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1. 发明专利

TW200810168A 使用亞菁化合物之有機光敏性裝置 ORGANIC PHOTOSENSITIVE DEVICES USING SUBPHTHALOCYANINE COMPOUNDS 审中-公开
简体标题：使用亚菁化合物之有机光敏性设备 ORGANIC PHOTOSENSITIVE DEVICES USING SUBPHTHALOCYANINE COMPOUNDS
公开(公告)号：TW200810168A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096118596
申请日：2007-05-24
申请人：美國普林斯頓大學信託會 THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY , 美國密西根州立大學 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN , 美國南加州大學 THE UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA
发明人：貝利P 雷德 RAND, BARRY P. , 史帝芬R 福瑞斯特 FORREST, STEPHEN R. , 馬克E 湯普生 THOMPSON, MARK E. , 伊莉莎白瑪尤 MAYO, ELIZABETH , 克莉絲汀L 瑪汀妮茲 MARTINEZ, KRISTIN L.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0078 , C09B47/00 , C09B47/04 , H01L51/008 , H01L51/424 , H01L51/4246 , Y02E10/52 , Y02E10/549
摘要：本發明提供一種有機光敏性光電子裝置,其具有類似供體之材料與類似受體之材料的供體-受體異質接面,且本發明提供製造該裝置之方法。該類似供體之材料與該類似受體之材料中之至少一者包括亞菁、亞及/或亞四氮雜化合物;且/或該裝置視情況具有一阻擋層與一電荷輸送層中之至少一者,其中該阻擋層及/或該電荷輸送層包括亞菁、亞及/或亞四氮雜化合物。
简体摘要：本发明提供一种有机光敏性光电子设备,其具有类似供体之材料与类似受体之材料的供体-受体异质接面,且本发明提供制造该设备之方法。该类似供体之材料与该类似受体之材料中之至少一者包括亚菁、亚及/或亚四氮杂化合物;且/或该设备视情况具有一阻挡层与一电荷输送层中之至少一者,其中该阻挡层及/或该电荷输送层包括亚菁、亚及/或亚四氮杂化合物。

2. 发明专利

TW200832772A 有機混合平面-奈米結晶狀之大塊異質接面 ORGANIC HYBRID PLANAR-NANOCRYSTALLINE BULK HETEROJUNCTIONS 审中-公开
简体标题：有机混合平面-奈米结晶状之大块异质接面 ORGANIC HYBRID PLANAR-NANOCRYSTALLINE BULK HETEROJUNCTIONS
公开(公告)号：TW200832772A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096143735
申请日：2007-11-19
申请人：美國普林斯頓大學信託會 THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY , 美國密西根州立大學 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：史帝芬R 福瑞斯特 FORREST, STEPHEN R. , 楊帆 YANG, FAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/302 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0078 , H01L51/0086 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於一種具有經改良混合平面大塊異質接面之感光型光電子裝置,其包括複數種安置於陽極與陰極之間的光導材料。該等光導材料包括供體材料之第一連續層及受體材料之第二連續層。一或多種供體材料之第一網路自該第一連續層朝該第二連續層延伸,從而提供將電洞傳導至該第一連續層之連續路徑。一或多種受體材料之第二網路自該第二連續層朝該第一連續層延伸,從而提供將電子傳導至該第二連續層之連續路徑。該第一網路與該第二網路係彼此間交錯。至少一種其他光導材料係散置於該等交錯網路之間。此其他光導材料具有不同於供體材料及受體材料之吸收光譜。
简体摘要：本发明系关于一种具有经改良混合平面大块异质接面之感光型光电子设备,其包括复数种安置于阳极与阴极之间的光导材料。该等光导材料包括供体材料之第一连续层及受体材料之第二连续层。一或多种供体材料之第一网络自该第一连续层朝该第二连续层延伸,从而提供将电洞传导至该第一连续层之连续路径。一或多种受体材料之第二网络自该第二连续层朝该第一连续层延伸,从而提供将电子传导至该第二连续层之连续路径。该第一网络与该第二网络系彼此间交错。至少一种其他光导材料系散置于该等交错网络之间。此其他光导材料具有不同于供体材料及受体材料之吸收光谱。

