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    • 4. 发明专利
    • 記憶體架構
    • 内存架构
    • TW201545170A
    • 2015-12-01
    • TW103117529
    • 2014-05-19
    • 補丁科技股份有限公司PIECEMAKERS TECHNOLOGY, INC.
    • 丁達剛TING, TAH KANG王智彬WANG, GYH BIN
    • G11C8/08G11C8/14
    • G11C11/4087G11C5/025G11C8/10G11C8/12G11C11/4085
    • 一種記憶體架構,包含K條第一字元線、M組第二字元線與記憶體單元陣列。K與M為正整數。每一組第二字元線包含複數條第二字元線。該記憶體單元陣列包含M個記憶庫。每一記憶庫包含排列成複數列與複數行之複數個記憶體單元。該M個記憶庫均耦接於該K條第一字元線但分別耦接於該M組第二字元線。該M個記憶庫經由該K條第一字元線接收一組第一字元線訊號,及分別經由該M組第二字元線接收M組第二字元線訊號。每一記憶庫依據該組第一字元線訊號及相對應之一組第二字元線訊號來進行資料存取。
    • 一种内存架构,包含K条第一字符线、M组第二字符线与内存单元数组。K与M为正整数。每一组第二字符线包含复数条第二字符线。该内存单元数组包含M个记忆库。每一记忆库包含排列成复数列与复数行之复数个内存单元。该M个记忆库均耦接于该K条第一字符线但分别耦接于该M组第二字符线。该M个记忆库经由该K条第一字符线接收一组第一字符线信号,及分别经由该M组第二字符线接收M组第二字符线信号。每一记忆库依据该组第一字符线信号及相对应之一组第二字符线信号来进行数据存取。