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1. 发明专利

TWI489162B 有效率之背面發射／收集光柵耦合器及其製造方法有权
简体标题：有效率之背面发射／收集光栅耦合器及其制造方法
公开(公告)号：TWI489162B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101145433
申请日：2012-12-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：那雲莊 , NA, YUN CHUNG N. , 榮海生 , RONG, HAISHENG
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： G02B6/12 , G02B6/1228 , G02B6/124 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/4204 , G02B6/4214

2. 发明专利

TWI483015B 包含高效絕緣層上覆矽光柵耦合器之裝置及系統，以及其之製造方法有权
简体标题：包含高效绝缘层上覆硅光栅耦合器之设备及系统，以及其之制造方法
公开(公告)号：TWI483015B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW101104207
申请日：2012-02-09
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：那雲莊 , NA, YUN CHUNG N. , 榮海生 , RONG, HAISHENG
IPC分类号： G02B6/34 , G02B6/12
CPC分类号： G01M11/00 , G02B6/1228 , G02B6/124

3. 发明专利

TWI453941B 單晶三端光偵測器有权
简体标题：单晶三端光侦测器
公开(公告)号：TWI453941B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW100142023
申请日：2011-11-17
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：那雲莊 , NA, YUN CHUNG N. , 康逸民 , KANG, YIMIN
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/107 , H01L31/105
CPC分类号： H01L31/02005 , G02B6/4295 , G02B2006/12097 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/1075 , Y02E10/547

4. 发明专利

TW201337371A 有效率之背面發射／收集光柵耦合器审中-公开
简体标题：有效率之背面发射／收集光栅耦合器
公开(公告)号：TW201337371A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101145433
申请日：2012-12-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：那雲莊 , NA, YUN CHUNG N. , 榮海生 , RONG, HAISHENG
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： G02B6/12 , G02B6/1228 , G02B6/124 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/4204 , G02B6/4214
摘要：光子積體電路(PIC)晶片係設有背面垂直光學耦合器且封裝成光學發射器/接收器。以光柵為基礎的背面垂直光學耦合器作用以將光經由PIC晶片基板的塊體厚度而耦合至薄膜層所界定的PIC晶片中的平面基板，或是將經過PIC晶片基板的塊體厚度之來自薄膜層界定的PIC晶片中的平面基板的光耦合，以經由被例如光纖等晶片之外的組件所佔據之PIC晶片的背面表發射/收集光。以光柵為基礎的背面垂直光學耦合器的實施例包含設有形成在薄膜的頂側表面中的光柵。反射器係配置在光柵耦合器之上，以將自光柵耦合器所發射出的光反射經過基板以從該PIC晶片的背面發射出，或是將從PIC晶片的背面所收集的光反射經過基板及至光柵耦合器。
简体摘要：光子集成电路(PIC)芯片系设有背面垂直光学耦合器且封装成光学发射器/接收器。以光栅为基础的背面垂直光学耦合器作用以将光经由PIC芯片基板的块体厚度而耦合至薄膜层所界定的PIC芯片中的平面基板，或是将经过PIC芯片基板的块体厚度之来自薄膜层界定的PIC芯片中的平面基板的光耦合，以经由被例如光纤等芯片之外的组件所占据之PIC芯片的背面表发射/收集光。以光栅为基础的背面垂直光学耦合器的实施例包含设有形成在薄膜的顶侧表面中的光栅。反射器系配置在光栅耦合器之上，以将自光栅耦合器所发射出的光反射经过基板以从该PIC芯片的背面发射出，或是将从PIC芯片的背面所收集的光反射经过基板及至光栅耦合器。

5. 发明专利

TW201240125A 單晶三端光偵測器 MONOLITHIC THREE TERMINAL PHOTODETECTOR 审中-公开
简体标题：单晶三端光侦测器 MONOLITHIC THREE TERMINAL PHOTODETECTOR
公开(公告)号：TW201240125A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100142023
申请日：2011-11-17
申请人：英特爾股份有限公司
发明人：那雲莊 , 康逸民
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/02005 , G02B6/4295 , G02B2006/12097 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/1075 , Y02E10/547
摘要：可操作成以超低電壓來達成光產生的載子之倍增的光偵測器。實施例包括第一p-i-n半導體接面與第二p-i-n半導體接面相結合,以構成具有至少三端子的單晶光偵測器。此二p-i-n結構可共用p-型區或n-型區,作為第一端子。與此共用端子的區域互補摻雜之此二p-i-n結構的區域構成第二端子及第三端子,使得第一p-i-n結構與第二p-i-n結構為並聯操作。第一p-i-n結構的倍增區係要將第二p-i-n結構的吸收區內光產生的電荷載子,與非累計之此共用第一端子與第二端子和第三端子的各者之間的電壓降相乘。
简体摘要：可操作成以超低电压来达成光产生的载子之倍增的光侦测器。实施例包括第一p-i-n半导体接面与第二p-i-n半导体接面相结合,以构成具有至少三端子的单晶光侦测器。此二p-i-n结构可共享p-型区或n-型区,作为第一端子。与此共享端子的区域互补掺杂之此二p-i-n结构的区域构成第二端子及第三端子,使得第一p-i-n结构与第二p-i-n结构为并联操作。第一p-i-n结构的倍增区系要将第二p-i-n结构的吸收区内光产生的电荷载子,与非累计之此共享第一端子与第二端子和第三端子的各者之间的电压降相乘。

6. 发明专利

TW201250313A 高效絕緣層上覆矽光柵耦合器 EFFICIENT SILICON-ON-INSULATOR GRATING COUPLER 审中-公开
简体标题：高效绝缘层上覆硅光栅耦合器 EFFICIENT SILICON-ON-INSULATOR GRATING COUPLER
公开(公告)号：TW201250313A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101104207
申请日：2012-02-09
申请人：英特爾股份有限公司
发明人：那雲莊 , 榮海生
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G01M11/00 , G02B6/1228 , G02B6/124
摘要：一種用於半導體光模態之有效率的光柵耦合器包含一錐形邊緣，用以耦合因波導厚度不同而受限制的波導模態之間的光。一光電路或雷射具有在一脊形或帶狀波導部分中之一波導，而該脊形或帶狀波導部分之高度不同於具有光在斷路下通過的一光柵耦合器的一波導部分之高度(例如，具有不同的垂直限制)。該錐形邊緣可在極低損耗及背向反射之情形下耦合該等兩個波導部分間之光。該低損耗及最小背向反射能夠測試晶圓級的光子電路，且能夠改善通過該光柵耦合器之效能。
简体摘要：一种用于半导体光模态之有效率的光栅耦合器包含一锥形边缘，用以耦合因波导厚度不同而受限制的波导模态之间的光。一光电路或激光具有在一嵴形或带状波导部分中之一波导，而该嵴形或带状波导部分之高度不同于具有光在断路下通过的一光栅耦合器的一波导部分之高度(例如，具有不同的垂直限制)。该锥形边缘可在极低损耗及背向反射之情形下耦合该等两个波导部分间之光。该低损耗及最小背向反射能够测试晶圆级的光子电路，且能够改善通过该光栅耦合器之性能。

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