专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201338051A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201338051A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101108701
申请日：2012-03-14
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：侯信銘 , HOU, HSIN MING , 童宇誠 , TUNG, YU CHENG , 龔吉富 , KUNG, JI FU , 連萬益 , LIEN, WAI YI , 陳銘聰 , CHEN, MING TSUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78 , H01L29/06
摘要：一種半導體裝置，包括基底、多個隔離結構、至少一閘極結構、多個虛擬閘極結構以及多個磊晶結構。基底具有主動區域，而這些隔離結構是配置於基底中而圍繞主動區域。閘極結構配置於基底上並位於主動區域內，這些虛擬閘極結構是配置於基底上並位於主動區域外，且各虛擬閘極結構的邊緣與主動區域之邊界相隔一間距，而此間距小於135埃。這些磊晶結構則是配置於閘極結構兩側之基底中而位於主動區域內。
简体摘要：一种半导体设备，包括基底、多个隔离结构、至少一闸极结构、多个虚拟闸极结构以及多个磊晶结构。基底具有主动区域，而这些隔离结构是配置于基底中而围绕主动区域。闸极结构配置于基底上并位于主动区域内，这些虚拟闸极结构是配置于基底上并位于主动区域外，且各虚拟闸极结构的边缘与主动区域之边界相隔一间距，而此间距小于135埃。这些磊晶结构则是配置于闸极结构两侧之基底中而位于主动区域内。

2. 发明专利

TWI412068B 對準標記及缺陷檢測方法有权
简体标题：对准标记及缺陷检测方法
公开(公告)号：TWI412068B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW097136835
申请日：2008-09-25
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：周玲君 , CHOU, LING CHUN , 陳銘聰 , CHEN, MING TSUNG , 劉喜華 , LIU, HSI HUA , 雷舜誠 , LEI, SHUEN CHENG , 曹博昭 , TSAO, PO CHAO
IPC分类号： H01L21/027 , G01N21/956

3. 发明专利

TWI433262B 一種閘極結構與修整間隙壁的方法有权
简体标题：一种闸极结构与修整间隙壁的方法
公开(公告)号：TWI433262B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW098105439
申请日：2009-02-20
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：王益昌 , WANG, I CHANG , 陳銘聰 , CHEN, MING TSUNG , 周玲君 , CHOU, LING CHUN , 曹博昭 , TSAO, PO CHAO , 張宗宏 , CHANG, TSUNG HUNG , 陳慧玲 , CHEN, HUI LING , 吳政諺 , WU, CHENG YEN , 陳界得 , CHEN, CHIEH TE , 陳信琦 , CHEN, SHIN CHI
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/336 , H01L29/78

4. 发明专利

TWI538143B 薄膜電阻結構有权
简体标题：薄膜电阻结构
公开(公告)号：TWI538143B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101107435
申请日：2012-03-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：魏銘德 , WEI, MING TE , 曹博昭 , TSAO, PO CHAO , 蔡振華 , TSAI, CHEN HUA , 陳建仰 , CHEN, CHIEN YANG , 梁家瑞 , LIANG, CHIA JUI , 陳銘聰 , CHEN, MING TSUNG
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/28

5. 发明专利

TWI480957B 製造ｎ通道金氧半導體場效應電晶體的方法有权
简体标题：制造ｎ信道金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
公开(公告)号：TWI480957B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW098142695
申请日：2009-12-14
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：王益昌 , WANG, I CHANG , 周玲君 , CHOU, LING CHUN , 陳銘聰 , CHEN, MING TSUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/3205

