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1. 发明专利

TWI591680B 電漿處理系統及配置電漿處理系統的方法有权
简体标题：等离子处理系统及配置等离子处理系统的方法
公开(公告)号：TWI591680B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW101144352
申请日：2012-11-27
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：爾拉安東尼德拉 , LLERA, ANTHONY DE LA , 克拉吉麥可C , KELLOGG, MICHAEL C. , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32577

2. 发明专利

TWI504317B 受夾固之單晶噴淋頭電極組件有权
简体标题：受夹固之单晶喷淋头电极组件
公开(公告)号：TWI504317B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW098122907
申请日：2009-07-07
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡德克達言巴柏克 , KADKHODAYAN, BABAK , 漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER , 爾拉安東尼德拉 , LLERA, ANTHONY DE LA , 克拉吉麥可C , KELLOGG, MICHAEL C.
IPC分类号： H05H1/30 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32605

3. 发明专利

TWI536871B 單體噴淋頭電極、包含單體噴淋頭電極之電極組件、及利用單體噴淋頭電極在電漿室內處理半導體基板之方法有权
简体标题：单体喷淋头电极、包含单体喷淋头电极之电极组件、及利用单体喷淋头电极在等离子室内处理半导体基板之方法
公开(公告)号：TWI536871B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW098122904
申请日：2009-07-07
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：派崔克瑞哲 , PATRICK, ROGER , 貝藤寇特桂格R , BETTENCOURT, GREGORY R. , 克拉吉麥可C , KELLOGG, MICHAEL C.
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/38
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32605 , Y10S403/12 , Y10S403/13

4. 发明专利

TW201335966A 電漿處理室中之可移動接地配置及其方法审中-公开
简体标题：等离子处理室中之可移动接地配置及其方法
公开(公告)号：TW201335966A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101144352
申请日：2012-11-27
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：爾拉安東尼德拉 , LLERA, ANTHONY DE LA , 克拉吉麥可C , KELLOGG, MICHAEL C. , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32577
摘要：一種具有至少一個電漿處理腔室的電漿處理系統，包含：可移動接地元件；RF接觸元件，在RF源提供RF能量至該RF接觸元件時，該RF接觸元件從該RF源接受該RF能量；及耦合至地的地接觸元件。該電漿處理系統更包含一致動器，其操作性連接至該可移動接地元件以將該可移動接地元件置放於第一位置及第二位置。該第一位置係該可移動接地元件未和該RF接觸元件及該地接觸元件之至少一者接觸之位置。該第二位置係該可移動接地元件和該RF接觸元件及該地接觸元件二者接觸之位置。
简体摘要：一种具有至少一个等离子处理腔室的等离子处理系统，包含：可移动接地组件；RF接触组件，在RF源提供RF能量至该RF接触组件时，该RF接触组件从该RF源接受该RF能量；及耦合至地的地接触组件。该等离子处理系统更包含一致动器，其操作性连接至该可移动接地组件以将该可移动接地组件置放于第一位置及第二位置。该第一位置系该可移动接地组件未和该RF接触组件及该地接触组件之至少一者接触之位置。该第二位置系该可移动接地组件和该RF接触组件及该地接触组件二者接触之位置。

5. 发明专利

TWI591681B 電漿處理室中之氣體供給插件及其方法有权
简体标题：等离子处理室中之气体供给插件及其方法
公开(公告)号：TWI591681B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW101144353
申请日：2012-11-27
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：爾拉安東尼德拉 , LLERA, ANTHONY DE LA , 克拉吉麥可C , KELLOGG, MICHAEL C. , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , Y10T29/49002

6. 发明专利

TWI533372B 噴淋頭電極有权
简体标题：喷淋头电极
公开(公告)号：TWI533372B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW100131305
申请日：2011-08-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：爾拉安東尼德拉 , LLERA, ANTHONY DE LA , 曼基迪普瑞提克 , MANKIDY, PRATIK , 克拉吉麥可C , KELLOGG, MICHAEL C. , 漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01R13/20

