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1. 发明专利

TWI595695B 有機發光二極體之製作方法及其結構有权
简体标题：有机发光二极管之制作方法及其结构
公开(公告)号：TWI595695B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW105129889
申请日：2016-09-13
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：顏璽軒 , YEN, HSI-HSUAN , 林偉桀 , LIN, WEI-CHIEH
IPC分类号： H01L51/56 , H01L27/32

2. 发明专利

TWI590498B 電子元件的轉移方法及電子元件陣列有权
简体标题：电子组件的转移方法及电子组件数组
公开(公告)号：TWI590498B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102119638
申请日：2013-06-03
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 吳明憲 , WU, MING HSIEN , 朱盈蒨 , CHU, YING CHIEN , 鐘基瑞 , CHUNG, CHI JUI
IPC分类号： H01L33/62

3. 发明专利

TW201523921A 發光裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201523921A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW102146203
申请日：2013-12-13
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：吳明憲 , WU, MING HSIEN , 鐘基瑞 , CHUNG, CHI JUI , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 戴光佑 , TAI, KUANG YU
IPC分类号： H01L33/36
摘要：一種發光裝置及其製造方法，發光裝置包括一發光二極體晶片及一金屬反射層。發光二極體晶片包括一第一半導體層、一第二半導體層及一發光層。第一半導體層具有相對之一第一連接面及一出光面。第二半導體層具有相對之一第二連接面及一反射面。第一連接面及第二連接面彼此面對。反射面設有至少一凹陷。發光層設置於第一半導體層之第一連接面及第二半導體層之第二連接面之間。凹陷貫穿發光層及第二半導體層，且凹陷之底部位於第一連接面及出光面之間。金屬反射層設置於之反射面且電性連接於第二半導體層。
简体摘要：一种发光设备及其制造方法，发光设备包括一发光二极管芯片及一金属反射层。发光二极管芯片包括一第一半导体层、一第二半导体层及一发光层。第一半导体层具有相对之一第一连接面及一出光面。第二半导体层具有相对之一第二连接面及一反射面。第一连接面及第二连接面彼此面对。反射面设有至少一凹陷。发光层设置于第一半导体层之第一连接面及第二半导体层之第二连接面之间。凹陷贯穿发光层及第二半导体层，且凹陷之底部位于第一连接面及出光面之间。金属反射层设置于之反射面且电性连接于第二半导体层。

4. 发明专利

TW201044557A 發光裝置 LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：发光设备 LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201044557A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW099118621
申请日：2010-06-08
申请人：財團法人工業技術研究院 , 晶元光電股份有限公司
发明人：葉文勇 , 顏璽軒 , 陳澤澎
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： H01L27/156 , H01L23/60 , H01L25/167 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2924/12032 , H01L2924/19105 , H01L2924/00
摘要：一種發光裝置包含複數個微型二極體,其互相電連接以構成一橋式整流器電路。橋式整流器電路之每個分支包含單一微型二極體或複數個微型二極體。發光裝置係電連接至交流(AC)電源,其在兩個電流迴路中交替驅動發光裝置。因此,在橋式整流器電路之兩個電流迴路中之微型二極體輪流發光。
简体摘要：一种发光设备包含复数个微型二极管,其互相电连接以构成一桥式整流器电路。桥式整流器电路之每个分支包含单一微型二极管或复数个微型二极管。发光设备系电连接至交流(AC)电源,其在两个电流回路中交替驱动发光设备。因此,在桥式整流器电路之两个电流回路中之微型二极管轮流发光。

5. 发明专利

TWI318466B 具有三接點之AC_LED單一晶片 AC_LED SINGLE CHIP WITH THREE TERMINALS 有权
简体标题：具有三接点之AC_LED单一芯片 AC_LED SINGLE CHIP WITH THREE TERMINALS
公开(公告)号：TWI318466B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW095146116
申请日：2006-12-08
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林明德 , 葉文勇 , 郭家彰 , 顏璽軒 , 黃勝邦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05B33/0803 , H05B33/0809 , H05B33/0821
摘要：將多組AC_LED串列製作於同一半導體基材上，製作出具有三接點之AC_LED單一晶片結構，適用於三相位電壓源；也可以製作出具有四接點之AC_LED單一晶片結構，適用四相位電壓源控制之AC_LED單一晶片。 An AC LED with three terminals is disclosed and driven with three-phase voltage sources. An AC LED with four terminals is also disclosed and driven with four-phase voltage sources. 【創作特點】本案技藝以AC_LED作為基本單元，將三組AC_LED串列於半導體製程中，製作導線串接，構成一個等效於三角型接線之結構，產生一個適用於三相位電壓源控制之AC_LED單一晶片。
本案技藝以AC_LED為基本單元，將三組AC_LED串列於半導體製程中，製作導線串接，構成一個等效於Y型接線之結構，產生一個適用於三相位電壓源、或是四相位電壓源控制之AC_LED單一晶片。
简体摘要：将多组AC_LED串行制作于同一半导体基材上，制作出具有三接点之AC_LED单一芯片结构，适用于三相位电压源；也可以制作出具有四接点之AC_LED单一芯片结构，适用四相位电压源控制之AC_LED单一芯片。 An AC LED with three terminals is disclosed and driven with three-phase voltage sources. An AC LED with four terminals is also disclosed and driven with four-phase voltage sources. 【创作特点】本案技艺以AC_LED作为基本单元，将三组AC_LED串行于半导体制程中，制作导线串接，构成一个等效于三角型接线之结构，产生一个适用于三相位电压源控制之AC_LED单一芯片。本案技艺以AC_LED为基本单元，将三组AC_LED串行于半导体制程中，制作导线串接，构成一个等效于Y型接线之结构，产生一个适用于三相位电压源、或是四相位电压源控制之AC_LED单一芯片。

