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1. 发明专利

TW201434076A 半導體製程审中-公开
简体标题：半导体制程
公开(公告)号：TW201434076A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102105740
申请日：2013-02-19
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃光弘 , HUANG, KUANG HUNG , 楊傑甯 , YANG, JIE NING , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG , 廖柏瑞 , LIAO, PO JUI , 張世璋 , CHANG, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
摘要：一種半導體製程，包含有下述步驟。首先，形成一堆疊結構於一基底上。然後，覆蓋一接觸洞蝕刻停止層於堆疊結構以及基底。之後，形成一材料層於基底上，並暴露出覆蓋堆疊結構的接觸洞蝕刻停止層的一頂部。其後，整修頂部。
简体摘要：一种半导体制程，包含有下述步骤。首先，形成一堆栈结构于一基底上。然后，覆盖一接触洞蚀刻停止层于堆栈结构以及基底。之后，形成一材料层于基底上，并暴露出覆盖堆栈结构的接触洞蚀刻停止层的一顶部。其后，整修顶部。

2. 发明专利

TW201338131A 電阻及其製作方法审中-公开
简体标题：电阻及其制作方法
公开(公告)号：TW201338131A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101107436
申请日：2012-03-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：邱春茂 , CHIOU, CHUN MAO , 陳俤彬 , CHEN, TI BIN , 郭聰敏 , KUO, TSUNG MIN , 周賢亮 , CHOU, SHYAN LIANG , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG , 楊傑甯 , YANG, JIE NING , 廖柏瑞 , LIAO, PO JUI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8249
摘要：一種具有金屬閘極之電晶體與電阻之製作方法，首先提供一定義有一電晶體區與一電阻區之基底，且該電晶體區內設置有一電晶體，該電阻區內設置有一電阻。接下來於該基底上形成一介電層，且該介電層暴露該電晶體與該電阻之頂部。形成該介電層之後，進行一第一蝕刻製程移除部分該電阻，以於該電阻之兩端分別形成一第一溝渠，隨後於該電阻區內形成一圖案化保護層，並進行一第二蝕刻製程移除該電晶體之一虛置閘極，以於該電晶體內形成一第二溝渠。最後於該基底上形成一金屬層，且該金屬層填滿該等第一溝渠與該第二溝渠。
简体摘要：一种具有金属闸极之晶体管与电阻之制作方法，首先提供一定义有一晶体管区与一电阻区之基底，且该晶体管区内设置有一晶体管，该电阻区内设置有一电阻。接下来于该基底上形成一介电层，且该介电层暴露该晶体管与该电阻之顶部。形成该介电层之后，进行一第一蚀刻制程移除部分该电阻，以于该电阻之两端分别形成一第一沟渠，随后于该电阻区内形成一图案化保护层，并进行一第二蚀刻制程移除该晶体管之一虚置闸极，以于该晶体管内形成一第二沟渠。最后于该基底上形成一金属层，且该金属层填满该等第一沟渠与该第二沟渠。

3. 发明专利

TWI523147B 與具有金屬閘極之電晶體整合之電阻及其製作方法有权
简体标题：与具有金属闸极之晶体管集成之电阻及其制作方法
公开(公告)号：TWI523147B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101112727
申请日：2012-04-11
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 楊傑甯 , YANG, JIE NING
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04

4. 发明专利

TWI520307B 電阻及其製作方法有权
简体标题：电阻及其制作方法
公开(公告)号：TWI520307B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW101107436
申请日：2012-03-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：邱春茂 , CHIOU, CHUN MAO , 陳俤彬 , CHEN, TI BIN , 郭聰敏 , KUO, TSUNG MIN , 周賢亮 , CHOU, SHYAN LIANG , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG , 楊傑甯 , YANG, JIE NING , 廖柏瑞 , LIAO, PO JUI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8249

5. 发明专利

TW201310577A 電阻及其製作方法审中-公开
简体标题：电阻及其制作方法
公开(公告)号：TW201310577A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW100131078
申请日：2011-08-30
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊傑甯 , YANG, JIE NING , 徐世杰 , HSU, SHIH CHIEH , 林俊賢 , LIN, CHUN HSIEN , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 白啟宏 , PAI, CHI HORN , 曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG
IPC分类号： H01L21/77 , H01L29/86
摘要：一種具有金屬閘極之電晶體與電阻之製作方法，該製作方法首先提供一基底，且該基底上定義有一電晶體區與一電阻區。接下來，於該電晶體區與該電阻區內分別形成一電晶體與一電阻，且該電晶體具有一虛置閘極。隨後，移除該虛置閘極與部分該電阻，以分別於該電晶體與該電阻內形成一第一溝渠與二個第二溝渠，並於該第一溝渠與該等第二溝渠內分別形成至少一高介電常數閘極介電層。之後，於該第一溝渠與該等第二溝渠中分別形成一金屬閘極與一金屬結構。
简体摘要：一种具有金属闸极之晶体管与电阻之制作方法，该制作方法首先提供一基底，且该基底上定义有一晶体管区与一电阻区。接下来，于该晶体管区与该电阻区内分别形成一晶体管与一电阻，且该晶体管具有一虚置闸极。随后，移除该虚置闸极与部分该电阻，以分别于该晶体管与该电阻内形成一第一沟渠与二个第二沟渠，并于该第一沟渠与该等第二沟渠内分别形成至少一高介电常数闸极介电层。之后，于该第一沟渠与该等第二沟渠中分别形成一金属闸极与一金属结构。

