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1. 发明专利

TW202022993A 電阻式隨機存取記憶體审中-公开
简体标题：电阻式随机存取内存
公开(公告)号：TW202022993A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107144636
申请日：2018-12-11
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：吳伯倫 , WU, BO-LUN , 白昌宗 , PAI, CHANG-TSUNG , 林銘哲 , LIN, MING-CHE , 林孟弘 , LIN, MENG-HUNG
IPC分类号： H01L21/8239
摘要：本發明實施例提供一種電阻式隨機存取記憶體（resistive random access memory，RRAM）。RRAM包括下電極、上電極、第一可變電阻層以及第二可變電阻層。下電極設置於基底上，且為單一電極或彼此電性相連的電極對。上電極設置於下電極上，且重疊於下電極。第一可變電阻層與第二可變電阻層設置於基底上。至少一部分的第一可變電阻層設置於下電極與上電極之間，且至少一部分的第二可變電阻層設置於下電極與上電極之間並連接於第一可變電阻層。
简体摘要：本发明实施例提供一种电阻式随机存取内存（resistive random access memory，RRAM）。RRAM包括下电极、上电极、第一可变电阻层以及第二可变电阻层。下电极设置于基底上，且为单一电极或彼此电性相连的电极对。上电极设置于下电极上，且重叠于下电极。第一可变电阻层与第二可变电阻层设置于基底上。至少一部分的第一可变电阻层设置于下电极与上电极之间，且至少一部分的第二可变电阻层设置于下电极与上电极之间并连接于第一可变电阻层。

2. 发明专利

TWI530950B 電阻式記憶體及其修補方法有权
简体标题：电阻式内存及其修补方法
公开(公告)号：TWI530950B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW103141781
申请日：2014-12-02
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林孟弘 , LIN, MENG HUNG , 吳伯倫 , WU, BO LUN , 沈鼎瀛 , SHEN, TING YING
IPC分类号： G11C13/00 , G11C29/04
CPC分类号： G11C13/0097 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0092

3. 发明专利

TWI521758B 電阻式記憶體及其製造方法有权
简体标题：电阻式内存及其制造方法
公开(公告)号：TWI521758B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW102132266
申请日：2013-09-06
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：沈鼎瀛 , SHEN, TING YING , 林孟弘 , LIN, MENG HENG , 吳伯倫 , WU, BO LUN , 李彥德 , LEE, YEN DE , 江明崇 , CHIANG, MING CHUNG
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/28 , G11C13/00

4. 发明专利

TWI508341B 電阻式隨機存取記憶體及其製造方法有权
简体标题：电阻式随机存取内存及其制造方法
公开(公告)号：TWI508341B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW103112331
申请日：2014-04-02
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：何家驊 , HO, CHIA HUA , 張碩哲 , CHANG, SHUO CHE , 廖修漢 , LIAO, HSIU HAN , 許博硯 , HSU, PO YEN , 林孟弘 , LIN, MENG HENG , 吳伯倫 , WU, BO LUN , 沈鼎瀛 , SHEN, TING YING
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16

5. 发明专利

TW201539814A 電阻式隨機存取記憶體及其製造方法审中-公开
简体标题：电阻式随机存取内存及其制造方法
公开(公告)号：TW201539814A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103112331
申请日：2014-04-02
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：何家驊 , HO, CHIA HUA , 張碩哲 , CHANG, SHUO CHE , 廖修漢 , LIAO, HSIU HAN , 許博硯 , HSU, PO YEN , 林孟弘 , LIN, MENG HENG , 吳伯倫 , WU, BO LUN , 沈鼎瀛 , SHEN, TING YING
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要：一種電阻式隨機存取記憶體，包括第一電極層、第二電極層以及設置在該第一電極層和該第二電極層之間的可變電阻層，其中該第二電極層包括第一子層、第二子層和設置在該第一子層和該第二子層之間的導電性金屬氮氧化物層。
简体摘要：一种电阻式随机存取内存，包括第一电极层、第二电极层以及设置在该第一电极层和该第二电极层之间的可变电阻层，其中该第二电极层包括第一子层、第二子层和设置在该第一子层和该第二子层之间的导电性金属氮氧化物层。

6. 发明专利

TW201638946A 電阻式隨機存取記憶體审中-公开
简体标题：电阻式随机存取内存
公开(公告)号：TW201638946A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104113408
申请日：2015-04-27
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：陳達 , CHEN, FREDERICK , 王炳琨 , WANG, PING KUN , 廖紹憬 , LIAO, SHAO CHING , 林孟弘 , LIN, MENG HUNG
IPC分类号： G11C11/401 , G11C13/00
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要：一種電阻式隨機存取記憶體，包括第一電極、第二電極以及設置於第一電極與第二電極之間的可變電阻氧化物層。所述電阻式隨機存取記憶體更包括氧交換層、富氧層及第一氧阻障層。氧交換層設置於可變電阻氧化物層與第二電極之間。富氧層設置於氧交換層與第二電極之間。第一氧阻障層設置於氧交換層與富氧層之間。
简体摘要：一种电阻式随机存取内存，包括第一电极、第二电极以及设置于第一电极与第二电极之间的可变电阻氧化物层。所述电阻式随机存取内存更包括氧交换层、富氧层及第一氧阻障层。氧交换层设置于可变电阻氧化物层与第二电极之间。富氧层设置于氧交换层与第二电极之间。第一氧阻障层设置于氧交换层与富氧层之间。

