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1. 发明专利

TWI668847B 半導體積體電路佈局結構有权
简体标题：半导体集成电路布局结构
公开(公告)号：TWI668847B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104125572
申请日：2015-08-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林世欽 , LIN, SHIH-CHIN , 洪圭鈞 , HUNG, KUEI-CHUN , 胡喆人 , HU, JERRY CHE JEN , 陳明瑞 , CHEN, MING-JUI , 許振賢 , HSU, CHEN-HSIEN
IPC分类号： H01L27/118 , H03K19/20 , H03K19/21

2. 发明专利

TWI588596B 產生佈局圖案的方法有权
简体标题：产生布局图案的方法
公开(公告)号：TWI588596B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102129307
申请日：2013-08-15
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：曹博昭 , TSAO, PO CHAO , 洪世芳 , HONG, SHIH FANG , 黃家緯 , HUANG, CHIA WEI , 陳明瑞 , CHEN, MING JUI , 鄒世芳 , TZOU, SHIH FANG , 魏銘德 , WEI, MING TE
IPC分类号： G03F1/36 , G06F17/50

3. 发明专利

TWI588595B 光學鄰近修正方法有权
简体标题：光学邻近修正方法
公开(公告)号：TWI588595B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102102628
申请日：2013-01-24
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：郭惠芳 , KUO, HUI FANG , 陳明瑞 , CHEN, MING JUI , 王正德 , WANG, CHENG TE
IPC分类号： G03F1/36 , G06F17/50

4. 发明专利

TWI685088B 靜態隨機存取記憶體單元結構以及靜態隨機存取記憶體佈局結構有权
简体标题：静态随机存取内存单元结构以及静态随机存取内存布局结构
公开(公告)号：TWI685088B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW104122843
申请日：2015-07-15
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：殷旦雅 , YIN, TAN-YA , 陳明瑞 , CHEN, MING-JUI , 黃家緯 , HUANG, CHIA-WEI , 童宇誠 , TUNG, YU-CHENG , 楊進盛 , YANG, CHIN-SHENG
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8244

5. 发明专利

TWI589987B 光罩圖案的分割方法有权
简体标题：光罩图案的分割方法
公开(公告)号：TWI589987B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102101613
申请日：2013-01-16
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃俊憲 , HUANG, CHUN HSIEN , 陳明瑞 , CHEN, MING JUI , 黃家緯 , HUANG, CHIA WEI , 曾鼎程 , TSENG, TING CHENG
IPC分类号： G03F1/70

6. 发明专利

TW201506529A 產生佈局圖案的方法审中-公开
简体标题：产生布局图案的方法
公开(公告)号：TW201506529A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW102129307
申请日：2013-08-15
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：曹博昭 , TSAO, PO CHAO , 洪世芳 , HONG, SHIH FANG , 黃家緯 , HUANG, CHIA WEI , 陳明瑞 , CHEN, MING JUI , 鄒世芳 , TZOU, SHIH FANG , 魏銘德 , WEI, MING TE
IPC分类号： G03F1/36 , G06F17/50
摘要：一種產生佈局圖案的方法，包括提供佈局圖案至電腦系統，並對佈局圖案進行分類，以區分成兩個次圖案以及一空白圖案，其中各次圖案係具有互呈整數倍的節距，且空白圖案係位於次圖案間。繼以產出複數個第一條狀圖案以及至少二第二條狀圖案。其中，第一條狀圖案的邊緣係切齊於相對應次圖案的邊緣，且第一條狀圖案彼此等距以及等寬；而第二條狀圖案的寬度或間距相異於第一條狀圖案的寬度或間距。
简体摘要：一种产生布局图案的方法，包括提供布局图案至电脑系统，并对布局图案进行分类，以区分成两个次图案以及一空白图案，其中各次图案系具有互呈整数倍的节距，且空白图案系位于次图案间。继以产出复数个第一条状图案以及至少二第二条状图案。其中，第一条状图案的边缘系切齐于相对应次图案的边缘，且第一条状图案彼此等距以及等宽；而第二条状图案的宽度或间距相异于第一条状图案的宽度或间距。