6. 发明专利

TW201810761A 有機發光二極體之製作方法及其結構审中-公开
简体标题：有机发光二极管之制作方法及其结构
公开(公告)号：TW201810761A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105129889
申请日：2016-09-13
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：顏璽軒 , YEN, HSI-HSUAN , 林偉桀 , LIN, WEI-CHIEH
IPC分类号： H01L51/56 , H01L27/32
摘要：一種有機發光二極體的結構，包括一基板；一阻擋結構，位於該基板上，該阻擋結構沿該基板的邊緣設置，且該阻擋結構包圍該基板的一第一部份；一光萃取層，位於該基板的該第一部份上；一第一電極，位於該光萃取層上；一有機發光層，位於該第一電極層上；一第二電極，位於該有機發光層上；一封裝層，位於該第二電極上且覆蓋該阻擋結構；以及一封裝蓋，透過一框膠連接至該阻擋結構且設置於該封裝層上。
简体摘要：一种有机发光二极管的结构，包括一基板；一阻挡结构，位于该基板上，该阻挡结构沿该基板的边缘设置，且该阻挡结构包围该基板的一第一部份；一光萃取层，位于该基板的该第一部份上；一第一电极，位于该光萃取层上；一有机发光层，位于该第一电极层上；一第二电极，位于该有机发光层上；一封装层，位于该第二电极上且覆盖该阻挡结构；以及一封装盖，透过一框胶连接至该阻挡结构且设置于该封装层上。

7. 发明专利

TWI565118B 封裝膜材與電子元件封裝體有权
简体标题：封装膜材与电子组件封装体
公开(公告)号：TWI565118B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104138194
申请日：2015-11-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳信助 , CHEN, HSIN-CHU , 葉文勇 , YEH, WEN-YUNG , 張宏毅 , CHANG, HUNG-YI , 顏璽軒 , YEN, HSI-HSUAN , 宋兆峰 , SUNG, CHAO-FENG , 劉玟泓 , LIU, WEN-HONG , 余明爵 , YU, MING-JIUE
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/54 , H01L51/56 , B32B27/00

8. 发明专利

TWI553933B 發光元件、電極結構與其製作方法有权
简体标题：发光组件、电极结构与其制作方法
公开(公告)号：TWI553933B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW104120972
申请日：2015-06-29
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳長營 , CHEN, CHANG YING , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 劉軍廷 , LIU, CHUN TING
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/56

9. 发明专利

TW201620177A 封裝膜材與電子元件封裝體审中-公开
简体标题：封装膜材与电子组件封装体
公开(公告)号：TW201620177A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104138194
申请日：2015-11-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳信助 , CHEN, HSIN-CHU , 葉文勇 , YEH, WEN-YUNG , 張宏毅 , CHANG, HUNG-YI , 顏璽軒 , YEN, HSI-HSUAN , 宋兆峰 , SUNG, CHAO-FENG , 劉玟泓 , LIU, WEN-HONG , 余明爵 , YU, MING-JIUE
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/54 , H01L51/56 , B32B27/00
摘要：一種封裝膜材，適於對一電子元件進行封裝，此封裝膜材包括一載板、一離形層、一散熱層以及一膠層，其中離形層配置於載板上，而散熱層配置於離形層與膠層之間。
简体摘要：一种封装膜材，适于对一电子组件进行封装，此封装膜材包括一载板、一离形层、一散热层以及一胶层，其中离形层配置于载板上，而散热层配置于离形层与胶层之间。

10. 发明专利

TW201336065A 發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201336065A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102105341
申请日：2013-02-08
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 刁國棟 , TIAO, KUO TUNG , 趙嘉信 , CHAO, CHIA HSIN , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 吳明憲 , WU, MING HSIEN , 林瑞映 , LIN, JUI YING , 朱盈蒨 , CHU, YING CHIEN
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/48 , F21K9/90 , F21Y2113/20 , F21Y2115/10 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/483 , H01L33/60 , H01L2224/95136 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要：一種發光元件的製造方法。提供一基板。在基板上形成多個第一凹槽及多個第二凹槽，其中各第一凹槽的容積不同於各第二凹槽的容積。提供多個第一發光二極體晶粒及多個第二發光二極體晶粒，其中各第一發光二極體晶粒的體積對應於各第一凹槽的容積，各第二發光二極體晶粒的體積對應於各第二凹槽的容積。將這些第一發光二極體晶粒移至基板上，以使這些第一發光二極體晶粒進入這些第一凹槽，且將這些第二發光二極體晶粒移至基板上，以使這些第二發光二極體晶粒進入這些第二凹槽。
简体摘要：一种发光组件的制造方法。提供一基板。在基板上形成多个第一凹槽及多个第二凹槽，其中各第一凹槽的容积不同于各第二凹槽的容积。提供多个第一发光二极管晶粒及多个第二发光二极管晶粒，其中各第一发光二极管晶粒的体积对应于各第一凹槽的容积，各第二发光二极管晶粒的体积对应于各第二凹槽的容积。将这些第一发光二极管晶粒移至基板上，以使这些第一发光二极管晶粒进入这些第一凹槽，且将这些第二发光二极管晶粒移至基板上，以使这些第二发光二极管晶粒进入这些第二凹槽。

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