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1. 发明专利

TWI545215B 真空鍍膜裝置有权
简体标题：真空镀膜设备
公开(公告)号：TWI545215B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW103131945
申请日：2014-09-16
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH ATOMIC ENERGY COUNCIL, EXECUTIVE YUAN
发明人：謝政昌 , HSIEH, CHENG CHANG , 林登連 , LIN, DENG LAIN , 蔡文發 , TSAI, WEN FA , 陳恩仕 , CHEN, EN SHIH , 艾啓峰 , AI, CHI FONG
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/562 , C23C14/325

3. 发明专利

TW201612339A 真空鍍膜裝置审中-公开
简体标题：真空镀膜设备
公开(公告)号：TW201612339A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103131945
申请日：2014-09-16
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH ATOMIC ENERGY COUNCIL, EXECUTIVE YUAN
发明人：謝政昌 , HSIEH, CHENG CHANG , 林登連 , LIN, DENG LAIN , 蔡文發 , TSAI, WEN FA , 陳恩仕 , CHEN, EN SHIH , 艾啓峰 , AI, CHI FONG
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/562 , C23C14/325
摘要：一種真空鍍膜裝置，包括至少一腔體、至少一電弧放電電漿源、收放料裝置及滾輪組；腔體具有第一開口與第二開口，第一開口與第二開口連通收放料裝置，以提供一基材移動進入及離開腔體，基材具有相對之第一面及第二面；電弧放電電漿源設置於腔體內且用以產生電漿，電漿以電弧放電電漿源為中心呈放射狀發散；滾輪組包括複數第一滾輪，複數第一滾輪設置於腔體內且環繞設置於電弧放電電漿源外圍，基材之第一面朝向複數第一滾輪且貼靠於複數第一滾輪之外圍，由基材移動且帶動第一滾輪轉動，電漿蒸發之材料則附著於基材之第一面。
简体摘要：一种真空镀膜设备，包括至少一腔体、至少一电弧放电等离子源、收放料设备及滚轮组；腔体具有第一开口与第二开口，第一开口与第二开口连通收放料设备，以提供一基材移动进入及离开腔体，基材具有相对之第一面及第二面；电弧放电等离子源设置于腔体内且用以产生等离子，等离子以电弧放电等离子源为中心呈放射状发散；滚轮组包括复数第一滚轮，复数第一滚轮设置于腔体内且环绕设置于电弧放电等离子源外围，基材之第一面朝向复数第一滚轮且贴靠于复数第一滚轮之外围，由基材移动且带动第一滚轮转动，等离子蒸发之材料则附着于基材之第一面。

4. 发明专利

TWI417417B 無電極與薄膜污染之大面積大氣電漿鍍膜裝置有权
简体标题：无电极与薄膜污染之大面积大气等离子镀膜设备
公开(公告)号：TWI417417B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW099131375
申请日：2010-09-16
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR RESEARCH
发明人：吳敏文 , WU, MIEN WIN , 蔡丁貴 , TSAI, DING GUEY , 張慧良 , CHANG, HWEI LANG , 林登連 , LIN, DENG LAIN , 謝政昌 , HSIEH, CHENG CHANG , 艾啟峰 , AI, CHI FONG
IPC分类号： C23C16/54

5. 发明专利

TW201812896A 高頻電漿裝置审中-公开
简体标题：高频等离子设备
公开(公告)号：TW201812896A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105114913
申请日：2016-05-13
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH, ATOMIC ENERGY COUNCIL, EXECUTIVE YUAN, R. O. C
发明人：陳信良 , CHEN, HSIN LIANG , 謝政昌 , HSIEH, CHENG CHANG , 林登連 , LIN, DENG LAIN , 曾慶沛 , TSENG, CHING PEI , 楊明忠 , YANG, MING CHUNG
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32128 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32577 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3325
摘要：本發明係揭露一種高頻電漿裝置，其包含一反應器腔體、一第一電極、一第二電極以及至少於其中一電極上設置複數個饋入點。設置複數個饋入點之目的在於同時產生具不同時間和空間分布之第一駐波和第二駐波，藉由適當調整第一駐波和第二駐波之振幅與其之間的時間和空間相位差，可有效改善高頻電漿之放電均勻性。
简体摘要：本发明系揭露一种高频等离子设备，其包含一反应器腔体、一第一电极、一第二电极以及至少于其中一电极上设置复数个馈入点。设置复数个馈入点之目的在于同时产生具不同时间和空间分布之第一驻波和第二驻波，借由适当调整第一驻波和第二驻波之振幅与其之间的时间和空间相位差，可有效改善高频等离子之放电均匀性。

