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1. 发明专利

TW201729376A 功率器件及製備方法审中-公开
简体标题：功率器件及制备方法
公开(公告)号：TW201729376A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105103974
申请日：2016-02-05
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：張曉天 , ZHANG, XIAOTIAN , 瑪力卡勒強斯瓦密雪克 , MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 胡照群 , OH, CHEOW KHOON , 何約瑟 , HO, YUEH-SE
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/52 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/40 , H01L2224/73257
摘要：本發明涉及到一種可實現電壓切換的電源管理裝置，尤其是涉及到低階金氧半場效電晶體(MOSFET)晶片和高階MOSFET晶片並整合成控制積體電路(IC)的電壓轉換裝置及其製備方法。一個第一晶片以覆晶方式倒裝在第一安裝區域，第一晶片正面的金屬襯墊與位於第一安裝區域的焊墊對接；一個第二晶片以覆晶方式倒裝在第二安裝區域，第二晶片正面的金屬襯墊與位於第二安裝區域的焊墊墊對接；以及一個導電結構連接在結合墊和第一晶片背面的金屬層之間，一個封裝體覆蓋在基板正面，將第一晶片、第二晶片和導電結構包覆在內。
简体摘要：本发明涉及到一种可实现电压切换的电源管理设备，尤其是涉及到低级金氧半场效应管(MOSFET)芯片和高级MOSFET芯片并集成成控制集成电路(IC)的电压转换设备及其制备方法。一个第一芯片以覆晶方式倒装在第一安装区域，第一芯片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊垫对接；一个第二芯片以覆晶方式倒装在第二安装区域，第二芯片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊垫垫对接；以及一个导电结构连接在结合垫和第一芯片背面的金属层之间，一个封装体覆盖在基板正面，将第一芯片、第二芯片和导电结构包覆在内。

2. 发明专利

TW201727778A 用於帶有厚背面金屬化的模壓晶片級封裝的晶圓製程审中-公开
简体标题：用于带有厚背面金属化的模压芯片级封装的晶圆制程
公开(公告)号：TW201727778A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105102272
申请日：2016-01-25
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：薛彥迅 , XUE, YANXUN , 哈姆扎依瑪茲 , HAMZA, YILMAZ , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 魯軍 , LU, JUN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 連國峰 , LIAN, GUO FENG
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/304
CPC分类号： H01L2224/73253
摘要：本發明涉及一種用於模壓晶片級封裝的晶圓製程，包括：在晶圓上的晶片焊接墊上沉積金屬凸塊；在晶圓正面製備第一封裝層，覆蓋金屬凸塊；在晶圓的邊緣處製備未覆蓋環，使複數個劃線中每個劃線的兩端都裸露出來；削薄第一封裝層，使金屬凸塊裸露出來；製備切割槽；研磨晶圓的背面，在晶圓邊緣處形成凹陷空間及支撐環；在凹陷空間中晶圓的背面沉積金屬種子層；切除晶圓的邊緣部分；在基板上翻轉並安裝晶圓；沉積覆蓋著金屬種子層的金屬層；從晶圓上除去基板；藉由沿劃線切割第一封裝層、晶圓、金屬種子層及金屬層，使單獨的晶片與晶圓分離。
简体摘要：本发明涉及一种用于模压芯片级封装的晶圆制程，包括：在晶圆上的芯片焊接垫上沉积金属凸块；在晶圆正面制备第一封装层，覆盖金属凸块；在晶圆的边缘处制备未覆盖环，使复数个划线中每个划线的两端都裸露出来；削薄第一封装层，使金属凸块裸露出来；制备切割槽；研磨晶圆的背面，在晶圆边缘处形成凹陷空间及支撑环；在凹陷空间中晶圆的背面沉积金属种子层；切除晶圆的边缘部分；在基板上翻转并安装晶圆；沉积覆盖着金属种子层的金属层；从晶圆上除去基板；借由沿划线切割第一封装层、晶圆、金属种子层及金属层，使单独的芯片与晶圆分离。

