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1. 发明专利

TWI498888B 垂直磁化自旋磁性記憶體元件有权
简体标题：垂直磁化自旋磁性内存组件
公开(公告)号：TWI498888B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW101138726
申请日：2012-10-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 楊姍意 , YANG, SHAN YI
IPC分类号： G11C11/02 , G11C11/16
CPC分类号： G11C11/161

2. 发明专利

TWI483394B 電阻式隨機存取記憶體及其製作方法有权
简体标题：电阻式随机存取内存及其制作方法
公开(公告)号：TWI483394B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW100148956
申请日：2011-12-27
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳維恕 , CHEN, WEI SU , 吳岱原 , WU, TAI YUAN , 楊姍意 , YANG, SHAN YI , 陳鵬升 , CHEN, PENG SHENG , 陳達 , CHEN, FREDERICK T.
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00

3. 发明专利

TW201806206A 垂直磁化自旋軌道磁性元件审中-公开
简体标题：垂直磁化自旋轨道磁性组件
公开(公告)号：TW201806206A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105124742
申请日：2016-08-04
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李欣翰 , LEE, HSIN-HAN , 楊姍意 , YANG, SHAN-YI , 陳佑昇 , CHEN, YU-SHENG , 張耀仁 , CHANG, YAO-JEN
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/18 , H01L43/02 , H01L43/10
摘要：一種垂直磁化自旋軌道磁性元件。垂直磁化自旋軌道磁性元件包括重金屬層、磁穿隧接面、第一反鐵磁層、第一阻絕層以及第一外漏場施加層。磁穿隧接面設置於重金屬層上。第一阻絕層設置於磁穿隧接面與第一反鐵磁層之間。第一外漏場施加層設置於第一反鐵磁層與第一阻絕層之間。第一外漏場施加層產生平行於膜面的外漏磁場。第一反鐵磁層接觸所述第一外漏場施加層以定義第一外漏場施加層所產生的磁矩方向。
简体摘要：一种垂直磁化自旋轨道磁性组件。垂直磁化自旋轨道磁性组件包括重金属层、磁穿隧接面、第一反铁磁层、第一阻绝层以及第一外漏场施加层。磁穿隧接面设置于重金属层上。第一阻绝层设置于磁穿隧接面与第一反铁磁层之间。第一外漏场施加层设置于第一反铁磁层与第一阻绝层之间。第一外漏场施加层产生平行于膜面的外漏磁场。第一反铁磁层接触所述第一外漏场施加层以定义第一外漏场施加层所产生的磁矩方向。

4. 发明专利

TWI521674B 電阻式記憶元件及其製造方法有权
简体标题：电阻式记忆组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI521674B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW100136379
申请日：2011-10-05
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳維恕 , CHEN, WEI SU , 陳達 , CHEN, FREDERICK T , 楊姍意 , YANG, SHAN YI , 陳鵬升 , CHEN, PENG SHENG
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1691

5. 发明专利

TW201316488A 電阻式記憶元件及其製造方法审中-公开
简体标题：电阻式记忆组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201316488A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW100136379
申请日：2011-10-05
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳維恕 , CHEN, WEI SU , 陳達 , CHEN, FREDERICK T , 楊姍意 , YANG, SHAN YI , 陳鵬升 , CHEN, PENG SHENG
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1691
摘要：一種電阻式記憶元件的製造方法。此方法包括在絕緣層中形成下電極與杯狀電極。杯狀電極的底部與下電極接觸。形成在第一方向延伸的遮蔽層，此遮蔽層覆蓋杯狀電極所圍區域的第一表面，裸露出杯狀電極所圍區域的第二表面以及第三表面。於絕緣層上方形成犧牲層。形成在第二方向延伸的堆疊結構，其覆蓋杯狀電極所圍區域之第二表面上方以及對應的部分遮蔽層。於堆疊結構與犧牲層上形成導體間隙壁材料層。以犧牲層為蝕刻終止層，蝕刻導體間隙壁材料層，以於堆疊結構的側壁形成導體間隙壁。移除部分的犧牲層，裸露出部分遮蔽層的表面以及杯狀電極所圍區域的第三表面。形成可變電阻層，覆蓋堆疊結構、導體間隙壁、遮蔽層以及杯狀電極所圍區域的第三表面。
简体摘要：一种电阻式记忆组件的制造方法。此方法包括在绝缘层中形成下电极与杯状电极。杯状电极的底部与下电极接触。形成在第一方向延伸的屏蔽层，此屏蔽层覆盖杯状电极所围区域的第一表面，裸露出杯状电极所围区域的第二表面以及第三表面。于绝缘层上方形成牺牲层。形成在第二方向延伸的堆栈结构，其覆盖杯状电极所围区域之第二表面上方以及对应的部分屏蔽层。于堆栈结构与牺牲层上形成导体间隙壁材料层。以牺牲层为蚀刻终止层，蚀刻导体间隙壁材料层，以于堆栈结构的侧壁形成导体间隙壁。移除部分的牺牲层，裸露出部分屏蔽层的表面以及杯状电极所围区域的第三表面。形成可变电阻层，覆盖堆栈结构、导体间隙壁、屏蔽层以及杯状电极所围区域的第三表面。