6. 发明专利

TW201417112A 低放射性廢棄物電弧熔融爐與兩段式洩漿裝置审中-公开
简体标题：低放射性废弃物电弧熔融炉与两段式泄浆设备
公开(公告)号：TW201417112A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101140213
申请日：2012-10-30
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR RESEARCH
发明人：李文成 , LEE, WEN CHENG , 李永武 , LEE, YUNG WOU , 林登連 , LIN, DENG LIAN , 曾錦清 , TZENG, CHIN CHING
IPC分类号： G21F9/30
摘要：一種低放射性廢棄物電弧熔融爐與兩段式洩漿裝置，主要包含一進料單元；一與進料單元連通之電弧熔融爐單元，其係為一密閉腔體，以石墨電極當熱源，電弧熔融爐分有二腔室，一為熔融腔室，一為持溫腔室，持溫腔室有電熱元件加熱，以維持一定溫度，持溫腔室內置一坩堝，坩堝底部開一孔洞；以及一與電弧熔融爐單元連通之洩漿單元，可使低放射性廢棄物於熔融腔室加熱成熔漿再溢流至持溫腔室坩堝內，再自坩堝底部孔洞流至下方盛裝桶內，盛裝桶周圍有冷卻裝置。藉此，可使電弧熔融爐熔融處理低放射性廢棄物可獲得高減容比效果及密實之熔漿岩塊，又電弧熔融爐運轉過程中，可避免輻射外洩與符合廢氣環保法規之目標。
简体摘要：一种低放射性废弃物电弧熔融炉与两段式泄浆设备，主要包含一进料单元；一与进料单元连通之电弧熔融炉单元，其系为一密闭腔体，以石墨电极当热源，电弧熔融炉分有二腔室，一为熔融腔室，一为持温腔室，持温腔室有电热组件加热，以维持一定温度，持温腔室内置一坩埚，坩埚底部开一孔洞；以及一与电弧熔融炉单元连通之泄浆单元，可使低放射性废弃物于熔融腔室加热成熔浆再溢流至持温腔室坩埚内，再自坩埚底部孔洞流至下方盛装桶内，盛装桶周围有冷却设备。借此，可使电弧熔融炉熔融处理低放射性废弃物可获得高减容比效果及密实之熔浆岩块，又电弧熔融炉运转过程中，可避免辐射外泄与符合废气环保法规之目标。

7. 发明专利

TWI386112B 射頻中空陰極電漿源產生裝置有权
简体标题：射频中空阴极等离子源产生设备
公开(公告)号：TWI386112B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW097131946
申请日：2008-08-21
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：曾慶沛 , TSENG, CHING PEI , 謝政昌 , HSIEH, CHENG CHANG , 艾啟峰 , AI, CHI FONG , 李佳誠 , LEE, CHIA CHENG , 林登連 , LIN, DENG LAIN
IPC分类号： H05H1/24

8. 发明专利

TW201706435A 卷對卷模組化電漿複合製程設備审中-公开
简体标题：卷对卷模块化等离子复合制程设备
公开(公告)号：TW201706435A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW104125687
申请日：2015-08-06
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH, ATOMIC ENERGY COUNCIL, EXECUTIVE YUAN, R. O. C
发明人：謝政昌 , HSIEH, CHENG CHANG , 林登連 , LIN, DENG LAIN , 曾慶沛 , TSENG, CHING PEI , 蔡文發 , TSAI, WEN FA , 陳駿昇 , CHEN, JIUN SHEN , 艾啓峰 , AI, CHI FONG
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/32899 , C23C14/325 , C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C14/568 , H01J37/32055 , H01J37/32477 , H01J37/32743 , H01J37/3277 , H01J37/3405 , H01J2237/327 , H01J2237/3322
摘要：一種卷對卷模組化電漿複合製程設備，包括至少一電弧電漿製程腔室、至少一磁控濺射電漿製程單元、一金屬薄膜及至少一收放料裝置；電弧電漿製程單元由一第一腔體與一電弧電漿源構成；磁控濺射電漿製程單元由一第二腔體與一磁控濺射電漿源構成；金屬薄膜設置於電弧電漿製程單元內，用以隔絕電弧電漿蒸發發射之材料附著於第一腔體壁上；收放料裝置用以送出或收捲基材；至少一電弧電漿製程單元、至少一磁控濺射電漿製程單元與至少一收放料裝置相互串聯，使基材於送出或收捲之過程中，於基材表面形成至少一層電弧電漿鍍膜或至少一層磁控濺射電漿鍍膜。
简体摘要：一种卷对卷模块化等离子复合制程设备，包括至少一电弧等离子制程腔室、至少一磁控溅射等离子制程单元、一金属薄膜及至少一收放料设备；电弧等离子制程单元由一第一腔体与一电弧等离子源构成；磁控溅射等离子制程单元由一第二腔体与一磁控溅射等离子源构成；金属薄膜设置于电弧等离子制程单元内，用以隔绝电弧等离子蒸发发射之材料附着于第一腔体壁上；收放料设备用以送出或收卷基材；至少一电弧等离子制程单元、至少一磁控溅射等离子制程单元与至少一收放料设备相互串联，使基材于送出或收卷之过程中，于基材表面形成至少一层电弧等离子镀膜或至少一层磁控溅射等离子镀膜。

9. 发明专利

TWI480890B 低放射性廢棄物電弧熔融爐與兩段式洩漿裝置有权
简体标题：低放射性废弃物电弧熔融炉与两段式泄浆设备
公开(公告)号：TWI480890B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101140213
申请日：2012-10-30
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR RESEARCH
发明人：李文成 , LEE, WEN CHENG , 李永武 , LEE, YUNG WOU , 林登連 , LIN, DENG LIAN , 曾錦清 , TZENG, CHIN CHING
IPC分类号： G21F9/30

10. 发明专利

TWI453295B 氣體隔離腔及其電漿鍍膜裝置有权
简体标题：气体隔离腔及其等离子镀膜设备
公开(公告)号：TWI453295B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW101137743
申请日：2012-10-12
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH ATOMIC ENERGY COUNCIL, EXECUTIVE YUAN
发明人：謝政昌 , HSIEH, CHENG CHANG , 林登連 , LIN, DENG LAIN , 曾慶沛 , TSENG, CHING PEI , 吳錦裕 , WU, JIN YU , 陳駿昇 , CHEN, JIUN SHEN , 艾啟峰 , AI, CHI FONG
IPC分类号： C23C14/56 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/46 , C23C16/545

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