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2. 发明专利

TW201340319A 巨電晶體裝置审中-公开
简体标题：巨晶体管设备
公开(公告)号：TW201340319A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101141365
申请日：2012-11-07
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：希馮恩珊米 , HYVONEN, SAMI , 瑞茲克傑德 , RIZK, JAD B. , 歐馬哈尼法蘭克 , O'MAHONY, FRANK
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/085
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L27/088 , H01L27/1211 , H01L29/42376 , H01L29/66181 , H01L29/785 , H01L29/93 , H01L29/94 , H03L7/099
摘要：本發明揭露多種巨電晶體結構。在一些情況下，類似於長通道電晶體，巨電晶體結構具有相同數量之端子與相同的特性，但適用於深次微米科技之深次微米製程節點中之類比電路。巨電晶體結構例如可由多個以串聯方式建構與排列之電晶體而將其各別之閘極連接所實現，通常在本文中稱為電晶體堆疊。在堆疊中的一個或更多串列電晶體可由多個並列電晶體所實現及/或其臨界電壓與在該堆疊中之其他電晶體的臨界電壓不同。可替換或另外地，在巨電晶體中的一個或更多串列電晶體可被靜態或動態地控制，以調整巨電晶體的效能特性。巨電晶體可用於多種電路中，諸如變容器、電壓控制振盪器、鎖相迴路及可調電路。
简体摘要：本发明揭露多种巨晶体管结构。在一些情况下，类似于长信道晶体管，巨晶体管结构具有相同数量之端子与相同的特性，但适用于深次微米科技之深次微米制程节点中之模拟电路。巨晶体管结构例如可由多个以串联方式建构与排列之晶体管而将其各别之闸极连接所实现，通常在本文中称为晶体管堆栈。在堆栈中的一个或更多串行晶体管可由多个并列晶体管所实现及/或其临界电压与在该堆栈中之其他晶体管的临界电压不同。可替换或另外地，在巨晶体管中的一个或更多串行晶体管可被静态或动态地控制，以调整巨晶体管的性能特性。巨晶体管可用于多种电路中，诸如变容器、电压控制振荡器、锁相回路及可调电路。

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