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1. 发明专利

TW201301356A 半導體元件的製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件的制作方法
公开(公告)号：TW201301356A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW100121112
申请日：2011-06-16
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：賴建銘 , LAI, CHIEN MING , 陳奕文 , CHEN, YI WEN , 李志成 , LEE, ZHI CHENG , 黃同雋 , HUANG, TONG JYUN , 許哲華 , HSU, CHE HUA , 林坤賢 , LIN, KUN HSIEN , 李宗穎 , LEE, TZUNG YING , 許啟茂 , HSU, CHI MAO , 黃信富 , HUANG, HSIN FU , 林進富 , LIN, CHIN FU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
摘要：一種半導體元件的製造方法，包括下述步驟：首先，提供具有一假閘電極層的假閘極(dummy gate)結構。接著移除此一假閘電極層，以於閘極結構中形成一個開口，將下方材質層暴露出來。然後，針對移除了假閘電極層的假閘極結構進行氫氧化氨(NH4OH)處理製程。再以金屬材料填充此開口。
简体摘要：一种半导体组件的制造方法，包括下述步骤：首先，提供具有一假闸电极层的假闸极(dummy gate)结构。接着移除此一假闸电极层，以于闸极结构中形成一个开口，将下方材质层暴露出来。然后，针对移除了假闸电极层的假闸极结构进行氢氧化氨(NH4OH)处理制程。再以金属材料填充此开口。

2. 发明专利

TWI487009B 金屬閘極和多晶矽電阻的製程與多晶矽電阻的結構有权
简体标题：金属闸极和多晶硅电阻的制程与多晶硅电阻的结构
公开(公告)号：TWI487009B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW098120848
申请日：2009-06-22
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：范政文 , FAN, CHENG WEN , 曾坤賜 , TSENG, KUN SZU , 許哲華 , HSU, CHE HUA , 曾誌裕 , TSENG, CHIH YU , 梁其翔 , LIANG, VICTOR-CHIANG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/02

3. 发明专利

TWI464786B 形成金屬閘極結構之方法與形成金屬閘極電晶體之方法有权
简体标题：形成金属闸极结构之方法与形成金属闸极晶体管之方法
公开(公告)号：TWI464786B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW099117043
申请日：2010-05-27
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：許哲華 , HSU, CHE HUA , 徐韶華 , HSU, SHAO HUA , 李志成 , LEE, ZHI CHENG , 陳正國 , CHEN, CHENG GUO
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336

4. 发明专利

TWI446456B 具有金屬閘極之電晶體及其製作方法有权
简体标题：具有金属闸极之晶体管及其制作方法
公开(公告)号：TWI446456B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW097134825
申请日：2008-09-11
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：尤志豪 , YU, CHIH HAO , 程立偉 , CHENG, LI WEI , 許哲華 , HSU, CHE HUA , 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 蔣天福 , CHIANG, TIAN FU , 賴建銘 , LAI, CHIEN MING , 陳奕文 , CHEN, YI WEN , 曾榮宗 , TSENG, JUNG TSUNG , 林建廷 , LIN, CHIEN TING , 馬光華 , MA, GUANG HWA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8238

6. 发明专利

TWI456361B 移除光阻的方法有权
公开(公告)号：TWI456361B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW098134490
申请日：2009-10-12
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：簡金城 , CHIEN, CHIN CHENG , 楊建倫 , YANG, CHAN LON , 葉秋顯 , YEH, CHIU HSIEN , 許哲華 , HSU, CHE HUA , 李志成 , LEE, ZHI CHENG , 徐韶華 , HSU, SHAO HUA , 陳正國 , CHEN, CHENG GUO , 陳信琦 , CHEN, SHIN CHI , 王志堅 , WANG, ZHI JIAN
IPC分类号： G03F7/42

7. 发明专利

TWI384619B 半導體裝置及其形成方法有权
简体标题：半导体设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI384619B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW096115717
申请日：2007-05-03
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林建廷 , LIN, CHIEN TING , 程立偉 , CHENG, LI WEI , 許哲華 , HSU, CHE HUA , 黃耀聰 , HUANG, YAO TSUNG , 馬光華 , MA, GUANG HWA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

8. 发明专利

TWI488224B 硬罩幕去除方法有权
公开(公告)号：TWI488224B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW099131455
申请日：2010-09-16
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：許哲華 , HSU, CHE HUA , 徐韶華 , HSU, SHAO HUA , 李志成 , LEE, ZHI CHENG , 陳正國 , CHEN, CHENG GUO , 陳信琦 , CHEN, SHIN CHI , 施宏霖 , SHIH, HUNG LING , 吳宏益 , WU, HUNG YI , 黃恒慶 , HUANG, HENG CHING
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/76

9. 发明专利

TW201347044A 具有金屬閘極之半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：具有金属闸极之半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201347044A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101116571
申请日：2012-05-09
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：賴建銘 , LAI, CHIEN MING , 黃瑞民 , HUANG, RAI MIN , 黃同雋 , HUANG, TONG JYUN , 許哲華 , HSU, CHE HUA , 陳奕文 , CHEN, YI WEN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要：一種具有金屬閘極之半導體元件之製造方法。於第一與第二半導體元件中分別形成第一與第二閘極溝渠。於第一與第二閘極溝渠中形成第一功函數金屬層。於基底上形成第一遮蔽層。進行第一次移除部分第一遮蔽層之步驟，使留下的第一遮蔽層位於第二閘極溝渠的底部並且填滿第一閘極溝渠。進行第二次移除部分第一遮蔽層之步驟，留下位於第一閘極溝渠底部的第一遮蔽層，使第二閘極溝渠以及第一閘極溝渠側壁的第一功函數金屬層裸露出來。移除未被第一遮蔽層覆蓋的第一功函數金屬層，只留下第一閘極溝渠底部的第一功函數金屬層。移除第一遮蔽層。
简体摘要：一种具有金属闸极之半导体组件之制造方法。于第一与第二半导体组件中分别形成第一与第二闸极沟渠。于第一与第二闸极沟渠中形成第一功函数金属层。于基底上形成第一屏蔽层。进行第一次移除部分第一屏蔽层之步骤，使留下的第一屏蔽层位于第二闸极沟渠的底部并且填满第一闸极沟渠。进行第二次移除部分第一屏蔽层之步骤，留下位于第一闸极沟渠底部的第一屏蔽层，使第二闸极沟渠以及第一闸极沟渠侧壁的第一功函数金属层裸露出来。移除未被第一屏蔽层覆盖的第一功函数金属层，只留下第一闸极沟渠底部的第一功函数金属层。移除第一屏蔽层。

10. 发明专利

TWI575576B 半導體元件的製作方法有权
简体标题：半导体组件的制作方法
公开(公告)号：TWI575576B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW100121112
申请日：2011-06-16
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：賴建銘 , LAI, CHIEN MING , 陳奕文 , CHEN, YI WEN , 李志成 , LEE, ZHI CHENG , 黃同雋 , HUANG, TONG JYUN , 許哲華 , HSU, CHE HUA , 林坤賢 , LIN, KUN HSIEN , 李宗穎 , LEE, TZUNG YING , 許啟茂 , HSU, CHI MAO , 黃信富 , HUANG, HSIN FU , 林進富 , LIN, CHIN FU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336

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