。第二鐵磁層位於上述第一鐵磁層上。第一修飾層位於上述第一鐵磁層與上述第二鐵磁層之間。
简体摘要：一种垂直磁化自旋磁性内存组件，包括至少一复合层，此复合层包括第一金属氧化物层、第一铁磁层、第一修饰层与第二铁磁层。第一铁磁层位于上述第一金属氧化物层上。第二铁磁层位于上述第一铁磁层上。第一修饰层位于上述第一铁磁层与上述第二铁磁层之间。

9. 发明专利

TWI577060B 磁性穿隧接面元件及其製造方法有权
简体标题：磁性穿隧接面组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI577060B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW102128701
申请日：2013-08-09
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃勝煌 , HUANG, SHENG HUANG , 沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 王泳弘 , WANG, YUNG HUNG
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/02 , G01R33/091 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11C11/15 , H01L43/08 , H01L43/12

10. 发明专利

TW201327956A 磁感應器审中-公开
简体标题：磁感应器
公开(公告)号：TW201327956A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100149264
申请日：2011-12-28
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09
CPC分类号： G01R33/098
摘要：一種磁感應器，適用於感應一外部磁場，包括一磁性穿隧接面元件。磁性穿隧接面元件用以感應該外部磁場在垂直於磁性穿隧接面元件的一垂直(Z軸)磁場分量，包括一第一固定磁性層、一穿隧層以及一磁性感應層。第一固定磁性層有一固定磁化強度，垂直於該第一固定磁性層。穿隧層設置於該第一固定磁性層上。磁性感應層，設置於該穿隧層上，其中該磁性感應層有一預定厚度使一磁矩變化處於對垂直於磁性感應層的垂直(Z軸)磁場靈敏度高於水平(X、Y軸)磁場靈敏度的超順磁特性，以靈敏感應垂直於感應層之該外部磁場的垂直(Z軸)磁場。該固定磁性層、該穿隧層、該磁性感應層是依序或是反依序疊置。
简体摘要：一种磁感应器，适用于感应一外部磁场，包括一磁性穿隧接面组件。磁性穿隧接面组件用以感应该外部磁场在垂直于磁性穿隧接面组件的一垂直(Z轴)磁场分量，包括一第一固定磁性层、一穿隧层以及一磁性感应层。第一固定磁性层有一固定磁化强度，垂直于该第一固定磁性层。穿隧层设置于该第一固定磁性层上。磁性感应层，设置于该穿隧层上，其中该磁性感应层有一预定厚度使一磁矩变化处于对垂直于磁性感应层的垂直(Z轴)磁场灵敏度高于水平(X、Y轴)磁场灵敏度的超顺磁特性，以灵敏感应垂直于感应层之该外部磁场的垂直(Z轴)磁场。该固定磁性层、该穿隧层、该磁性感应层是依序或是反依序叠置。

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