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1. 发明专利

TW201320238A 移除氧化層的半導體製程审中-公开
简体标题：移除氧化层的半导体制程
公开(公告)号：TW201320238A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW100141160
申请日：2011-11-11
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：宣騰竣 , HSUAN, TENG CHUN , 郭敏郎 , GUO, TED MING LANG , 簡金城 , CHIEN, CHIN CHENG
IPC分类号： H01L21/76
摘要：本發明揭露了一種移除氧化層的半導體製程，其步驟包含提供一含有隔離結構與墊氧化層的基底、進行一乾式清洗製程與一濕式清洗製程來移除該墊氧化層、形成一犧牲氧化層於該基底上、進行一離子佈植步驟以在該隔離結構兩旁形成摻雜井區。
简体摘要：本发明揭露了一种移除氧化层的半导体制程，其步骤包含提供一含有隔离结构与垫氧化层的基底、进行一干式清洗制程与一湿式清洗制程来移除该垫氧化层、形成一牺牲氧化层于该基底上、进行一离子布植步骤以在该隔离结构两旁形成掺杂井区。

2. 发明专利

TWI509691B 半導體製程有权
简体标题：半导体制程
公开(公告)号：TWI509691B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW100135019
申请日：2011-09-28
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃鵬偉 , HUANG, PONG WEY , 楊建倫 , YANG, CHAN LON , 龔昌鴻 , KUNG, CHANG HUNG , 劉瑋鑫 , LIU, WEI HSIN , 謝雅雪 , HSIEH, YA HSUEH , 廖柏翔 , LIAO, BOR SHYANG , 宣騰竣 , HSUAN, TENG CHUN , 楊鈞耀 , YANG, CHUN YAO
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/314 , H01L21/30

3. 发明专利

TW201306260A 具有磊晶結構之半導體元件审中-公开
简体标题：具有磊晶结构之半导体组件
公开(公告)号：TW201306260A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100125944
申请日：2011-07-22
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：廖晉毅 , LIAO, CHIN I , 宣騰竣 , HSUAN, TENG CHUN , 賴一銘 , LAI, I MING , 簡金城 , CHIEN, CHIN CHENG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/04
摘要：一種具有磊晶結構之半導體元件，該半導體元件包含有一設置於一基底上之閘極結構、設置於該閘極結構兩側之該基底內的磊晶結構、以及一設置於該磊晶結構上之未摻雜覆蓋層。該磊晶結構包含一種摻雜質，該磊晶結構與該未摻雜覆蓋層皆包含一具有一第一晶格常數之第一半導體材料與一具有一第二晶格常數之第二半導體材料，且該第二晶格常數大於該第一晶格常數。該磊晶結構中該第二半導體材料具有一第一濃度，該未摻雜覆蓋層中該第二半導體材料至少具有一第二濃度，且該第二濃度低於該第一濃度。
简体摘要：一种具有磊晶结构之半导体组件，该半导体组件包含有一设置于一基底上之闸极结构、设置于该闸极结构两侧之该基底内的磊晶结构、以及一设置于该磊晶结构上之未掺杂覆盖层。该磊晶结构包含一种掺杂质，该磊晶结构与该未掺杂覆盖层皆包含一具有一第一晶格常数之第一半导体材料与一具有一第二晶格常数之第二半导体材料，且该第二晶格常数大于该第一晶格常数。该磊晶结构中该第二半导体材料具有一第一浓度，该未掺杂覆盖层中该第二半导体材料至少具有一第二浓度，且该第二浓度低于该第一浓度。

4. 发明专利

TWI549298B 具有磊晶結構之半導體元件有权
简体标题：具有磊晶结构之半导体组件
公开(公告)号：TWI549298B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW100125944
申请日：2011-07-22
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：廖晉毅 , LIAO, CHIN I , 宣騰竣 , HSUAN, TENG CHUN , 賴一銘 , LAI, I MING , 簡金城 , CHIEN, CHIN CHENG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/04

5. 发明专利

TWI527088B 半導體裝置及製作磊晶層的方法有权
简体标题：半导体设备及制作磊晶层的方法
公开(公告)号：TWI527088B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW100139566
申请日：2011-10-31
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：廖晉毅 , LIAO, CHIN I , 宣騰竣 , HSUAN, TENG CHUN , 簡金城 , CHIEN, CHIN CHENG
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205

6. 发明专利

TW201318032A 半導體裝置及製作磊晶層的方法审中-公开
简体标题：半导体设备及制作磊晶层的方法
公开(公告)号：TW201318032A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100139566
申请日：2011-10-31
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：廖晉毅 , LIAO, CHIN I , 宣騰竣 , HSUAN, TENG CHUN , 簡金城 , CHIEN, CHIN CHENG
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205
摘要：一種半導體裝置，包括一半導體基底以及複數個電晶體。半導體基底具有至少一寬疏區域(iso region)或稱為開放區域(open region)及至少一密集區域(dense region)。複數個電晶體分別設置於寬疏區域及密集區域，且各電晶體包括至少一源極/汲極區，其中源極/汲極區均包括一具有一底部厚度以及一側邊厚度的第一磊晶層，且第一磊晶層之底部厚度係實質上大於或等於第一磊晶層之側邊厚度。
简体摘要：一种半导体设备，包括一半导体基底以及复数个晶体管。半导体基底具有至少一宽疏区域(iso region)或称为开放区域(open region)及至少一密集区域(dense region)。复数个晶体管分别设置于宽疏区域及密集区域，且各晶体管包括至少一源极/汲极区，其中源极/汲极区均包括一具有一底部厚度以及一侧边厚度的第一磊晶层，且第一磊晶层之底部厚度系实质上大于或等于第一磊晶层之侧边厚度。