3. 发明专利

TWI529868B 多晶片混合封裝的半導體器件及其製備方法有权
简体标题：多芯片混合封装的半导体器件及其制备方法
公开(公告)号：TWI529868B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW102128309
申请日：2013-08-07
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 魯軍 , LU, JUN , 威爾遜彼得 , WILSON, PETER , 霍炎 , HUO, YAN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 魯明朕 , LU, MING-CHEN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/58
CPC分类号： H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

4. 发明专利

TW201603201A 嵌入式封裝及封裝方法审中-公开
简体标题：嵌入式封装及封装方法
公开(公告)号：TW201603201A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103123370
申请日：2014-07-07
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 潘華 , PAN, HUA , 魯明朕 , LU, MING-CHEN , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 魯軍 , LU, JUN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/24 , H01L2224/40245
摘要：本發明公開嵌入式封裝，包含：預填塑封料的引線框架，及設置其上的複數個晶片，預填塑材料填充引線框架鏤空結構，使引線框架形成一平面無鏤空整體；圍繞引線框架分佈設置的引腳；金屬片，連接在部分晶片上；第一層壓層，其包覆在晶片、引線框架、金屬片和引腳上；對應引腳、以及各個晶片中用於連接各個引腳的區域處，第一層壓層設有由晶片或引腳的表面至第一層壓層外表面的導電結構；各個晶片需連接引腳處的導電結構與引腳或其他晶片的導電結構電性連接。本發明將多晶片嵌入在預製的引線框架上，並被包覆在層壓層中藉由導電結構連接，提高熱性能和電性能，便於完成柔性功率和邏輯混合設計，具有三維堆疊能力，可進行系統級封裝。
简体摘要：本发明公开嵌入式封装，包含：预填塑封料的引线框架，及设置其上的复数个芯片，预填塑材料填充引线框架镂空结构，使引线框架形成一平面无镂空整体；围绕引线框架分布设置的引脚；金属片，连接在部分芯片上；第一层压层，其包覆在芯片、引线框架、金属片和引脚上；对应引脚、以及各个芯片中用于连接各个引脚的区域处，第一层压层设有由芯片或引脚的表面至第一层压层外表面的导电结构；各个芯片需连接引脚处的导电结构与引脚或其他芯片的导电结构电性连接。本发明将多芯片嵌入在预制的引线框架上，并被包覆在层压层中借由导电结构连接，提高热性能和电性能，便于完成柔性功率和逻辑混合设计，具有三维堆栈能力，可进行系统级封装。

5. 发明专利

TW201608687A 用於帶有厚背面金屬化的模壓晶片級封裝的晶圓製作方法审中-公开
简体标题：用于带有厚背面金属化的模压芯片级封装的晶圆制作方法
公开(公告)号：TW201608687A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103129914
申请日：2014-08-29
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 依瑪茲哈姆紥 , YILMAZ, HAMZA , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 魯軍 , LU, JUN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 連國峰 , LIAN, GUO FENG , 付紅霞 , FU, HONG XIA , 龔玉平 , GONG, YU PING
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：本發明提出了一種用於MCSP的晶圓製作方法，包括：在晶片的焊盤上沉積一個金屬凸起；在晶圓的前表面上製備一個第一封裝層，覆蓋金屬凸起；同時在晶圓邊緣製備一個未覆蓋環，使位於兩個相鄰晶片之間的每條劃線末端裸露出來；減薄第一封裝層，使金屬凸起裸露出來；研磨晶圓背面，在晶圓背部形成一個凹陷和一個支撐環；在凹陷中晶圓的背面，依次沉積一個金屬種子層和一個厚金屬層；並且透過沿劃線切割第一封裝層、晶圓、金屬種子層和厚金屬層，將單個晶片和晶圓分離。
简体摘要：本发明提出了一种用于MCSP的晶圆制作方法，包括：在芯片的焊盘上沉积一个金属凸起；在晶圆的前表面上制备一个第一封装层，覆盖金属凸起；同时在晶圆边缘制备一个未覆盖环，使位于两个相邻芯片之间的每条划线末端裸露出来；减薄第一封装层，使金属凸起裸露出来；研磨晶圆背面，在晶圆背部形成一个凹陷和一个支撑环；在凹陷中晶圆的背面，依次沉积一个金属种子层和一个厚金属层；并且透过沿划线切割第一封装层、晶圆、金属种子层和厚金属层，将单个芯片和晶圆分离。