3. 发明专利

TW200822410A 用於設計高效率有機光生伏打電池之結構及標準 ARCHITECTURES AND CRITERIA FOR THE DESIGN OF HIGH EFFICIENCY ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELLS 失效
简体标题：用于设计高效率有机光生伏打电池之结构及标准 ARCHITECTURES AND CRITERIA FOR THE DESIGN OF HIGH EFFICIENCY ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELLS
公开(公告)号：TW200822410A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096125667
申请日：2007-07-13
申请人：美國普林斯頓大學信託會 THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY , 美國密西根州立大學 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：貝利雷德 RAND, BARRY , 史帝芬R 福瑞斯特 FORREST, STEPHEN R. , 黛安娜潘德葛瑞斯柏克 BURK, DIANA PENDERGRAST
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/4246 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0046 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要：本發明揭示一種有機光生伏打電池,其包含一陽極及一陰極,以及在該陽極與該陰極之間的複數個有機半導體層。該陽極與該陰極之至少一項係透明的。該複數個有機半導體層之每二個鄰近層直接接觸。該複數個有機半導體層包含本質上由一光導材料組成的一中間層,以及二組至少三個層。一第一組至少三個層係在該中間層與該陽極之間。該第一組之每一個層本質上由一不同有機半導體材料組成,該材料具有關於更接近於該陰極的該複數個有機半導體層之一鄰近層的材料之一較高LUMO及一較高HOMO。一第二組至少三個層係在該中間層與該陰極之間。該第二組之每一個層本質上由一不同有機半導體材料組成,該材料具有關於更接近於該陽極的該複數個有機半導體層之一鄰近層的材料之一較低LUMO及一較低HOMO。
简体摘要：本发明揭示一种有机光生伏打电池,其包含一阳极及一阴极,以及在该阳极与该阴极之间的复数个有机半导体层。该阳极与该阴极之至少一项系透明的。该复数个有机半导体层之每二个邻近层直接接触。该复数个有机半导体层包含本质上由一光导材料组成的一中间层,以及二组至少三个层。一第一组至少三个层系在该中间层与该阳极之间。该第一组之每一个层本质上由一不同有机半导体材料组成,该材料具有关于更接近于该阴极的该复数个有机半导体层之一邻近层的材料之一较高LUMO及一较高HOMO。一第二组至少三个层系在该中间层与该阴极之间。该第二组之每一个层本质上由一不同有机半导体材料组成,该材料具有关于更接近于该阳极的该复数个有机半导体层之一邻近层的材料之一较低LUMO及一较低HOMO。

4. 发明专利

TW200816535A 用於有機光感裝置較大異質接合介面面積之控制成長 CONTROLLED GROWTH OF LARGER HETEROJUNCTION INTERFACE AREA FOR ORGANIC PHOTOSENSITIVE DEVICES 失效
简体标题：用于有机光感设备较大异质接合界面面积之控制成长 CONTROLLED GROWTH OF LARGER HETEROJUNCTION INTERFACE AREA FOR ORGANIC PHOTOSENSITIVE DEVICES
公开(公告)号：TW200816535A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096125088
申请日：2007-07-10
申请人：美國普林斯頓大學信託會 THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY , 美國密西根州立大學 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：楊帆 FAN YANG , 史帝芬R 福瑞斯特 FORREST, STEPHEN R.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/4246 , H01L51/0008 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明揭示一種光電子裝置與一種製造光感光電子裝置的方法,其包括:於一第一電極上沉積一第一有機半導體材料以形成一具有突出部分的連續第一層,背對該第一電極之第一層之一側具有比一下方橫斷面面積大至少三倍的一表面面積;直接於該第一層上沉積一第二有機半導體材料以形成一不連續第二層,該第一層之部分保持曝露;直接於該第二層上沉積一第三有機半導體材料以形成一不連續第三層,至少該第二層之部分保持曝露;於該第三層上沉積一第四有機半導體材料以形成一連續第四層,填充該等第一、第二、與第三層中之任何曝露間隙與凹陷;以及於該第四層上沉積一第二電極,其中該第一電極與該第二電極中的至少一者係透明的,且該等第一與第三有機半導體材料相對於第二與第四有機半導體材料均為一施體類型或一受體類型,該等第二與第四有機半導體材料係另一材料類型。
简体摘要：本发明揭示一种光电子设备与一种制造光感光电子设备的方法,其包括:于一第一电极上沉积一第一有机半导体材料以形成一具有突出部分的连续第一层,背对该第一电极之第一层之一侧具有比一下方横断面面积大至少三倍的一表面面积;直接于该第一层上沉积一第二有机半导体材料以形成一不连续第二层,该第一层之部分保持曝露;直接于该第二层上沉积一第三有机半导体材料以形成一不连续第三层,至少该第二层之部分保持曝露;于该第三层上沉积一第四有机半导体材料以形成一连续第四层,填充该等第一、第二、与第三层中之任何曝露间隙与凹陷;以及于该第四层上沉积一第二电极,其中该第一电极与该第二电极中的至少一者系透明的,且该等第一与第三有机半导体材料相对于第二与第四有机半导体材料均为一施体类型或一受体类型,该等第二与第四有机半导体材料系另一材料类型。

