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    • 2. 发明专利
    • 雷射刻印製程
    • 激光刻印制程
    • TW202021707A
    • 2020-06-16
    • TW107144645
    • 2018-12-11
    • 財團法人工業技術研究院INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
    • 李姿儀LI, ZIH-YI楊映暉YANG, YING-HUI曹宏熙TSAU, HONG-XI林盈佐LIN, YING-TSO陳智禮CHEN, CHIH-LI
    • B23K26/32B23K26/50
    • 一種雷射刻印製程,其步驟包括如下:提供雷射光源,且此雷射光源適於發出雷射光束。提供目標層,目標層具有彼此相對的第一表面以及第二表面,其中目標層對於雷射光束的吸收率小於等於1%。設置犧牲層於目標層上,且犧牲層與第一表面與第二表面的其中之一者接觸,其中犧牲層對於雷射光束的吸收率大於等於5%,且犧牲層的汽化溫度大於目標層的熔點溫度。開啟雷射光源,發出雷射光束並使雷射光束沿著一行進路徑照射犧牲層,以將在行進路徑上的犧牲層汽化而將一圖案刻印至目標層上,在照射的過程中雷射光束的平均功率大於15瓦特。
    • 一种激光刻印制程,其步骤包括如下:提供激光光源,且此激光光源适于发出激光光束。提供目标层,目标层具有彼此相对的第一表面以及第二表面,其中目标层对于激光光束的吸收率小于等于1%。设置牺牲层于目标层上,且牺牲层与第一表面与第二表面的其中之一者接触,其中牺牲层对于激光光束的吸收率大于等于5%,且牺牲层的汽化温度大于目标层的熔点温度。打开激光光源,发出激光光束并使激光光束沿着一行进路径照射牺牲层,以将在行进路径上的牺牲层汽化而将一图案刻印至目标层上,在照射的过程中激光光束的平均功率大于15瓦特。