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1. 发明专利

TWI511206B 藉由三維整合技術製造高效能碳奈米管電晶體積體電路的方法有权
简体标题：借由三维集成技术制造高性能碳奈米管晶体管集成电路的方法
公开(公告)号：TWI511206B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW100123694
申请日：2011-07-05
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：阿佛里斯費頓 , AVOURIS, PHAEDON , 陳冠年 , CHEN, KUAN NENG , 林佑明 , LIN, YU MING
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/768 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/50 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L23/4827 , H01L2221/1094 , H01L2221/68359 , H01L2224/83894 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046

2. 发明专利

TWI518905B 具有自我對準閘極之石墨烯電晶體有权
简体标题：具有自我对准闸极之石墨烯晶体管
公开(公告)号：TWI518905B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW100123364
申请日：2011-07-01
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：阿佛里斯費頓 , AVOURIS, PHAEDON , 法莫戴蒙B , FARMER, DAMON B. , 林佑明 , LIN, YU MING , 朱煜 , ZHU, YU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78684

3. 发明专利

TW201212235A 具有自我對準閘極之石墨烯電晶體 A GRAPHENE TRANSISTOR WITH A SELF-ALIGNED GATE 审中-公开
简体标题：具有自我对准闸极之石墨烯晶体管 A GRAPHENE TRANSISTOR WITH A SELF-ALIGNED GATE
公开(公告)号：TW201212235A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100123364
申请日：2011-07-01
申请人：萬國商業機器公司
发明人：阿佛里斯費頓 , 法莫戴蒙B , 林佑明 , 朱煜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78684
摘要：一種石墨烯基場效電晶體包括源極電極及汲極電極,該等源極電極及汲極電極自我對準於閘極電極。在經佈局圖樣(patterned)之石墨烯層上沈積晶種層及介電金屬氧化物層之堆疊。在介電金屬氧化物層上方形成第一金屬部分及第二金屬部分之導電材料堆疊。使用第二金屬部分橫向蝕刻第一金屬部分,且移除介電金屬氧化物層之曝露部分以形成閘極結構,在該閘極結構中第二金屬部分懸於(overhangs)第一金屬部分之上。在定向(directional)沈積製程期間,移除晶種層且使用懸垂物來遮蔽在閘極結構周圍之鄰近區域,以形成源極電極及汲極電極,該等源極電極及汲極電極自我對準且與閘極電極之邊緣最低限度地橫向間隔開。
简体摘要：一种石墨烯基场效应管包括源极电极及汲极电极,该等源极电极及汲极电极自我对准于闸极电极。在经布局图样(patterned)之石墨烯层上沉积晶种层及介电金属氧化物层之堆栈。在介电金属氧化物层上方形成第一金属部分及第二金属部分之导电材料堆栈。使用第二金属部分横向蚀刻第一金属部分,且移除介电金属氧化物层之曝露部分以形成闸极结构,在该闸极结构中第二金属部分悬于(overhangs)第一金属部分之上。在定向(directional)沉积制程期间,移除晶种层且使用悬垂物来屏蔽在闸极结构周围之邻近区域,以形成源极电极及汲极电极,该等源极电极及汲极电极自我对准且与闸极电极之边缘最低限度地横向间隔开。

4. 发明专利

TWI427029B 藉由官能基化來選擇性地放置奈米碳管的方法有权
简体标题：借由官能基化来选择性地放置奈米碳管的方法
公开(公告)号：TWI427029B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW096100101
申请日：2007-01-02
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：阿非札里阿達卡尼阿里 , AFZALI-ARDAKANI, ALI , 阿佛里斯費頓 , AVOURIS, PHAEDON , 漢農詹姆士B , HANNON, JAMES B. , 克林凱克利斯汀 , KLINKE, CHRISTIAN
IPC分类号： C01B31/02 , C07C245/16 , C07C245/02 , B82B3/00 , H01L29/772
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/28 , H01B1/04 , Y10S977/742 , Y10S977/847

5. 发明专利

TW201218285A 藉由三維整合技術製造高效能碳奈米管電晶體積體電路的方法 A METHOD TO FABRICATE HIGH PERFORMANCE CARBON NANOTUBE TRANSISTOR INTEGRATED CIRCUITS BY THREE-DIMENSIONAL INTEGRATION TECHNOLOGY 审中-公开
简体标题：借由三维集成技术制造高性能碳奈米管晶体管集成电路的方法 A METHOD TO FABRICATE HIGH PERFORMANCE CARBON NANOTUBE TRANSISTOR INTEGRATED CIRCUITS BY THREE-DIMENSIONAL INTEGRATION TECHNOLOGY
公开(公告)号：TW201218285A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100123694
申请日：2011-07-05
申请人：萬國商業機器公司
发明人：阿佛里斯費頓 , 陳冠年 , 林佑明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/768 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/50 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L23/4827 , H01L2221/1094 , H01L2221/68359 , H01L2224/83894 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046
摘要：本發明提供用於製造基於碳奈米管之裝置之技術。在一個態樣中,提供用於製造基於碳奈米管之積體電路之方法。該方法包含以下步驟。提供包含碳奈米管之第一晶圓。提供包含一或更多裝置元件之第二晶圓。藉由將第一晶圓與第二晶圓結合在一起,使碳奈米管中之一或更多者與裝置元件中之一或更多者連接。亦提供基於碳奈米管之積體電路。
简体摘要：本发明提供用于制造基于碳奈米管之设备之技术。在一个态样中,提供用于制造基于碳奈米管之集成电路之方法。该方法包含以下步骤。提供包含碳奈米管之第一晶圆。提供包含一或更多设备组件之第二晶圆。借由将第一晶圆与第二晶圆结合在一起,使碳奈米管中之一或更多者与设备组件中之一或更多者连接。亦提供基于碳奈米管之集成电路。

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