专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW436872B 單石積體電路及包含周邊保護環之天線線圈失效
简体标题：单石集成电路及包含周边保护环之天线线圈
公开(公告)号：TW436872B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW087102176
申请日：1998-02-17
申请人：艾姆微體電子馬林公司
发明人：帕斯可.剛茲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01Q1/2225 , G06K19/07749 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q7/00 , H01Q7/04
摘要：本發明係關於一種形成於一基材(2)上並包含至少一積體電路元件(3,4),一天線線圈(5)能夠發射及/或接收資料,並與該積體電路元件(3,4)相關連,及一金屬保護環(20)位在該積體電路結構(l)的周圍之積體電路結構(l)。本發明之特徵在於該保護環(20)包含至少一歐姆斷路(ohmic interruption),使得其本身不會形成一閉迴路，依據本發明之積體電路結構(l)的改良處在於該天線線圈(5)的操作被作成不受該保護環(20)存在的影響。
简体摘要：本发明系关于一种形成于一基材(2)上并包含至少一集成电路组件(3,4),一天线线圈(5)能够发射及/或接收数据,并与该集成电路组件(3,4)相关连,及一金属保护环(20)位在该集成电路结构(l)的周围之集成电路结构(l)。本发明之特征在于该保护环(20)包含至少一欧姆断路(ohmic interruption),使得其本身不会形成一闭回路，依据本发明之集成电路结构(l)的改良处在于该天线线圈(5)的操作被作成不受该保护环(20)存在的影响。

2. 发明专利

TW328144B 包含光電電路之晶圓及鑑定此晶圓之方法失效
简体标题：包含光电电路之晶圆及鉴定此晶圆之方法
公开(公告)号：TW328144B
公开(公告)日：1998-03-11
申请号：TW086106366
申请日：1997-05-13
申请人：艾姆微體電子–馬林公司
发明人：帕斯可.剛茲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2884
摘要：一種晶圓（１０），包含數第一類（１１）光電電路，此第一類電路各包含電子模組（１３）及至少第一光電二極體（１４）。
此晶圓（１０）特徵在於其另包含至少一第二類（２１）積體光電電路，其具電子模組（２３），至少一第二光電二極體（２４）及至少一接合熱（２５）可接至一外部測量裝置，至少一接合墊（２５）疊於至少一第二光電二極體（２４）上，故第二類至少一電路（２１）可作為鑑定晶圓製造之電路。圖２
简体摘要：一种晶圆（１０），包含数第一类（１１）光电电路，此第一类电路各包含电子模块（１３）及至少第一光电二极管（１４）。此晶圆（１０）特征在于其另包含至少一第二类（２１）积体光电电路，其具电子模块（２３），至少一第二光电二极管（２４）及至少一接合热（２５）可接至一外部测量设备，至少一接合垫（２５）叠于至少一第二光电二极管（２４）上，故第二类至少一电路（２１）可作为鉴定晶圆制造之电路。图２

3. 发明专利

TW371718B 偵測積集於晶片上線圈線匝之間的短路之測量方法,及用於此測量方法之積體電路結構失效
简体标题：侦测积集于芯片上线圈线匝之间的短路之测量方法,及用于此测量方法之集成电路结构
公开(公告)号：TW371718B
公开(公告)日：1999-10-11
申请号：TW087103730
申请日：1998-03-13
申请人：艾姆微體電子–馬林公司
发明人：帕斯可.剛茲 , 安塔.斑揚
IPC分类号： G01R , H01L
CPC分类号： G06K7/0095 , G01R31/025 , G01R31/06
摘要：本發明關於一種用以測量包含至少一個具有多數線匝（６）之線圈（５）之晶片積體結構（１）的測量方法。本發明之特徵在於包含下列步驟：根據該線圈的兩組不同匝數而測量橫跨該線圈（５）之第一與第二部位之端子的阻抗；計算所測得之橫跨於該線圈（５）之第一與第二部位之端子的阻抗比；比較該阻抗比值以及從相同幾何之線圈的阻抗量度取樣中所測得的常數；以及當該比值相同或不同於該常數時，分別判斷該線圈（５）之一個該部位的至少兩線匝之間是否發生短路。本發明另外關於一種能夠實施本發明之測量方法的積體電路結構。
简体摘要：本发明关于一种用以测量包含至少一个具有多数线匝（６）之线圈（５）之芯片积体结构（１）的测量方法。本发明之特征在于包含下列步骤：根据该线圈的两组不同匝数而测量横跨该线圈（５）之第一与第二部位之端子的阻抗；计算所测得之横跨于该线圈（５）之第一与第二部位之端子的阻抗比；比较该阻抗比值以及从相同几何之线圈的阻抗量度采样中所测得的常数；以及当该比值相同或不同于该常数时，分别判断该线圈（５）之一个该部位的至少两线匝之间是否发生短路。本发明另外关于一种能够实施本发明之测量方法的集成电路结构。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式