6. 发明专利

TW201528467A 抑制爬電現象的半導體裝置及製備方法审中-公开
简体标题：抑制爬电现象的半导体设备及制备方法
公开(公告)号：TW201528467A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103100948
申请日：2014-01-10
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 依瑪茲哈姆扎 , YILMAZ, HAMZA , 魯軍 , LU, JUN , 王飛 , WANG, FEI
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要：本發明涉及一種半導體裝置，尤其涉及一種最佳化爬電距離的功率裝置及其製備方法。具有一個晶片安裝單元，晶片安裝單元包括基座和一些引腳，並排的引腳間以非等距離方式設置並位於基座的一側緣附近，一個晶片粘附在基座上，一個塑封體包覆基座、晶片，塑封體包括一個塑封延伸部包覆引腳的至少一部分來獲得引腳間的一個較好的電氣安全距離，以便改善裝置的電壓爬電距離。
简体摘要：本发明涉及一种半导体设备，尤其涉及一种最优化爬电距离的功率设备及其制备方法。具有一个芯片安装单元，芯片安装单元包括基座和一些引脚，并排的引脚间以非等距离方式设置并位于基座的一侧缘附近，一个芯片粘附在基座上，一个塑封体包覆基座、芯片，塑封体包括一个塑封延伸部包覆引脚的至少一部分来获得引脚间的一个较好的电气安全距离，以便改善设备的电压爬电距离。

7. 发明专利

TWI567889B 用於帶有厚背面金屬化的模壓晶片級封裝的晶圓製作方法有权
简体标题：用于带有厚背面金属化的模压芯片级封装的晶圆制作方法
公开(公告)号：TWI567889B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103129914
申请日：2014-08-29
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 依瑪茲哈姆紥 , YILMAZ, HAMZA , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 魯軍 , LU, JUN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 連國峰 , LIAN, GUO FENG , 付紅霞 , FU, HONG XIA , 龔玉平 , GONG, YU PING
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11

8. 发明专利

TWI560816B 嵌入式封裝及封裝方法有权
简体标题：嵌入式封装及封装方法
公开(公告)号：TWI560816B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW103123370
申请日：2014-07-07
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 潘華 , PAN, HUA , 魯明朕 , LU, MING-CHEN , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 魯軍 , LU, JUN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/24 , H01L2224/40245

9. 发明专利

TW201608677A 功率半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：功率半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201608677A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103128267
申请日：2014-08-18
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：霍炎 , HUO, YAN , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 魯軍 , LU, JUN , 魯明朕 , LU, MING-CHEN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 龔德梅 , GONG, DEMEI
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/561 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/06181 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2224/83
摘要：本發明是關於一種具備高效散熱功效和具有超薄尺寸的功率半導體及其製造方法。在薄膜層覆蓋於金屬基座的上置部分上表面之上的區域設置貫穿薄膜層的數個接觸孔，在薄膜層覆蓋於金屬基座的下置部分上表面之上的區域設置貫穿薄膜層的至少一個開口，晶片黏貼於開口處，其中上置部分的上表面暴露於每個接觸孔的區域處皆安置有一個金屬凸塊，並且晶片頂面的每個電極之上也至少安置有一個金屬凸塊。
简体摘要：本发明是关于一种具备高效散热功效和具有超薄尺寸的功率半导体及其制造方法。在薄膜层覆盖于金属基座的上置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的数个接触孔，在薄膜层覆盖于金属基座的下置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的至少一个开口，芯片黏贴于开口处，其中上置部分的上表面暴露于每个接触孔的区域处皆安置有一个金属凸块，并且芯片顶面的每个电极之上也至少安置有一个金属凸块。

10. 发明专利

TWI509770B 集成堆疊式多晶片的半導體器件及其制備方法有权
简体标题：集成堆栈式多芯片的半导体器件及其制备方法
公开(公告)号：TWI509770B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102146696
申请日：2013-12-17
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 魯軍 , LU, JUN , 張曉天 , ZHANG, XIAOTIAN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 魯明朕 , LU, MING CHEN , 趙良 , ZHAO, LIANG , 龔玉平 , GONG, YUPING , 連國峰 , LIAN, GUO FENG
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

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