6. 发明专利

TW201448300A 垂直磁化穿隧式磁阻元件及其製造方法审中-公开
简体标题：垂直磁化穿隧式磁阻组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201448300A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102137939
申请日：2013-10-21
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 楊姍意 , YANG, SHAN YI , 王泳弘 , WANG, YUNG HUNG
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , H01L43/12
摘要：一種垂直磁化穿隧式磁阻元件，包括參考層、穿隧介電層、自由層以及覆蓋層。穿隧介電層覆蓋於參考層上。自由層覆蓋於穿隧介電層上。覆蓋層覆蓋於自由層上，覆蓋層是由鎂、鋁以及氧所組成。
简体摘要：一种垂直磁化穿隧式磁阻组件，包括参考层、穿隧介电层、自由层以及覆盖层。穿隧介电层覆盖于参考层上。自由层覆盖于穿隧介电层上。覆盖层覆盖于自由层上，覆盖层是由镁、铝以及氧所组成。

7. 发明专利

TW201333946A 上固定型垂直磁化穿隧磁阻元件审中-公开
简体标题：上固定型垂直磁化穿隧磁阻组件
公开(公告)号：TW201333946A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101104902
申请日：2012-02-15
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：王泳弘 , WANG, YUNG HUNG , 沈桂弘 , SHEN, KUEI HUNG , 王丁勇 , WANG, DING YEONG , 楊姍意 , YANG, SHAN YI
IPC分类号： G11C11/16 , H01L43/12 , C23C14/06
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286
摘要：一種上固定型垂直磁化穿隧磁阻元件，包括底電極、非鐵磁性間隔物、自由層、穿隧絕緣層、合成式反鐵磁參考層以及上電極。非鐵磁性間隔物位於底電極上。自由層位於非鐵磁性間隔物上。穿隧絕緣層位於自由層上。合成式反鐵磁參考層位於穿隧絕緣層上。合成式反鐵磁參考層包括參考下層、參考中間層以及參考上層。參考下層位於穿隧絕緣層上。參考中間層位於參考下層上，且參考中間層為Ru層。參考上層位於參考中間層上。參考上層的磁化量大於參考下層的磁化量。上電極位於合成式反鐵磁參考層上。
简体摘要：一种上固定型垂直磁化穿隧磁阻组件，包括底电极、非铁磁性间隔物、自由层、穿隧绝缘层、合成式反铁磁参考层以及上电极。非铁磁性间隔物位于底电极上。自由层位于非铁磁性间隔物上。穿隧绝缘层位于自由层上。合成式反铁磁参考层位于穿隧绝缘层上。合成式反铁磁参考层包括参考下层、参考中间层以及参考上层。参考下层位于穿隧绝缘层上。参考中间层位于参考下层上，且参考中间层为Ru层。参考上层位于参考中间层上。参考上层的磁化量大于参考下层的磁化量。上电极位于合成式反铁磁参考层上。

8. 发明专利

TW201327794A 電阻式隨機存取記憶體及其製作方法审中-公开
简体标题：电阻式随机存取内存及其制作方法
公开(公告)号：TW201327794A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100148956
申请日：2011-12-27
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳維恕 , CHEN, WEI SU , 吳岱原 , WU, TAI YUAN , 楊姍意 , YANG, SHAN YI , 陳鵬升 , CHEN, PENG SHENG , 陳達 , CHEN, FREDERICK T.
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
摘要：本發明揭示一種電阻式隨機存取記憶體，其包括：一第一電極層，包含一鈦層及一氮化鈦層，該氮化鈦層形成於該鈦層上；一氧化鉭層，形成於該第一電極層上，該氧化鉭層係由基本上為化學計量的五氧化二鉭(Ta2O5)所組成；以及一第二電極層，包含第一層及第二層，該第一層係由鉭所組成，且形成於該氧化鉭層上；該第二層係由氮化鈦所組成，且形成於該第一層上。其中該氧化鉭層係由複數個被電漿氧化的五氧化二鉭層堆疊而成。
简体摘要：本发明揭示一种电阻式随机存取内存，其包括：一第一电极层，包含一钛层及一氮化钛层，该氮化钛层形成于该钛层上；一氧化钽层，形成于该第一电极层上，该氧化钽层系由基本上为化学计量的五氧化二钽(Ta2O5)所组成；以及一第二电极层，包含第一层及第二层，该第一层系由钽所组成，且形成于该氧化钽层上；该第二层系由氮化钛所组成，且形成于该第一层上。其中该氧化钽层系由复数个被等离子氧化的五氧化二钽层堆栈而成。

9. 发明专利

TWI398973B 垂直式磁性磁阻元件結構有权
简体标题：垂直式磁性磁阻组件结构
公开(公告)号：TWI398973B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW098146384
申请日：2009-12-31
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：王泳弘 , WANG, YUNG HUNG , 顏誠廷 , YEN, CHENG TYNG , 楊姍意 , YANG, SHAN YI
IPC分类号： H01L43/02
CPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10

10. 发明专利

TWI613845B 垂直磁化自旋軌道磁性元件有权
简体标题：垂直磁化自旋轨道磁性组件
公开(公告)号：TWI613845B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105124742
申请日：2016-08-04
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李欣翰 , LEE, HSIN-HAN , 楊姍意 , YANG, SHAN-YI , 陳佑昇 , CHEN, YU-SHENG , 張耀仁 , CHANG, YAO-JEN
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/18 , H01L43/02 , H01L43/10

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