5. 发明专利

TW200840062A 具有量子點嵌於能量屏障中之中段光感裝置 INTERMEDIATE-BAND PHOTOSENSITIVE DEVICE WITH QUANTUM DOTS EMBEDDED IN ENERGY FENCE BARRIER 失效
简体标题：具有量子点嵌于能量屏障中之中段光感设备 INTERMEDIATE-BAND PHOTOSENSITIVE DEVICE WITH QUANTUM DOTS EMBEDDED IN ENERGY FENCE BARRIER
公开(公告)号：TW200840062A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096142721
申请日：2007-11-12
申请人：美國普林斯頓大學信託會 THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY , 美國密西根州立大學 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：史帝芬R 福瑞斯特 FORREST, STEPHEN R. , 韋國丹 WEI, GUODAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要：一第一半導體材料之複數個層與複數個帶點籬屏障係佈置於一第一電極與一第二電極之間的一堆疊中。每一帶點籬屏障本質上由嵌於一第三半導體材料之兩個層之間並與其直接接觸的一第二半導體材料之複數個量子點組成。該等量子點之波函數重疊為至少一中段。該第三半導體材料之層係配置為穿隧阻障以要求該第一材料之一層中的一第一電子及/或一第一電洞執行量子機械穿隧以達到一個別量子點內的第二材料,並要求該第一半導體材料之一層中的一第二電子及/或一第二電洞執行量子機械穿隧以達到該第一半導體材料之另一層。
简体摘要：一第一半导体材料之复数个层与复数个带点篱屏障系布置于一第一电极与一第二电极之间的一堆栈中。每一带点篱屏障本质上由嵌于一第三半导体材料之两个层之间并与其直接接触的一第二半导体材料之复数个量子点组成。该等量子点之波函数重叠为至少一中段。该第三半导体材料之层系配置为穿隧阻障以要求该第一材料之一层中的一第一电子及/或一第一电洞运行量子机械穿隧以达到一个别量子点内的第二材料,并要求该第一半导体材料之一层中的一第二电子及/或一第二电洞运行量子机械穿隧以达到该第一半导体材料之另一层。