6. 发明专利

TWI571913B 半導體製程有权
简体标题：半导体制程
公开(公告)号：TWI571913B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW102105740
申请日：2013-02-19
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃光弘 , HUANG, KUANG HUNG , 楊傑甯 , YANG, JIE NING , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG , 廖柏瑞 , LIAO, PO JUI , 張世璋 , CHANG, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336

7. 发明专利

TWI524472B 電阻及其製作方法有权
简体标题：电阻及其制作方法
公开(公告)号：TWI524472B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100131078
申请日：2011-08-30
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊傑甯 , YANG, JIE NING , 徐世杰 , HSU, SHIH CHIEH , 林俊賢 , LIN, CHUN HSIEN , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 白啟宏 , PAI, CHI HORN , 曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG
IPC分类号： H01L21/77 , H01L29/86

8. 发明专利

TW201318068A 具有金屬閘極之半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：具有金属闸极之半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201318068A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100138149
申请日：2011-10-20
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG , 楊傑甯 , YANG, JIE NING , 黃光弘 , HUANG, KUANG HUNG , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 廖柏瑞 , LIAO, PO JUI , 徐世杰 , HSU, SHIH CHIEH
IPC分类号： H01L21/335 , H01L27/085 , H01L29/739
摘要：一種具有金屬閘極之半導體元件之製作方法，該製作方法首先提供一基底，該基底表面形成有一第一半導體元件與一第二半導體元件，且該第一半導體元件與該第二半導體元件內分別形成有一第一閘極溝渠與一第二閘極溝渠。接下來，於該第一閘極溝渠內形成一第一功函數金屬層，隨後於該第一閘極溝渠與該第二閘極溝渠內形成一第二功函數金屬層。待形成該第二功函數金屬層之後，係於該第一閘極溝渠與該第二閘極溝渠內形成一第一遮罩層，且該第一遮罩層暴露出部分該第二功函數金屬層。之後進行一蝕刻製程，用以移除暴露之部分該第二功函數金屬層。
简体摘要：一种具有金属闸极之半导体组件之制作方法，该制作方法首先提供一基底，该基底表面形成有一第一半导体组件与一第二半导体组件，且该第一半导体组件与该第二半导体组件内分别形成有一第一闸极沟渠与一第二闸极沟渠。接下来，于该第一闸极沟渠内形成一第一功函数金属层，随后于该第一闸极沟渠与该第二闸极沟渠内形成一第二功函数金属层。待形成该第二功函数金属层之后，系于该第一闸极沟渠与该第二闸极沟渠内形成一第一遮罩层，且该第一遮罩层暴露出部分该第二功函数金属层。之后进行一蚀刻制程，用以移除暴露之部分该第二功函数金属层。

9. 发明专利

TW201344881A 半導體整合結構审中-公开
简体标题：半导体集成结构
公开(公告)号：TW201344881A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101113468
申请日：2012-04-16
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：梁佳文 , LIANG, CHIA WEN , 盛義忠 , SHENG, YI CHUNG , 徐世杰 , HSU, SHIH CHIEH , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 白啟宏 , PAI, CHI HORN , 楊傑甯 , YANG, JIE NING , 曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/52
摘要：本發明提供了一種整合結構，包含一基底、一內層介電層、一電晶體以及一電阻。基底上定義有一電阻區以及一主動區。內層介電層直接覆蓋在該基底上。電晶體設置於內層介電層中的主動區，且電晶體包含有一金屬閘極。電阻設置在內層介電層上的電阻區中，且電阻直接接觸內層介電層。
简体摘要：本发明提供了一种集成结构，包含一基底、一内层介电层、一晶体管以及一电阻。基底上定义有一电阻区以及一主动区。内层介电层直接覆盖在该基底上。晶体管设置于内层介电层中的主动区，且晶体管包含有一金属闸极。电阻设置在内层介电层上的电阻区中，且电阻直接接触内层介电层。

10. 发明专利

TW201342532A 電阻及其製作方法审中-公开
简体标题：电阻及其制作方法
公开(公告)号：TW201342532A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101112727
申请日：2012-04-11
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 楊傑甯 , YANG, JIE NING
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04
摘要：一種具有金屬閘極之電晶體與電阻之製作方法，該製作方法首先提供一基底，該基底上形成有一電晶體、一過渡結構以及一覆蓋該電晶體與該過渡結構之介電層。接下來於該過渡結構內形成一凹槽，且該凹槽係形成於一對多晶矽端點部分之間。隨後於該凹槽內形成一U型電阻調變層與一填滿該凹槽之絕緣層。在形成該絕緣層之後，移除該電晶體之一虛置閘極與該過渡結構之該等多晶矽端點部分，以分別形成一閘極溝渠與一對端點溝渠。而在形成該閘極溝渠與該等端點溝渠之後，係於該閘極溝渠內形成一金屬閘極，同時於該等端點溝渠內分別形成一導電端點。
简体摘要：一种具有金属闸极之晶体管与电阻之制作方法，该制作方法首先提供一基底，该基底上形成有一晶体管、一过渡结构以及一覆盖该晶体管与该过渡结构之介电层。接下来于该过渡结构内形成一凹槽，且该凹槽系形成于一对多晶硅端点部分之间。随后于该凹槽内形成一U型电阻调制层与一填满该凹槽之绝缘层。在形成该绝缘层之后，移除该晶体管之一虚置闸极与该过渡结构之该等多晶硅端点部分，以分别形成一闸极沟渠与一对端点沟渠。而在形成该闸极沟渠与该等端点沟渠之后，系于该闸极沟渠内形成一金属闸极，同时于该等端点沟渠内分别形成一导电端点。

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