7. 发明专利

TW201347045A 應力層圖案的設計方法审中-公开
简体标题：应力层图案的设计方法
公开(公告)号：TW201347045A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101116573
申请日：2012-05-09
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃俊憲 , HUANG, CHUN HSIEN , 陳明瑞 , CHEN, MING JUI , 黃家緯 , HUANG, CHIA WEI , 曾鼎程 , TSENG, TING CHENG
IPC分类号： H01L21/336
摘要：一種應力層圖案的設計方法，其中應力層圖案用以形成第二型金氧半電晶體的源極/汲極區。上述方法包括下列步驟。首先，計算出應力層圖案的邊界與第一型金氧半電晶體的第一主動區圖案之間的第一距離。接著，當第一距離小於安全距離時，縮小應力層圖案，而使得第一距離至少等於安全距離。
简体摘要：一种应力层图案的设计方法，其中应力层图案用以形成第二型金氧半晶体管的源极/汲极区。上述方法包括下列步骤。首先，计算出应力层图案的边界与第一型金氧半晶体管的第一主动区图案之间的第一距离。接着，当第一距离小于安全距离时，缩小应力层图案，而使得第一距离至少等于安全距离。

8. 发明专利

TW201310560A 檢測光罩的方法审中-公开
简体标题：检测光罩的方法
公开(公告)号：TW201310560A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW100130923
申请日：2011-08-29
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：羅偉銓 , LO, WEI CYUAN , 鄭永豐 , CHENG, YUNG FENG , 陳明瑞 , CHEN, MING JUI
IPC分类号： H01L21/66
摘要：一種檢測光罩的方法，包含有下述步驟。首先，定義一製程參數值。接著，以此製程參數值決定一入射光。然後，使入射光的至少一部份穿過一光罩的一第一區域的一第一位置及一第二位置，以分別偵測對應第一位置及對應第二位置之一第一參數值及一第二參數值，並比較第一參數值及第二參數值的差異。並且，使入射光的至少一部份穿過一光罩的一第二區域的一第三位置及一第四位置，以分別偵測對應第三位置及對應第四位置之一第三參數值及一第四參數值，並比較第三參數值及第四參數值的差異。
简体摘要：一种检测光罩的方法，包含有下述步骤。首先，定义一制程参数值。接着，以此制程参数值决定一入射光。然后，使入射光的至少一部份穿过一光罩的一第一区域的一第一位置及一第二位置，以分别侦测对应第一位置及对应第二位置之一第一参数值及一第二参数值，并比较第一参数值及第二参数值的差异。并且，使入射光的至少一部份穿过一光罩的一第二区域的一第三位置及一第四位置，以分别侦测对应第三位置及对应第四位置之一第三参数值及一第四参数值，并比较第三参数值及第四参数值的差异。

9. 发明专利

TWI651812B 半導體裝置與其形成方法有权
简体标题：半导体设备与其形成方法
公开(公告)号：TWI651812B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW104116909
申请日：2015-05-27
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 羅偉銓 , LO, WEI-CYUAN , 陳明瑞 , CHEN, MING-JUI , 呂佳霖 , LU, CHIA-LIN , 吳家榮 , WU, JIA-RONG , 李怡慧 , LEE, YI-HUI , 劉盈成 , LIU, YING-CHENG , 吳奕寬 , WU, YI-KUAN , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN , 陳意維 , CHEN, YI-WEI , 殷旦雅 , YIN, TAN-YA , 黃家緯 , HUANG, CHIA-WEI , 王淑如 , WANG, SHU-RU , 鄭永豐 , CHENG, YUNG-FENG
IPC分类号： H01L21/84 , H01L27/12

10. 发明专利

TW201703234A 靜態隨機存取記憶體單元結構以及靜態隨機存取記憶體佈局結構审中-公开
简体标题：静态随机存取内存单元结构以及静态随机存取内存布局结构
公开(公告)号：TW201703234A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104122843
申请日：2015-07-15
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：殷旦雅 , YIN, TAN-YA , 陳明瑞 , CHEN, MING-JUI , 黃家緯 , HUANG, CHIA-WEI , 童宇誠 , TUNG, YU-CHENG , 楊進盛 , YANG, CHIN-SHENG
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8244
CPC分类号： G11C11/417 , G11C11/412 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/1104
摘要：一種靜態隨機存取記憶體單元結構與佈局結構包括兩上拉電晶體、兩下拉電晶體、兩條狀接觸插塞以及兩第零層內連線。各第零層內連線設置於各條狀接觸插塞與各上拉電晶體的閘極上，其中各條狀接觸插塞橫跨各下拉電晶體的汲極與各上拉電晶體的汲極設置，並延伸至橫跨各第零層內連線的一端。條狀接觸插塞之間的間隙小於第零層內連線之間的間隙。
简体摘要：一种静态随机存取内存单元结构与布局结构包括两上拉晶体管、两下拉晶体管、两条状接触插塞以及两第零层内连接。各第零层内连接设置于各条状接触插塞与各上拉晶体管的闸极上，其中各条状接触插塞横跨各下拉晶体管的汲极与各上拉晶体管的汲极设置，并延伸至横跨各第零层内连接的一端。条状接触插塞之间的间隙小于第零层内连接之间的间隙。

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