6. 发明专利

TW200937657A 第II型量子點太陽能電池 TYPE II QUANTUM DOT SOLAR CELLS 失效
简体标题：第II型量子点太阳能电池 TYPE II QUANTUM DOT SOLAR CELLS
公开(公告)号：TW200937657A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097139136
申请日：2008-10-09
申请人：美國密西根州立大學 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN , 美國普林斯頓大學信託會 THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY
发明人：史帝芬R 福瑞斯特 FORREST, STEPHEN R. , 韋國丹 WEI, GUODAN , 徐崑庭 SHIU, KUEN TING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y30/00 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y10S977/932 , Y10S977/948
摘要：本發明提供一種裝置,其包含半導體材料之複數個圍籬層及第二半導體材料之量子點嵌入第三半導體材料之間且與其直接接觸之複數個交替層,該等交替層係安置於p-型與n-型半導體材料間之堆疊中。該第二半導體材料之每一量子點與該第三半導體材料形成一具有第II型能帶排列的異質接面。本發明亦提供一種製造該裝置之方法。
简体摘要：本发明提供一种设备,其包含半导体材料之复数个围篱层及第二半导体材料之量子点嵌入第三半导体材料之间且与其直接接触之复数个交替层,该等交替层系安置于p-型与n-型半导体材料间之堆栈中。该第二半导体材料之每一量子点与该第三半导体材料形成一具有第II型能带排列的异质接面。本发明亦提供一种制造该设备之方法。

7. 发明专利

TW200913299A 使用全有機奈米晶網路之有效率太陽能電池 EFFICIENT SOLAR CELLS USING ALL-ORGANIC NANOCRYSTALLINE NETWORKS 失效
简体标题：使用全有机奈米晶网络之有效率太阳能电池 EFFICIENT SOLAR CELLS USING ALL-ORGANIC NANOCRYSTALLINE NETWORKS
公开(公告)号：TW200913299A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097127518
申请日：2008-07-18
申请人：美國密西根州立大學 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN , 美國普林斯頓大學信託會 THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY
发明人：楊帆 YANG, FAN , 史帝芬R 福瑞斯特 FORREST, STEPHEN R.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/4246 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0008 , H01L51/0046 , H01L51/0078 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要：本發明係關於一種光電子裝置及製造感光性光電子裝置之方法,其包括將第一有機半導體材料沈積於第一電極上以形成連續之第一層;將一層第二有機半導體材料沈積於該第一層上以形成不連續之第二層,該第一層某些部分仍保持暴露;且將該第一有機半導體材料沈積於該第二層上以形成不連續之第三層,至少該第二層之某些部分仍保持曝露。第一及第二有機半導體材料交替沈積若干次,直至添加最終的第二有機材料層形成連續層。將第二電極沈積於此最終層上。第一電極及第二電極中之一者為透明的,且第一有機半導體材料相對於第二有機半導體材料為一或多種供體型材料或一或多種受體型材料,而該第二有機半導體材料則為一或多種另一材料類型之材料。
简体摘要：本发明系关于一种光电子设备及制造感光性光电子设备之方法,其包括将第一有机半导体材料沉积于第一电极上以形成连续之第一层;将一层第二有机半导体材料沉积于该第一层上以形成不连续之第二层,该第一层某些部分仍保持暴露;且将该第一有机半导体材料沉积于该第二层上以形成不连续之第三层,至少该第二层之某些部分仍保持曝露。第一及第二有机半导体材料交替沉积若干次,直至添加最终的第二有机材料层形成连续层。将第二电极沉积于此最终层上。第一电极及第二电极中之一者为透明的,且第一有机半导体材料相对于第二有机半导体材料为一或多种供体型材料或一或多种受体型材料,而该第二有机半导体材料则为一或多种另一材料类型之材料。

8. 发明专利

TW200845448A 利用極薄感應層之有機光伏打電池 ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELLS UTILIZING ULTRATHIN SENSITIZING LAYER 审中-公开
简体标题：利用极薄感应层之有机光伏打电池 ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELLS UTILIZING ULTRATHIN SENSITIZING LAYER
公开(公告)号：TW200845448A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096145784
申请日：2007-11-30
申请人：美國普林斯頓大學信託會 THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY , 美國密西根州立大學 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：史帝芬R 福瑞斯特 FORREST, STEPHEN R. , 楊帆 YANG, FAN , 貝利P 雷德 RAND, BARRY P.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/4246 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0046 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要：本發明揭示一種光敏裝置,其包含以一堆疊置放在一第一電極與一第二電極之間的複數種有機光導材料,該等材料包含施體主體材料之一第一連續層、受體主體材料之一第二連續層、以及經置放成在該第一連續層與該第二連續層之間之複數個不連續島狀物的至少一種其他有機光導材料。此等其他光導材料之每一種具有不同於該施體主體材料及該受體主體材料之吸收光譜。該等不連續島狀物之每一個較佳係基本上由該個別有機光導材料之微晶體組成,且該等微晶體更佳係奈米晶體。
简体摘要：本发明揭示一种光敏设备,其包含以一堆栈置放在一第一电极与一第二电极之间的复数种有机光导材料,该等材料包含施体主体材料之一第一连续层、受体主体材料之一第二连续层、以及经置放成在该第一连续层与该第二连续层之间之复数个不连续岛状物的至少一种其他有机光导材料。此等其他光导材料之每一种具有不同于该施体主体材料及该受体主体材料之吸收光谱。该等不连续岛状物之每一个较佳系基本上由该个别有机光导材料之微晶体组成,且该等微晶体更佳系奈米晶体。