7. 发明专利

TW201314772A 半導體製程审中-公开
简体标题：半导体制程
公开(公告)号：TW201314772A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW100135019
申请日：2011-09-28
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃鵬偉 , HUANG, PONG WEY , 楊建倫 , YANG, CHAN LON , 龔昌鴻 , KUNG, CHANG HUNG , 劉瑋鑫 , LIU, WEI HSIN , 謝雅雪 , HSIEH, YA HSUEH , 廖柏翔 , LIAO, BOR SHYANG , 宣騰竣 , HSUAN, TENG CHUN , 楊鈞耀 , YANG, CHUN YAO
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/314 , H01L21/30
摘要：一種半導體製程，包含下述步驟。首先，形成一層間介電層於一基底上，且層間介電層具有一第一凹槽以及一第二凹槽。接著，形成一金屬層覆蓋層間介電層、第一凹槽以及第二凹槽的表面。接續，部份填滿一犧牲材料於第一凹槽以及第二凹槽，分別遮蓋各凹槽內部份之金屬層。繼之，移除各凹槽內未遮蓋之金屬層。續之，移除犧牲材料。而後，進行一蝕刻製程，移除第一凹槽中剩下的金屬層，並保留第二凹槽中剩下的金屬層。
简体摘要：一种半导体制程，包含下述步骤。首先，形成一层间介电层于一基底上，且层间介电层具有一第一凹槽以及一第二凹槽。接着，形成一金属层覆盖层间介电层、第一凹槽以及第二凹槽的表面。接续，部份填满一牺牲材料于第一凹槽以及第二凹槽，分别遮盖各凹槽内部份之金属层。继之，移除各凹槽内未遮盖之金属层。续之，移除牺牲材料。而后，进行一蚀刻制程，移除第一凹槽中剩下的金属层，并保留第二凹槽中剩下的金属层。

8. 发明专利

TW201248774A 淺溝槽隔離構造形成方法 PROCESS FOR FORMING SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURE 审中-公开
简体标题：浅沟槽隔离构造形成方法 PROCESS FOR FORMING SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURE
公开(公告)号：TW201248774A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100119118
申请日：2011-05-31
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：宣騰竣 , 郭敏郎 , 簡金城 , 詹書儼
IPC分类号： H01L
摘要：淺溝槽隔離構造形成方法,包含下列步驟:提供一半導體基板;於該半導體基板上方形成有一硬罩幕,該硬罩幕至少包含有一第一材料層、一第二材料層以及一開口;利用該開口而於該半導體基板中定義出一溝槽;對該開口側壁之該第二材料層進行一退縮處理,該退縮處理中包含利用一蝕刻液進行之一濕蝕刻,該蝕刻液對第二材料層與該第一材料層之蝕刻選擇比範圍為20至40;以及於經過該退縮處理後之該開口與該溝槽中填入一絕緣材料而形成一淺溝槽隔離構造。
简体摘要：浅沟槽隔离构造形成方法,包含下列步骤:提供一半导体基板;于该半导体基板上方形成有一硬罩幕,该硬罩幕至少包含有一第一材料层、一第二材料层以及一开口;利用该开口而于该半导体基板中定义出一沟槽;对该开口侧壁之该第二材料层进行一退缩处理,该退缩处理中包含利用一蚀刻液进行之一湿蚀刻,该蚀刻液对第二材料层与该第一材料层之蚀刻选择比范围为20至40;以及于经过该退缩处理后之该开口与该沟槽中填入一绝缘材料而形成一浅沟槽隔离构造。

9. 发明专利

TW201248773A 半導體製程及其結構 SEMICONDUCTOR PROCESS AND FABRICATED STRUCTURE THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体制程及其结构 SEMICONDUCTOR PROCESS AND FABRICATED STRUCTURE THEREOF
公开(公告)号：TW201248773A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100118329
申请日：2011-05-25
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：宣騰竣 , 郭敏郎 , 簡金城 , 詹書儼
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體製程。首先,提供一基底,包含一隔離結構以及一氧化層。隔離結構將基底區分為一第一區以及一第二區,氧化層位於第一區以及第二區的表面。接著,進行一乾式清洗製程,移除氧化層。續之,形成一介電層,於第一區以及第二區上。其後,進行一濕蝕刻製程,移除第一區或第二區的介電層。此外,亦提供此半導體製程所形成之結構。
简体摘要：一种半导体制程。首先,提供一基底,包含一隔离结构以及一氧化层。隔离结构将基底区分为一第一区以及一第二区,氧化层位于第一区以及第二区的表面。接着,进行一干式清洗制程,移除氧化层。续之,形成一介电层,于第一区以及第二区上。其后,进行一湿蚀刻制程,移除第一区或第二区的介电层。此外,亦提供此半导体制程所形成之结构。

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