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1. 发明专利

TW202030972A 溫度感測器配置中之閃爍雜訊減少审中-公开
简体标题：温度传感器配置中之闪烁噪声减少
公开(公告)号：TW202030972A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108147342
申请日：2019-12-24
申请人：瑞士商艾姆微體電子馬林公司 , EM MICROELECTRONIC-MARIN S.A.
发明人：陶永紅 , TAO, YONGHONG , 諾瓦克賓查斯 , NOVAC, PINCHAS , 葛羅斯金席爾凡 , GROSJEAN, SYLVAIN , 戴查爾德亞歷山大 , DESCHILDRE, ALEXANDRE , 布蘭吉胡古斯 , BLANGY, HUGUES
IPC分类号： H03F1/32 , H03F3/45 , H03M1/12
摘要：本發明涉及溫度感測器配置(10)。該溫度感測器配置(10)包括：‒能隙電壓產生器(12)，被配置以提供輸出電壓(Vbg)；‒至少一個用於溫度感測的半導體接面(14)，其被流過該半導體接面(14)的偏壓電流所偏壓；其中，該配置(10)還包括至少一個多晶矽電阻器(Rb3)，其連接在該能隙電壓產生器(12)的輸出(23)和該半導體接面(14)之間，從而向該半導體接面(14)提供從該能隙電壓產生器(12)來的所述偏壓電流。
简体摘要：本发明涉及温度传感器配置(10)。该温度传感器配置(10)包括：‒能隙电压产生器(12)，被配置以提供输出电压(Vbg)；‒至少一个用于温度传感的半导体接面(14)，其被流过该半导体接面(14)的偏压电流所偏压；其中，该配置(10)还包括至少一个多晶硅电阻器(Rb3)，其连接在该能隙电压产生器(12)的输出(23)和该半导体接面(14)之间，从而向该半导体接面(14)提供从该能隙电压产生器(12)来的所述偏压电流。

2. 发明专利

TWI670885B 具有供電電壓控制電路的智能電池及其製造方法有权
简体标题：具有供电电压控制电路的智能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI670885B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104113386
申请日：2015-04-27
申请人：瑞士商艾姆微體電子馬林公司 , EM MICROELECTRONIC-MARIN S. A.
发明人：哈林帕斯卡 , HAERING, PASCAL , 邁爾帕斯卡 , MAIRE, PASCAL , 馬雷卡納法比安 , MALACARNE, FABIEN , 希里爾馬蒂 , MARTI, CYRIL , 席歐杜羅伊芙 , THEODULOZ, YVES
IPC分类号： H01M10/44 , H01M2/20

3. 发明专利

TWI646416B 低壓差電壓穩壓器有权
简体标题：低压差电压稳压器
公开(公告)号：TWI646416B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103124391
申请日：2014-07-16
申请人：瑞士商艾姆微體電子馬林公司 , EM MICROELECTRONIC-MARIN S. A.
发明人：布斯克凱文 , BUESCHER, KEVIN SCOTT , 伯亞尼克吉日 , BURYANEC, JIRI
IPC分类号： G05F1/10

4. 发明专利

TWI636235B 用於微機電系統類型之共振裝置的電子驅動電路及其致動方法有权
简体标题：用于微机电系统类型之共振设备的电子驱动电路及其致动方法
公开(公告)号：TWI636235B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103112700
申请日：2014-04-07
申请人：瑞士商艾姆微體電子馬林公司 , EM MICROELECTRONIC-MARIN S. A.
发明人：英特瑞格克里斯多夫 , ENTRINGER, CHRISTOPHE , 戴查爾德亞歷山大 , DESCHILDRE, ALEXANDRE
IPC分类号： G01C19/5776

