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1. 发明专利

TW201010008A 具有金屬閘極之電晶體及其製作方法 METAL GATE TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有金属闸极之晶体管及其制作方法 METAL GATE TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201010008A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW097132536
申请日：2008-08-26
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：林建廷 , 程立偉 , 曾榮宗 , 許哲華 , 尤志豪 , 蔣天福 , 陳奕文 , 賴建銘 , 周正賢
IPC分类号： H01L
摘要：一種製作具有金屬閘極之電晶體的方法。首先提供一基底，其上定義有一第一電晶體區與一第二電晶體區。然後形成複數個虛置閘極於基底上，並覆蓋一介電層於虛置閘極上。接著去除虛置閘極，以分別於第一電晶體區與第二電晶體區的介電層中形成一開口。隨後形成一高介電常數介電層並覆蓋介電層及各開口表面，覆蓋一第一遮蓋層於高介電常數介電層上，去除第二電晶體區的第一遮蓋層，並形成一金屬層於第一電晶體區的第一遮蓋層與第二電晶體區的高介電常數介電層表面。最後形成一導電層並填滿第一電晶體區與第二電晶體區的開口。
简体摘要：一种制作具有金属闸极之晶体管的方法。首先提供一基底，其上定义有一第一晶体管区与一第二晶体管区。然后形成复数个虚置闸极于基底上，并覆盖一介电层于虚置闸极上。接着去除虚置闸极，以分别于第一晶体管区与第二晶体管区的介电层中形成一开口。随后形成一高介电常数介电层并覆盖介电层及各开口表面，覆盖一第一遮盖层于高介电常数介电层上，去除第二晶体管区的第一遮盖层，并形成一金属层于第一晶体管区的第一遮盖层与第二晶体管区的高介电常数介电层表面。最后形成一导电层并填满第一晶体管区与第二晶体管区的开口。

2. 发明专利

TW201011837A 具有金屬閘極之電晶體及其製作方法 METAL GATE TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有金属闸极之晶体管及其制作方法 METAL GATE TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201011837A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW097134825
申请日：2008-09-11
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：尤志豪 , 程立偉 , 許哲華 , 周正賢 , 蔣天福 , 賴建銘 , 陳奕文 , 曾榮宗 , 林建廷 , 馬光華
IPC分类号： H01L
摘要：本發明是揭露一種製作具有金屬閘極之電晶體的方法。首先提供一基底，且基底上定義有一第一電晶體區與一第二電晶體區。然後形成一堆疊薄膜並覆蓋基底，且堆疊薄膜包含一高介電常數介電層與一第一金屬層。接著圖案化堆疊薄膜，以分別於第一電晶體區與第二電晶體區形成一閘極。然後形成一介電層並覆蓋該等閘極；進行一平坦化製程以去除部分介電層直至各閘極頂部：去除第二電晶體區之閘極內的第一金屬層；以及形成一第二金屬層於介電層及閘極表面，以於第一電晶體區及第二電晶體區分別形成一金屬閘極。
简体摘要：本发明是揭露一种制作具有金属闸极之晶体管的方法。首先提供一基底，且基底上定义有一第一晶体管区与一第二晶体管区。然后形成一堆栈薄膜并覆盖基底，且堆栈薄膜包含一高介电常数介电层与一第一金属层。接着图案化堆栈薄膜，以分别于第一晶体管区与第二晶体管区形成一闸极。然后形成一介电层并覆盖该等闸极；进行一平坦化制程以去除部分介电层直至各闸极顶部：去除第二晶体管区之闸极内的第一金属层；以及形成一第二金属层于介电层及闸极表面，以于第一晶体管区及第二晶体管区分别形成一金属闸极。

3. 发明专利

TWI370519B 具有金屬閘極之電晶體及其製作方法 METAL GATE TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：具有金属闸极之晶体管及其制作方法 METAL GATE TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI370519B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW097132536
申请日：2008-08-26
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：林建廷 , 程立偉 , 曾榮宗 , 許哲華 , 尤志豪 , 蔣天福 , 陳奕文 , 賴建銘 , 周正賢
IPC分类号： H01L
摘要：一種製作具有金屬閘極之電晶體的方法。首先提供一基底，其上定義有一第一電晶體區與一第二電晶體區。然後形成複數個虛置閘極於基底上，並覆蓋一介電層於虛置閘極上。接著去除虛置閘極，以分別於第一電晶體區與第二電晶體區的介電層中形成一開口。隨後形成一高介電常數介電層並覆蓋介電層及各開口表面，覆蓋一第一遮蓋層於高介電常數介電層上，去除第二電晶體區的第一遮蓋層，並形成一金屬層於第一電晶體區的第一遮蓋層與第二電晶體區的高介電常數介電層表面。最後形成一導電層並填滿第一電晶體區與第二電晶體區的開口。
简体摘要：一种制作具有金属闸极之晶体管的方法。首先提供一基底，其上定义有一第一晶体管区与一第二晶体管区。然后形成复数个虚置闸极于基底上，并覆盖一介电层于虚置闸极上。接着去除虚置闸极，以分别于第一晶体管区与第二晶体管区的介电层中形成一开口。随后形成一高介电常数介电层并覆盖介电层及各开口表面，覆盖一第一遮盖层于高介电常数介电层上，去除第二晶体管区的第一遮盖层，并形成一金属层于第一晶体管区的第一遮盖层与第二晶体管区的高介电常数介电层表面。最后形成一导电层并填满第一晶体管区与第二晶体管区的开口。