7. 发明专利

TW201434086A 壓力控制熱管溫度控制板审中-公开
简体标题：压力控制热管温度控制板
公开(公告)号：TW201434086A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102137246
申请日：2013-10-16
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：克拉吉麥可C , KELLOGG, MICHAEL C. , 漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER , 史帝文生湯姆 , STEVENSON, TOM
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/02
CPC分类号： H01J37/32449
摘要：一種用於電漿處理腔室的噴淋頭電極組件，包含一噴淋頭電極；一加熱板，固定至噴淋頭電極；至少一個壓力控制熱管，固定至加熱板的上表面，該至少一個壓力控制熱管具有容納於其中的一傳熱液，及一加壓氣體，該加壓氣體產生可變內壓於該至少一個壓力控制熱管內；一頂板，固定至該至少一個熱管的上表面；及其中在藉由加熱板加熱噴淋頭電極期間，該至少一個壓力控制熱管內的可變內壓從頂板和加熱板之間的熱途徑移開傳熱液，且當從噴淋頭電極中移除多餘熱量時，將傳熱液返回該熱途徑。
简体摘要：一种用于等离子处理腔室的喷淋头电极组件，包含一喷淋头电极；一加热板，固定至喷淋头电极；至少一个压力控制热管，固定至加热板的上表面，该至少一个压力控制热管具有容纳于其中的一传热液，及一加压气体，该加压气体产生可变内压于该至少一个压力控制热管内；一顶板，固定至该至少一个热管的上表面；及其中在借由加热板加热喷淋头电极期间，该至少一个压力控制热管内的可变内压从顶板和加热板之间的热途径移开传热液，且当从喷淋头电极中移除多余热量时，将传热液返回该热途径。

8. 发明专利

TW201331980A 電漿處理室中之氣體供給插件及其方法审中-公开
简体标题：等离子处理室中之气体供给插件及其方法
公开(公告)号：TW201331980A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101144353
申请日：2012-11-27
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：爾拉安東尼德拉 , LLERA, ANTHONY DE LA , 克拉吉麥可C , KELLOGG, MICHAEL C. , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , Y10T29/49002
摘要：一種配置成設在通過電極組件的通道中之氣體供給插件，包含其中具有與氣體供給插件的線性軸平行對準之第一孔洞的第一插件末端。氣體供給插件更包含相對第一插件末端的第二插件末端，第二插件末端中具有與氣體供給插件的線性軸平行對準的第二孔洞，及與第一孔洞和第二孔洞氣流連通的孔對孔通道。孔對孔通道形成於氣體供給插件之外表面，以在氣體從第一插件末端經由孔對孔通道流至第二插件末端時防止直視線。
简体摘要：一种配置成设在通过电极组件的信道中之气体供给插件，包含其中具有与气体供给插件的线性轴平行对准之第一孔洞的第一插件末端。气体供给插件更包含相对第一插件末端的第二插件末端，第二插件末端中具有与气体供给插件的线性轴平行对准的第二孔洞，及与第一孔洞和第二孔洞气流连通的孔对孔信道。孔对孔信道形成于气体供给插件之外表面，以在气体从第一插件末端经由孔对孔信道流至第二插件末端时防止直视线。

9. 发明专利

TWI611477B 壓力控制熱管溫度控制板有权
简体标题：压力控制热管温度控制板
公开(公告)号：TWI611477B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW102137246
申请日：2013-10-16
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：克拉吉麥可C , KELLOGG, MICHAEL C. , 漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER , 史帝文生湯姆 , STEVENSON, TOM
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/02
CPC分类号： H01J37/32449

10. 发明专利

TW201521075A 具有可移除的本體之電漿處理室审中-公开
简体标题：具有可移除的本体之等离子处理室
公开(公告)号：TW201521075A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103127517
申请日：2014-08-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：克拉吉麥可C , KELLOGG, MICHAEL C. , 布朗丹尼爾A , BROWN, DANIEL A.
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32458 , H01J37/32082 , H01J37/32513
摘要：本發明係關於一種用以電漿處理晶圓的裝置。提供一底板。具有一晶圓孔的一管狀腔室壁係鄰接於該底板。一底部可移除密封件在該底板與該管狀腔室壁的第一端之間提供真空密封。一頂板係鄰接於該管狀腔室壁。一頂部可移除密封件在該管狀腔室壁的第二端與該頂板之間提供真空密封。提供一垂直密封件，於該垂直密封件處，該管狀腔室壁的垂直移動允許該垂直密封件在該晶圓孔周圍產生密封。一底部對準導引件使該管狀腔室壁與該底板對準。一頂部對準導引件使該頂板與該管狀腔室壁對準。一晶圓夾頭係配置在該底板與該頂板之間。
简体摘要：本发明系关于一种用以等离子处理晶圆的设备。提供一底板。具有一晶圆孔的一管状腔室壁系邻接于该底板。一底部可移除密封件在该底板与该管状腔室壁的第一端之间提供真空密封。一顶板系邻接于该管状腔室壁。一顶部可移除密封件在该管状腔室壁的第二端与该顶板之间提供真空密封。提供一垂直密封件，于该垂直密封件处，该管状腔室壁的垂直移动允许该垂直密封件在该晶圆孔周围产生密封。一底部对准导引件使该管状腔室壁与该底板对准。一顶部对准导引件使该顶板与该管状腔室壁对准。一晶圆夹头系配置在该底板与该顶板之间。

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