5. 发明专利

TW201706915A 用於可從不同電源採集電力之被動式射頻識別裝置的協定管理方法审中-公开
简体标题：用于可从不同电源采集电力之被动式射频识别设备的协定管理方法
公开(公告)号：TW201706915A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105109743
申请日：2016-03-28
申请人：艾姆微體電子馬林公司 , EM MICROELECTRONIC-MARIN S. A.
发明人：馬克湯瑪士 , MAREK, TOMAS , 畢卡珍 , BICAK, JAN , 柯曼吉里 , KOLMAN, JIRI , 比利佩赫 , BILY, PETR
IPC分类号： G06K19/07 , G06K7/10
CPC分类号： G06K19/0712 , G06K19/0724 , G06K19/07767
摘要：協定管理方法關於一被動式RF識別裝置，其包含用於第一詢問場的第一場域檢測器，及用於第二詢問場的第二場域檢測器，用以至少分別地在相應的第一及第二通訊協定的執行期間，監視這些第一或第二詢問場的接收。如果在通訊協定的執行期間，相應的詢問場的接收不再由相應的場域檢測器檢測到，同時由電力產生器所提供的功率維持等於或優於所要求的功率位準，則停止此通訊協定，且識別裝置進入待機狀態。當該識別裝置在此待機狀態中時，相應的場域檢測器繼續監視相應的詢問場的接收以檢測它是否再次被接收，以及，若是此狀況，觸發此相應的通訊協定的重啟。
简体摘要：协定管理方法关于一被动式RF识别设备，其包含用于第一询问场的第一场域检测器，及用于第二询问场的第二场域检测器，用以至少分别地在相应的第一及第二通信协定的运行期间，监视这些第一或第二询问场的接收。如果在通信协定的运行期间，相应的询问场的接收不再由相应的场域检测器检测到，同时由电力产生器所提供的功率维持等于或优于所要求的功率位准，则停止此通信协定，且识别设备进入待机状态。当该识别设备在此待机状态中时，相应的场域检测器继续监视相应的询问场的接收以检测它是否再次被接收，以及，若是此状况，触发此相应的通信协定的重启。

6. 发明专利

TW201701195A 特別是被動式的雙頻高頻超高頻辨識裝置审中-公开
简体标题：特别是被动式的双频高频超高频辨识设备
公开(公告)号：TW201701195A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105107949
申请日：2016-03-15
申请人：艾姆微體電子馬林公司 , EM MICROELECTRONIC-MARIN S. A.
发明人：柯曼吉里 , KOLMAN, JIRI , 史托詹諾維克高瑞 , STOJANOVIC, GORAN , 馬克湯瑪士 , MAREK, TOMAS
IPC分类号： G06K19/07 , H04B7/00 , H04B5/00
CPC分类号： G06K19/07767
摘要：一種雙頻射頻辨識裝置包括：用於接收高頻電磁場之高頻天線、高頻介面、用於接收超高頻電磁場之超高頻天線、超高頻介面、由第一非依電性記憶體及第二非依電性記憶體形成的非依電性記憶體機構。第一非依電性記憶體可以處於主動狀態而不用供電給第二非依電性記憶體，並比此第二非依電性記憶體消耗實質上更多的功率。第一非依電性記憶體包括允許此裝置執行至少超高頻協定的通訊模式之裝置配置所需的所有資料，此通訊模式可存取第一非依電性記憶體但不存取第二非依電性記憶體。第一非依電性記憶體又包括此通訊模式的配置所需的所有屬性。
简体摘要：一种双频射频辨识设备包括：用于接收高频电磁场之高频天线、高频界面、用于接收超高频电磁场之超高频天线、超高频界面、由第一非依电性内存及第二非依电性内存形成的非依电性内存机构。第一非依电性内存可以处于主动状态而不用供电给第二非依电性内存，并比此第二非依电性内存消耗实质上更多的功率。第一非依电性内存包括允许此设备运行至少超高频协定的通信模式之设备配置所需的所有数据，此通信模式可存取第一非依电性内存但不存取第二非依电性内存。第一非依电性内存又包括此通信模式的配置所需的所有属性。