4. 发明专利

TWI364799B 半導體結構的製造方法與靜態隨機存取記憶體結構 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND STRUCTURE OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 有权
简体标题：半导体结构的制造方法与静态随机存取内存结构 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND STRUCTURE OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
公开(公告)号：TWI364799B
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW097112278
申请日：2008-04-03
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：尤志豪 , 程立偉 , 許哲華 , 蔣天福 , 周正賢 , 賴建銘 , 陳奕文 , 林建廷 , 馬光華
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體結構的製造方法，基底上已形成具有第一虛擬閘極之第一電晶體與具有第二虛擬閘極之第二電晶體，且第一電晶體與第二電晶體為不同導電型之電晶體。移除第一虛擬閘極與第二虛擬閘極而分別形成第一開口與第二開口。然後，於基底上依序形成高介電常數介電層、第二型導體層與第一低電阻導體層，填入第一開口與第二開口中，且第一低電阻導體層填滿第二開口。繼而，移除第一開口中之第一低電阻導體層與第二型導體層。而後，於第一開口中形成第一型導體層與第二低電阻導體層，第二低電阻導體層填滿第一開口。
简体摘要：一种半导体结构的制造方法，基底上已形成具有第一虚拟闸极之第一晶体管与具有第二虚拟闸极之第二晶体管，且第一晶体管与第二晶体管为不同导电型之晶体管。移除第一虚拟闸极与第二虚拟闸极而分别形成第一开口与第二开口。然后，于基底上依序形成高介电常数介电层、第二型导体层与第一低电阻导体层，填入第一开口与第二开口中，且第一低电阻导体层填满第二开口。继而，移除第一开口中之第一低电阻导体层与第二型导体层。而后，于第一开口中形成第一型导体层与第二低电阻导体层，第二低电阻导体层填满第一开口。

5. 发明专利

TWI536560B 金屬閘極結構及其形成方法有权
简体标题：金属闸极结构及其形成方法
公开(公告)号：TWI536560B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW098142307
申请日：2009-12-10
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林進富 , LIN, CHIN FU , 何念葶 , HO, NIEN TING , 林俊賢 , LIN, CHUN HSIEN , 尤志豪 , YU, CHIH HAO , 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN
IPC分类号： H01L29/49 , H01L21/28

6. 发明专利

TW201225163A 製造半導體結構的方法 METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE 审中-公开
简体标题：制造半导体结构的方法 METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
公开(公告)号：TW201225163A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099142638
申请日：2010-12-07
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳正國 , 李志成 , 徐韶華 , 曾榮宗 , 林建廷 , 周正賢
IPC分类号： H01L
摘要：本發明之製造半導體結構的方法包括對一層間介電層進行平坦化,進而移除部分厚度之硬遮罩,剩餘的硬遮罩的厚度小於硬遮罩的原有厚度,再將剩餘的硬遮罩及虛置閘極移除後,形成一凹槽。再於凹槽中填入閘極材料後可獲得相對準確高度的閘極。
简体摘要：本发明之制造半导体结构的方法包括对一层间介电层进行平坦化,进而移除部分厚度之硬遮罩,剩余的硬遮罩的厚度小于硬遮罩的原有厚度,再将剩余的硬遮罩及虚置闸极移除后,形成一凹槽。再于凹槽中填入闸极材料后可获得相对准确高度的闸极。

