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1. 发明专利

TWI422798B 加工終點檢測方法、研磨方法及研磨裝置有权
简体标题：加工终点检测方法、研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TWI422798B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW096137408
申请日：2007-10-05
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION , 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：清水展 , SHIMIZU, NOBURU , 大田真朗 , OHTA, SHINRO , 丸山浩二 , MARUYAMA, KOJI , 小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 三谷隆一郎 , MITANI, RYUICHIRO , 中井俊輔 , NAKAI, SHUNSUKE , 重田厚 , SHIGETA, ATSUSHI
IPC分类号： G01B11/06 , H01L21/304
CPC分类号： B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TWI415710B 磨光裝置及磨光方法有权
简体标题：磨光设备及磨光方法
公开(公告)号：TWI415710B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW094135639
申请日：2005-10-13
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：窪田壯男 , KUBOTA, TAKEO , 重田厚 , SHIGETA, ATSUSHI , 豊田現 , TOYOTA, GEN , 高橋圭瑞 , TAKAHASHI, TAMAMI , 福岡大作 , FUKUOKA, DAISAKU , 伊藤賢也 , ITO, KENYA
IPC分类号： B24B21/16 , B24B9/06 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02021 , B24B9/065 , B24B21/002

3. 发明专利

TWI440525B 研磨裝置及研磨方法有权
简体标题：研磨设备及研磨方法
公开(公告)号：TWI440525B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW097125167
申请日：2008-07-04
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：福島大 , FUKUSHIMA, DAI , 重田厚 , SHIGETA, ATSUSHI , 高橋圭瑞 , TAKAHASHI, TAMAMI , 伊藤賢也 , ITO, KENYA , 關正也 , SEKI, MASAYA , 草宏明 , KUSA, HIROAKI
IPC分类号： B24B21/08 , B24B9/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B21/002 , B24B9/065 , H01L21/02021

4. 发明专利

TWI432700B 研磨裝置及研磨方法有权
简体标题：研磨设备及研磨方法
公开(公告)号：TWI432700B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW096111981
申请日：2007-04-04
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION , 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：多田光男 , TADA, MITSUO , 高橋太郎 , TAKAHASHI, TARO , 新島元博 , NIIJIMA, MOTOHIRO , 大田真朗 , OHTA, SHINRO , 重田厚 , SHIGETA, ATSUSHI
IPC分类号： G01B7/06
CPC分类号： B24B37/005 , B24B49/105 , B24B49/12

5. 发明专利

TWI354598B 基板處理方法失效
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TWI354598B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW097112893
申请日：2008-04-09
申请人：東芝股份有限公司
发明人：重田厚 , 福島大 , 矢野博之
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B9/065 , B24B21/002
摘要：本發明有關一種用以研磨半導體基板周緣部的基板處理方法，係使固定有磨粒之第1研磨面接觸於半導體基板之周緣部之狀態下，藉由滑動半導體基板與第1研磨面，而研磨半導體基板之周緣部，其中上述磨粒係以對於氧化矽系或氮化矽系之膜具有化學效果之粒子為主成分。再者，使固定有磨粒之第2研磨面接觸於半導體基板之周緣部狀態下，藉由滑動半導體基板與第2研磨面，而研磨半導體基板之周緣部，其中上述磨粒係以具有機械效果之粒子為主成分。
简体摘要：本发明有关一种用以研磨半导体基板周缘部的基板处理方法，系使固定有磨粒之第1研磨面接触于半导体基板之周缘部之状态下，借由滑动半导体基板与第1研磨面，而研磨半导体基板之周缘部，其中上述磨粒系以对于氧化硅系或氮化硅系之膜具有化学效果之粒子为主成分。再者，使固定有磨粒之第2研磨面接触于半导体基板之周缘部状态下，借由滑动半导体基板与第2研磨面，而研磨半导体基板之周缘部，其中上述磨粒系以具有机械效果之粒子为主成分。

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