7. 发明专利

TWI474239B 製造具有電子器具用電容式觸控鍵之玻璃的方法及包含該玻璃之器具有权
简体标题：制造具有电子器具用电容式触摸键之玻璃的方法及包含该玻璃之器具
公开(公告)号：TWI474239B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW099122331
申请日：2010-07-07
申请人：艾姆微體電子馬林公司 , EM MICROELECTRONIC-MARIN S.A.
发明人：隆加吉歐凡尼 , LONGA, GIOVANNI
IPC分类号： G06F3/044 , B29C41/02
CPC分类号： G06F3/0202 , B29C45/14639 , B29C70/78 , B29K2995/0026 , B29L2031/466 , G04B39/004 , G04G21/08 , H03K17/9622 , H03K2017/9606 , H03K2217/94094 , H03K2217/960755

8. 发明专利

TW201315969A 用以於物理參數之測量期間減少非線性的方法及用以實施此方法之電子電路审中-公开
简体标题：用以于物理参数之测量期间减少非线性的方法及用以实施此方法之电子电路
公开(公告)号：TW201315969A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101123001
申请日：2012-06-27
申请人：艾姆微體電子馬林公司 , EM MICROELECTRONIC-MARIN S. A.
发明人：葛羅斯金席爾凡 , GROSJEAN, SYLVAIN , 戴查爾德亞歷山大 , DESCHILDRE, ALEXANDRE
IPC分类号： G01D3/032 , G01D5/241
CPC分类号： G01D3/032 , G01D5/241 , G01L1/144 , G01P15/125 , G01P15/18
摘要：該方法係用以減少數位類比轉換器(7)在物理參數的測量期間對電容感測器之電子介面電路(1)的非線性影響。電子電路包括藉由切換單元(3)連接到該共同電極(CM)之放大器(4)、連接到放大器以供應第一及第二數位測量信號的邏輯單元(5)、及依據數位信號的轉換供應測量電壓(VDAC)到電極之數位類比轉換器(7)。該方法包括首先依據第一數位信號藉由測量電壓(VDAC)偏壓電容器電極，接著將第一電容器(C1X)的固定電極偏壓在經調節之電壓(VREG)及第二電容器(C2X)的固定電極在低電壓(VSS)，接著依據第二數位測量信號藉由測量電壓(VDAC)偏壓電容器電極(C1X、C2X、CM)，且最後將第一電容器(C1X)的固定電極偏壓在低電壓(VSS)及第二電容器(C2X)的固定電極在經調節之電壓(VREG)。在物理參數的測量期間，引進已界定的偏置電壓(Vref)到數位類比轉換器中來調變第一及第二數位信號。取這兩個數位信號之平均值來在減少轉換器之非線性影響。
简体摘要：该方法系用以减少数码模拟转换器(7)在物理参数的测量期间对电容传感器之电子界面电路(1)的非线性影响。电子电路包括借由切换单元(3)连接到该共同电极(CM)之放大器(4)、连接到放大器以供应第一及第二数码测量信号的逻辑单元(5)、及依据数码信号的转换供应测量电压(VDAC)到电极之数码模拟转换器(7)。该方法包括首先依据第一数码信号借由测量电压(VDAC)偏压电容器电极，接着将第一电容器(C1X)的固定电极偏压在经调节之电压(VREG)及第二电容器(C2X)的固定电极在低电压(VSS)，接着依据第二数码测量信号借由测量电压(VDAC)偏压电容器电极(C1X、C2X、CM)，且最后将第一电容器(C1X)的固定电极偏压在低电压(VSS)及第二电容器(C2X)的固定电极在经调节之电压(VREG)。在物理参数的测量期间，引进已界定的偏置电压(Vref)到数码模拟转换器中来调制第一及第二数码信号。取这两个数码信号之平均值来在减少转换器之非线性影响。