7. 发明专利

TW201601155A 電阻式記憶體及其控制方法與記憶胞审中-公开
简体标题：电阻式内存及其控制方法与记忆胞
公开(公告)号：TW201601155A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103121669
申请日：2014-06-24
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林孟弘 , LIN, MENG HENG , 吳健民 , WU, CHIEN MIN , 吳伯倫 , WU, BO LUN , 黃科穎 , HUANG, KOYING
IPC分类号： G11C16/06
摘要：一種電阻式記憶體，包括一第一解碼單元、一第二解碼單元、一控制偵測單元以及複數記憶胞。第一解碼單元透過至少一字元線，傳送至少一字元信號。第二解碼單元透過至少一位元線，傳送至少一位元信號。控制偵測單元透過至少一源極線，傳送至少一源極信號。每一記憶胞包括一電晶體以及一可變電阻。可變電阻耦接於電晶體之一第一端與位元線之間。電晶體之一第二端耦接源極線。在一設定期間，源極信號為一固定位準，位元信號不為固定位準。在一重置期間以及一讀取期間，源極信號不為固定位準，位元信號為固定位準。
简体摘要：一种电阻式内存，包括一第一译码单元、一第二译码单元、一控制侦测单元以及复数记忆胞。第一译码单元透过至少一字符线，发送至少一字符信号。第二译码单元透过至少一比特线，发送至少一比特信号。控制侦测单元透过至少一源极线，发送至少一源极信号。每一记忆胞包括一晶体管以及一可变电阻。可变电阻耦接于晶体管之一第一端与比特线之间。晶体管之一第二端耦接源极线。在一设置期间，源极信号为一固定位准，比特信号不为固定位准。在一重置期间以及一读取期间，源极信号不为固定位准，比特信号为固定位准。

8. 发明专利

TW201543485A 電阻式記憶體之形成以及測試方法审中-公开
简体标题：电阻式内存之形成以及测试方法
公开(公告)号：TW201543485A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103116485
申请日：2014-05-09
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林孟弘 , LIN, MENG HENG , 吳伯倫 , WU, BO LUN
IPC分类号： G11C13/00 , H01L45/00
摘要：一種電阻式記憶體。一記憶體陣列包括複數電阻式記憶胞。一處理模組用以依序提供一第一形成電壓以及一第二形成電壓至上述電阻式記憶胞，以便將上述電阻式記憶胞由一絕緣狀態切換成一阻抗狀態。上述處理模組提供一重置電壓至上述電阻式記憶胞，以便將上述電阻式記憶胞之上述阻抗狀態轉變為一第一阻抗。上述處理模組提供一設定電壓至上述電阻式記憶胞，以便將上述電阻式記憶胞之上述阻抗狀態由上述第一阻抗轉變為一第二阻抗。上述設定電壓係大於上述第二形成電壓，以及上述第二形成電壓係大於上述第一形成電壓。
简体摘要：一种电阻式内存。一内存数组包括复数电阻式记忆胞。一处理模块用以依序提供一第一形成电压以及一第二形成电压至上述电阻式记忆胞，以便将上述电阻式记忆胞由一绝缘状态切换成一阻抗状态。上述处理模块提供一重置电压至上述电阻式记忆胞，以便将上述电阻式记忆胞之上述阻抗状态转变为一第一阻抗。上述处理模块提供一设置电压至上述电阻式记忆胞，以便将上述电阻式记忆胞之上述阻抗状态由上述第一阻抗转变为一第二阻抗。上述设置电压系大于上述第二形成电压，以及上述第二形成电压系大于上述第一形成电压。

9. 发明专利

TWI488347B 記憶體元件的形成方法有权
简体标题：内存组件的形成方法
公开(公告)号：TWI488347B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW103112803
申请日：2014-04-08
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林孟弘 , LIN, MENG HENG , 吳伯倫 , WU, BO LUN
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1641 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146

10. 发明专利

TWI691023B 電阻式隨機存取記憶體有权
简体标题：电阻式随机存取内存
公开(公告)号：TWI691023B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107144636
申请日：2018-12-11
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：吳伯倫 , WU, BO-LUN , 白昌宗 , PAI, CHANG-TSUNG , 林銘哲 , LIN, MING-CHE , 林孟弘 , LIN, MENG-HUNG
IPC分类号： H01L21/8239

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