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    • 7. 发明专利
    • 量測目標之方法、度量衡設備、偏光器總成
    • 量测目标之方法、度量衡设备、偏光器总成
    • TW201833681A
    • 2018-09-16
    • TW106142682
    • 2017-12-06
    • 荷蘭商ASML荷蘭公司ASML NETHERLANDS B.V.
    • 帕迪 尼特許PANDEY, NITESH周子理ZHOU, ZILI
    • G03F7/20
    • 本發明揭示量測藉由一微影程序而形成之一目標之方法、一種度量衡設備及一種偏光器總成。該目標包含具有一第一層中之一第一週期性結構及一第二層中之一第二週期性結構的一分層結構。運用偏光量測輻射照明該目標。偵測來自該目標之零階散射輻射。使用來自該目標之該經偵測零階散射輻射來導出該第一週期性結構中之一不對稱性。該第一層與該第二層之間的一分離度係使得該經偵測零階散射輻射與該第一週期性結構與該第二週期性結構之間的疊對誤差無關。該第一週期性結構中之該經導出不對稱性係用以導出該第一週期性結構與該第二週期性結構之間的正確疊對值。
    • 本发明揭示量测借由一微影进程而形成之一目标之方法、一种度量衡设备及一种偏光器总成。该目标包含具有一第一层中之一第一周期性结构及一第二层中之一第二周期性结构的一分层结构。运用偏光量测辐射照明该目标。侦测来自该目标之零阶散射辐射。使用来自该目标之该经侦测零阶散射辐射来导出该第一周期性结构中之一不对称性。该第一层与该第二层之间的一分离度系使得该经侦测零阶散射辐射与该第一周期性结构与该第二周期性结构之间的叠对误差无关。该第一周期性结构中之该经导出不对称性系用以导出该第一周期性结构与该第二周期性结构之间的正确叠对值。