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    • 5. 发明专利
    • 位準移位器 LEVEL SHIFTER
    • 位准移位器 LEVEL SHIFTER
    • TW201251332A
    • 2012-12-16
    • TW101120163
    • 2012-06-05
    • 美格納半導體有限公司
    • 金亨奎金鎮旭崔培根
    • H03K
    • H03K3/356113
    • 本發明揭示一種位準移位器。該位準移位器包含:一第一位準移位器單元,其經組態以使用複數個電晶體來將一外部輸入信號轉換成一預設第一電壓範圍內之一信號且輸出該經轉換信號;及一第二位準移位器單元,其經組態以使用複數個電晶體來將自該第一位準移位器單元輸出之該信號轉換成一預設第二電壓範圍內之一信號且輸出該經轉換信號。該第二電壓範圍之一上臨限電壓大於該第一電壓範圍之一上臨限電壓且該第二電壓範圍之一下臨限電壓大於該第一電壓範圍之一下臨限電壓。在該第一位準移位器單元之該複數個電晶體及該第二位準移位器單元之該複數個電晶體之各者中,該電晶體之一閘極與一源極之間之一電壓等於或小於6伏特。
    • 本发明揭示一种位准移位器。该位准移位器包含:一第一位准移位器单元,其经组态以使用复数个晶体管来将一外部输入信号转换成一默认第一电压范围内之一信号且输出该经转换信号;及一第二位准移位器单元,其经组态以使用复数个晶体管来将自该第一位准移位器单元输出之该信号转换成一默认第二电压范围内之一信号且输出该经转换信号。该第二电压范围之一上临限电压大于该第一电压范围之一上临限电压且该第二电压范围之一下临限电压大于该第一电压范围之一下临限电压。在该第一位准移位器单元之该复数个晶体管及该第二位准移位器单元之该复数个晶体管之各者中,该晶体管之一闸极与一源极之间之一电压等于或小于6伏特。