9. 发明专利

TWI323475B 光偵測器，用以將光偵測器產生之光能轉換為電壓訊號之集成電容器，及形成集成電容器之方法 PHOTODETECTOR, INTEGRATING CIRCUIT FOR CONVERTING LIGHT ENERGY PRODUCED BY A PHOTODETECTOR INTO A VOLTAGE SIGNAL, AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATION CAPACITOR FOR AN INTEGRATING CIRCUIT 有权
简体标题：光侦测器，用以将光侦测器产生之光能转换为电压信号之集成电容器，及形成集成电容器之方法 PHOTODETECTOR, INTEGRATING CIRCUIT FOR CONVERTING LIGHT ENERGY PRODUCED BY A PHOTODETECTOR INTO A VOLTAGE SIGNAL, AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATION CAPACITOR FOR AN INTEGRATING CIRCUIT
公开(公告)号：TWI323475B
公开(公告)日：2010-04-11
申请号：TW093101052
申请日：2004-01-15
申请人：艾姆微體電子馬林公司
发明人：凱文布斯克
IPC分类号： H01G , H01L , H04N
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14643
摘要：描述一種用以將光偵測器產生之光能轉換為電壓訊號之集成電路，該集成電路包含，該集成電路包含一具有耦合至光偵測器之端點之一輸入端與一用以輸出該電壓訊號之輸出端之放大器；以及一集成電容器具有一連接至放大器輸入端之第一電極與一連接至放大器輸出端之第二電極，其中該電容器之第一電極係由該光偵測器之端點連接至該放大器輸入端所形成而其中該第二電極係由沉積於該光偵測器上之一導體材料層所形成且以一絕緣材料層與該光偵測器分隔，該導體材料與絕緣材料層係為透明或至少對於一已知波長範圍之光線為接近透明。同時描述一形成集成電容器之方法例如包含集成電容器之光偵測器。 There is described an integrating circuit for converting light energy produced by a photodetector into a voltage signal, this integrating circuit comprising an amplifier having an input coupled to a terminal of the photodetector and an output for outputting the voltage signal, and an integration capacitor having a first electrode connected to the amplifier input and a second electrode connected to the amplifier output. The first electrode of the capacitor is formed by the terminal of the photodetector connected to the amplifier input and the second electrode is formed by a layer of conductive material deposited on top of the photodetector and separated from this photodetector by a layer of insulating material, these layers of conductive material and of insulating material being transparent or nearly transparent at least for a given range of wavelengths of light. There is also described a method of forming the integration capacitor as well as a photodetector including the integration capacitor. 【創作特點】為達此一目的，本發明之第一項標的係用以將光偵測器產生之光能轉換為電壓訊號之集成電路，該集成電路包含：具有一輸入端耦合至該光偵測器之端子與一輸出端用以輸出該電壓訊號之一放大器；以及一集成電容器具有一第一電極連接至該放大器之輸入端以及第二電極連接至該放大器之輸出端，其中該電容器之第一電極係由該光偵測器之端點連接至該放大器輸入端所形成而其中該第二電極係由沉積於該光偵測器上之一導體材料層所形成且以一絕緣材料層與該光偵測器分隔，該導體材料與絕緣材料層係為透明或至少對於一已知波長範圍之光線為接近透明。
本發明之第二項標的係為形成一用於將光偵測器產生之光能轉換為電壓訊號之集成電路之集成電容器之方法，該集成電路包含具有一輸入端耦合至該光偵測器之端子與一輸出端用以輸出該電壓訊號之一放大器，該方法包含下列步驟：沉積一絕緣材料層於該光偵測器之至少一部份表面；沉積一導體材料層於該光偵測器表面及該絕緣材料層；以及連接該導體材料層至該放大器輸出端，使該導體材料與絕緣材料層係為透明或至少對於一已知波長範圍之光線為接近透明。
本發明之第三項標的係為一用於與轉換電路連接之光偵測器，包括一用以轉換由光偵測器產生之光電流為電壓訊號之集成電容器，其中該光偵測器包括一導體材料層沉積於該光偵測器之光感應區表面且以一絕緣材料層與該光感應區分隔，其中該導體材料層作為集成電容器之第一電極而該光偵測器之光感應區作為集成電容器之第二電極，且其中該導體材料與絕緣材料層係為透明或至少對於一已知波長範圍之光線為接近透明。