6. 发明专利

TW201338117A 薄膜電阻結構审中-公开
简体标题：薄膜电阻结构
公开(公告)号：TW201338117A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101107435
申请日：2012-03-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：魏銘德 , WEI, MING TE , 曹博昭 , TSAO, PO CHAO , 蔡振華 , TSAI, CHEN HUA , 陳建仰 , CHEN, CHIEN YANG , 梁家瑞 , LIANG, CHIA JUI , 陳銘聰 , CHEN, MING TSUNG
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/28
摘要：一種薄膜電阻結構，包含有一基底，一覆蓋於該基底之上平坦的底層間介電層，複數個第一接觸，位於該底層間介電層之中，且各該第一接觸之一頂面切齊該底層間介電層之一頂面，一平坦之頂層間介電層，位於該底層間介電層之上，複數個第二接觸，位於該頂層間介電層之中，且各該第二接觸之一頂面切齊該頂層間介電層之一頂面，以及一薄膜電阻，位於該底層間介電層與該頂層間介電層之間。
简体摘要：一种薄膜电阻结构，包含有一基底，一覆盖于该基底之上平坦的底层间介电层，复数个第一接触，位于该底层间介电层之中，且各该第一接触之一顶面切齐该底层间介电层之一顶面，一平坦之顶层间介电层，位于该底层间介电层之上，复数个第二接触，位于该顶层间介电层之中，且各该第二接触之一顶面切齐该顶层间介电层之一顶面，以及一薄膜电阻，位于该底层间介电层与该顶层间介电层之间。

7. 发明专利

TW201318074A 半導體元件製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件制造方法
公开(公告)号：TW201318074A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100139455
申请日：2011-10-28
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：魏銘德 , WEI, MING TE , 曹博昭 , TSAO, PO CHAO , 陳銘聰 , CHEN, MING TSUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/027
摘要：本發明涉及一種半導體元件製造方法，其包含下列步驟：提供一基板；於基板上方形成具有一第一寬度之一第一佈線結構；於具有第一寬度之第一佈線結構之上方形成一蝕刻罩幕，用以露出部份之該第一佈線結構；以及利用蝕刻罩幕對第一佈線結構進行一蝕刻製程，用以形成具有一第二寬度之一第二佈線結構，其中該第二寬度小於該第一寬度。上述半導體元件製造方法可於雙極曝光技術(dipole exposure)的限制下，仍可完成兩個軸向的積體電路佈線，進而增加元件製作的彈性。
简体摘要：本发明涉及一种半导体组件制造方法，其包含下列步骤：提供一基板；于基板上方形成具有一第一宽度之一第一布线结构；于具有第一宽度之第一布线结构之上方形成一蚀刻罩幕，用以露出部份之该第一布线结构；以及利用蚀刻罩幕对第一布线结构进行一蚀刻制程，用以形成具有一第二宽度之一第二布线结构，其中该第二宽度小于该第一宽度。上述半导体组件制造方法可于双极曝光技术(dipole exposure)的限制下，仍可完成两个轴向的集成电路布线，进而增加组件制作的弹性。

8. 发明专利

TWI569334B 半導體元件製造方法有权
简体标题：半导体组件制造方法
公开(公告)号：TWI569334B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW100139455
申请日：2011-10-28
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：魏銘德 , WEI, MING TE , 曹博昭 , TSAO, PO CHAO , 陳銘聰 , CHEN, MING TSUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/027

9. 发明专利

TWI533379B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI533379B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW101108701
申请日：2012-03-14
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：侯信銘 , HOU, HSIN MING , 童宇誠 , TUNG, YU CHENG , 龔吉富 , KUNG, JI FU , 連萬益 , LIEN, WAI YI , 陳銘聰 , CHEN, MING TSUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78 , H01L29/06

10. 发明专利

TWI529936B 半導體結構與其製法有权
简体标题：半导体结构与其制法
公开(公告)号：TWI529936B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW101108069
申请日：2012-03-09
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：魏銘德 , WEI, MING TE , 黃信川 , HUANG, SHIN CHUAN , 洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 曹博昭 , TSAO, PO CHAO , 梁家瑞 , LIANG, CHIA JUI , 陳銘聰 , CHEN, MING TSUNG , 梁佳文 , LIANG, CHIA WEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/20

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式