7. 发明专利

TWI354335B 具有雙金屬閘極之互補式金氧半導體元件之製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING A CMOS DEVICE HAVING DUAL METAL GATE 有权
简体标题：具有双金属闸极之互补式金属氧化物半导体组件之制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING A CMOS DEVICE HAVING DUAL METAL GATE
公开(公告)号：TWI354335B
公开(公告)日：2011-12-11
申请号：TW097102532
申请日：2008-01-23
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：尤志豪 , 程立偉 , 蔣天福 , 周正賢 , 林建廷 , 許哲華 , 馬光華
IPC分类号： H01L
摘要：一種具有雙金屬閘極之互補式金氧半導體元件之製作方法，包含有提供一表面形成有不同導電型之二電晶體與一覆蓋該等電晶體之介電層之基底，平坦化該介電層，暴露出該等電晶體之閘極導電層，於該基底上形成一暴露其中一導電型電晶體之圖案化阻擋層，進行一第一蝕刻製程移除該導電型電晶體之部分閘極，重新形成一金屬閘極，移除該圖案化阻擋層，進行一第二蝕刻製程移除另一導電型電晶體之部分閘極，並重新形成一金屬閘極。
简体摘要：一种具有双金属闸极之互补式金属氧化物半导体组件之制作方法，包含有提供一表面形成有不同导电型之二晶体管与一覆盖该等晶体管之介电层之基底，平坦化该介电层，暴露出该等晶体管之闸极导电层，于该基底上形成一暴露其中一导电型晶体管之图案化阻挡层，进行一第一蚀刻制程移除该导电型晶体管之部分闸极，重新形成一金属闸极，移除该图案化阻挡层，进行一第二蚀刻制程移除另一导电型晶体管之部分闸极，并重新形成一金属闸极。

8. 发明专利

TW200943434A 半導體結構的製造方法與靜態隨機存取記憶體結構 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND STRUCTURE OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 审中-公开
简体标题：半导体结构的制造方法与静态随机存取内存结构 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND STRUCTURE OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
公开(公告)号：TW200943434A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097112278
申请日：2008-04-03
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：尤志豪 , 程立偉 , 許哲華 , 蔣天福 , 周正賢 , 賴建銘 , 陳奕文 , 林建廷 , 馬光華
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體結構的製造方法，基底上已形成具有第一虛擬閘極之第一電晶體與具有第二虛擬閘極之第二電晶體，且第一電晶體與第二電晶體為不同導電型之電晶體。移除第一虛擬閘極與第二虛擬閘極而分別形成第一開口與第二開口。然後，於基底上依序形成高介電常數介電層、第二型導體層與第一低電阻導體層，填入第一開口與第二開口中，且第一低電阻導體層填滿第二開口。繼而，移除第一開口中之第一低電阻導體層與第二型導體層。而後，於第一開口中形成第一型導體層與第二低電阻導體層，第二低電阻導體層填滿第一開口。
简体摘要：一种半导体结构的制造方法，基底上已形成具有第一虚拟闸极之第一晶体管与具有第二虚拟闸极之第二晶体管，且第一晶体管与第二晶体管为不同导电型之晶体管。移除第一虚拟闸极与第二虚拟闸极而分别形成第一开口与第二开口。然后，于基底上依序形成高介电常数介电层、第二型导体层与第一低电阻导体层，填入第一开口与第二开口中，且第一低电阻导体层填满第二开口。继而，移除第一开口中之第一低电阻导体层与第二型导体层。而后，于第一开口中形成第一型导体层与第二低电阻导体层，第二低电阻导体层填满第一开口。

9. 发明专利

TWI446456B 具有金屬閘極之電晶體及其製作方法有权
简体标题：具有金属闸极之晶体管及其制作方法
公开(公告)号：TWI446456B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW097134825
申请日：2008-09-11
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：尤志豪 , YU, CHIH HAO , 程立偉 , CHENG, LI WEI , 許哲華 , HSU, CHE HUA , 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 蔣天福 , CHIANG, TIAN FU , 賴建銘 , LAI, CHIEN MING , 陳奕文 , CHEN, YI WEN , 曾榮宗 , TSENG, JUNG TSUNG , 林建廷 , LIN, CHIEN TING , 馬光華 , MA, GUANG HWA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8238

10. 发明专利

TW201121043A 金屬閘極結構及其形成方法 METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：金属闸极结构及其形成方法 METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201121043A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW098142307
申请日：2009-12-10
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：林進富 , 何念葶 , 林俊賢 , 尤志豪 , 周正賢
IPC分类号： H01L
摘要：本發明之金屬閘極結構可包含有氮化鈦複合結構，而氮化鈦複合結構所含之氮/鈦元素比例會隨著厚度由下而上減少。具體而言，氮化鈦複合結構可包含單一氮化鈦層，且氮化鈦層所含之氮/鈦元素比例可隨著厚度由下而上逐漸減少；或者，氮化鈦複合結構可包含複數層堆疊之氮化鈦層，其中位於最下層之氮化鈦層的氮/鈦元素比例會比相鄰之氮化鈦層的氮/鈦元素比例更高。
简体摘要：本发明之金属闸极结构可包含有氮化钛复合结构，而氮化钛复合结构所含之氮/钛元素比例会随着厚度由下而上减少。具体而言，氮化钛复合结构可包含单一氮化钛层，且氮化钛层所含之氮/钛元素比例可随着厚度由下而上逐渐减少；或者，氮化钛复合结构可包含复数层堆栈之氮化钛层，其中位于最下层之氮化钛层的氮/钛元素比例会比相邻之氮化钛层的氮/钛元素比例更高。

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