數種本發明之較佳實施例係如申請專利範圍之主題。尤其，該導體材料以非金屬矽化物多晶矽層較佳而該絕緣材料層則可為某種氧化物。
該光偵測器若為包含第一傳導型式凹井分布於第二傳導型式之半導體基質或凹井(例如一電子型凹井分布於一電洞型基質或凹井，或為一電洞型凹井分布於一電子型基質或凹井)之光二極體則較佳。其他型式之光偵測器諸如光學電晶體亦可採用。
關於該集成電容器之第二電極，該電極可由單一或連續之導體材料片形成例如一方形片，或是，由許多分布於光偵測器表面之互聯式導體材料片所形成(亦即，刷型結構或其他任何增加周長與表面積比之結構)。
藉由下文許多對實施例之詳細說明並搭配隨文所附之圖示，本發明其他方面之性質與優點將更加彰顯。
简体摘要：描述一种用以将光侦测器产生之光能转换为电压信号之集成电路，该集成电路包含，该集成电路包含一具有耦合至光侦测器之端点之一输入端与一用以输出该电压信号之输出端之放大器；以及一集成电容器具有一连接至放大器输入端之第一电极与一连接至放大器输出端之第二电极，其中该电容器之第一电极系由该光侦测器之端点连接至该放大器输入端所形成而其中该第二电极系由沉积于该光侦测器上之一导体材料层所形成且以一绝缘材料层与该光侦测器分隔，该导体材料与绝缘材料层系为透明或至少对于一已知波长范围之光线为接近透明。同时描述一形成集成电容器之方法例如包含集成电容器之光侦测器。 There is described an integrating circuit for converting light energy produced by a photodetector into a voltage signal, this integrating circuit comprising an amplifier having an input coupled to a terminal of the photodetector and an output for outputting the voltage signal, and an integration capacitor having a first electrode connected to the amplifier input and a second electrode connected to the amplifier output. The first electrode of the capacitor is formed by the terminal of the photodetector connected to the amplifier input and the second electrode is formed by a layer of conductive material deposited on top of the photodetector and separated from this photodetector by a layer of insulating material, these layers of conductive material and of insulating material being transparent or nearly transparent at least for a given range of wavelengths of light. There is also described a method of forming the integration capacitor as well as a photodetector including the integration capacitor. 【创作特点】为达此一目的，本发明之第一项标的系用以将光侦测器产生之光能转换为电压信号之集成电路，该集成电路包含：具有一输入端耦合至该光侦测器之端子与一输出端用以输出该电压信号之一放大器；以及一集成电容器具有一第一电极连接至该放大器之输入端以及第二电极连接至该放大器之输出端，其中该电容器之第一电极系由该光侦测器之端点连接至该放大器输入端所形成而其中该第二电极系由沉积于该光侦测器上之一导体材料层所形成且以一绝缘材料层与该光侦测器分隔，该导体材料与绝缘材料层系为透明或至少对于一已知波长范围之光线为接近透明。本发明之第二项标的系为形成一用于将光侦测器产生之光能转换为电压信号之集成电路之集成电容器之方法，该集成电路包含具有一输入端耦合至该光侦测器之端子与一输出端用以输出该电压信号之一放大器，该方法包含下列步骤：沉积一绝缘材料层于该光侦测器之至少一部份表面；沉积一导体材料层于该光侦测器表面及该绝缘材料层；以及连接该导体材料层至该放大器输出端，使该导体材料与绝缘材料层系为透明或至少对于一已知波长范围之光线为接近透明。本发明之第三项标的系为一用于与转换电路连接之光侦测器，包括一用以转换由光侦测器产生之光电流为电压信号之集成电容器，其中该光侦测器包括一导体材料层沉积于该光侦测器之光感应区表面且以一绝缘材料层与该光感应区分隔，其中该导体材料层作为集成电容器之第一电极而该光侦测器之光感应区作为集成电容器之第二电极，且其中该导体材料与绝缘材料层系为透明或至少对于一已知波长范围之光线为接近透明。数种本发明之较佳实施例系如申请专利范围之主题。尤其，该导体材料以非金属硅化物多晶硅层较佳而该绝缘材料层则可为某种氧化物。该光侦测器若为包含第一传导型式凹井分布于第二传导型式之半导体基质或凹井(例如一电子型凹井分布于一电洞型基质或凹井，或为一电洞型凹井分布于一电子型基质或凹井)之光二极管则较佳。其他型式之光侦测器诸如光学晶体管亦可采用。关于该集成电容器之第二电极，该电极可由单一或连续之导体材料片形成例如一方形片，或是，由许多分布于光侦测器表面之互联式导体材料片所形成(亦即，刷型结构或其他任何增加周长与表面积比之结构)。借由下文许多对实施例之详细说明并搭配随文所附之图标，本发明其他方面之性质与优点将更加彰显。

10. 发明专利

TW200907763A 具有至少一感光器電路的光電模組 OPTOELECTRONIC MODULE PROVIDED WITH AT LEAST ONE PHOTORECEPTOR CIRCUIT 审中-公开
简体标题：具有至少一感光器电路的光电模块 OPTOELECTRONIC MODULE PROVIDED WITH AT LEAST ONE PHOTORECEPTOR CIRCUIT
公开(公告)号：TW200907763A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097105779
申请日：2008-02-19
申请人：艾姆微體電子馬林公司 EM MICROELECTRONIC-MARIN S.A.
发明人：維托里歐魁西亞 QUERCIA, VICTORIO , 安竹格蘭帝罕 GRANDJEAN, ANDRE , 雅多漢密德凱佑 KAYAL, ABDUL-HAMID
IPC分类号： G06F , G01J
CPC分类号： G06F3/0317 , G06F3/03543 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H05K1/141 , H05K1/147 , H05K1/182 , H05K1/189 , H05K2201/10121 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：光電模組(1)包含一感光器電路(3),用以拾取一光源被一外部表面反射之光。該感光器電路及該光源電路被安裝在一基板(2)上,且該等電路之接觸墊(6)在電氣上被連接到該基板之墊。該等基板墊被連接到該基板之導電路徑。該軟性基板包含:一第一部分(2a),該感光器電路(3)及該光源電路被安裝在且在電氣上被連接在該第一部分(2a);包含電氣連接端點(9)之一第二部分(2b);以及介於該第一部分與該第二部分之間的一連接部分(2c)。該連接部分將該第一部分之一些導電路徑連接到該第二部分之該等連接端點。當該模組尤其被安裝在一電腦滑鼠時,該連接部分可調整該第二部分相對於該第一部分之高度及/或間隔。將其上安裝有一透明透鏡單元(40)之一蓋子(20)置放在該第一部分上。在該感光器電路的該感光區之上的外殼中製造一光通路(24)。可經由一電腦滑鼠外殼的底部中之一孔洞而固定被安裝在該基板的該第一部分之該蓋子上之該透明單元。然而,於經由該連接部分(2c)而調整該第二部分相對於該第一部分之高度及/或間隔時,該軟性基板的該第二部分(2b)之該等連接端點(9)被連接到離開該外殼的底部有一距離之一主印刷電路板的對應之墊。
简体摘要：光电模块(1)包含一感光器电路(3),用以十取一光源被一外部表面反射之光。该感光器电路及该光源电路被安装在一基板(2)上,且该等电路之接触垫(6)在电气上被连接到该基板之垫。该等基板垫被连接到该基板之导电路径。该软性基板包含:一第一部分(2a),该感光器电路(3)及该光源电路被安装在且在电气上被连接在该第一部分(2a);包含电气连接端点(9)之一第二部分(2b);以及介于该第一部分与该第二部分之间的一连接部分(2c)。该连接部分将该第一部分之一些导电路径连接到该第二部分之该等连接端点。当该模块尤其被安装在一电脑鼠标时,该连接部分可调整该第二部分相对于该第一部分之高度及/或间隔。将其上安装有一透明透镜单元(40)之一盖子(20)置放在该第一部分上。在该感光器电路的该感光区之上的外壳中制造一光通路(24)。可经由一电脑鼠标外壳的底部中之一孔洞而固定被安装在该基板的该第一部分之该盖子上之该透明单元。然而,于经由该连接部分(2c)而调整该第二部分相对于该第一部分之高度及/或间隔时,该软性基板的该第二部分(2b)之该等连接端点(9)被连接到离开该外壳的底部有一距离之一主印刷电路板的对应之垫。

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