9. 发明专利

TW200935970A 穩定之藍磷光有機發光裝置 STABLE BLUE PHOSPHORESCENT ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICES 审中-公开
简体标题：稳定之蓝磷光有机发光设备 STABLE BLUE PHOSPHORESCENT ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICES
公开(公告)号：TW200935970A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097143253
申请日：2008-11-07
申请人：美國密西根州立大學 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN , 美國南加州大學 THE UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA
发明人：史帝芬R 福瑞斯特 FORREST, STEPHEN R. , 馬克湯普森 THOMPSON, MARK , 諾爾基賓克 GIEBINK, NOEL
IPC分类号： H05B , H01L
CPC分类号： H01L51/5028 , C07F15/0033 , C09K11/06 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , Y10S428/917
摘要：本發明提供用於有機發光裝置之材料及裝置架構的新穎組合。本發明提供一種有機發光裝置,其具有陽極、陰極及佈置於該陽極與該陰極之間之發射層。該發射層包括主體及峰値發射波長小於500 nm、且輻射磷光壽命小於1微秒之磷光發射摻雜劑。較佳地,該磷光發射摻雜劑包括具有唑基團之配位體。
简体摘要：本发明提供用于有机发光设备之材料及设备架构的新颖组合。本发明提供一种有机发光设备,其具有阳极、阴极及布置于该阳极与该阴极之间之发射层。该发射层包括主体及峰値发射波长小于500 nm、且辐射磷光寿命小于1微秒之磷光发射掺杂剂。较佳地,该磷光发射掺杂剂包括具有唑基团之配位体。

10. 发明专利

TW200742145A 包含具穿隧障壁嵌入之有機矩陣的量子點之中帶感光裝置 INTERMEDIATE-BAND PHOTOSENSITIVE DEVICE WITH QUANTUM DOTS HAVING TUNNELING BARRIER EMBEDDED IN ORGANIC MATRIX 审中-公开
简体标题：包含具穿隧障壁嵌入之有机矩阵的量子点之中带感光设备 INTERMEDIATE-BAND PHOTOSENSITIVE DEVICE WITH QUANTUM DOTS HAVING TUNNELING BARRIER EMBEDDED IN ORGANIC MATRIX
公开(公告)号：TW200742145A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095146992
申请日：2006-12-15
申请人：美國普林斯頓大學信託會 THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY
发明人：史帝芬R 福瑞斯特 FORREST, STEPHEN R.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/426 , B82Y10/00 , H01L29/127 , H01L51/424 , Y02E10/549
摘要：本發明揭示各具有一殼層的複數個量子點。該等量子點係嵌入一有機矩陣。至少該等量子點與該有機矩陣係光導半導體。每一量子點之殼層係作為一穿隧障壁而配置成需要在該有機矩陣中的穿隧障壁之一基底處之一電荷載子(一電子或一電洞)執行量子機械穿隧以到達個別量子點。每一量子點中之一第一量子狀態係介於該有機矩陣之一最低未佔據分子軌道(LUMO)與一最高佔據分子軌道(HOMO)之間。該複數個量子點之第一量子狀態之波函數可重疊為形成一中帶。
简体摘要：本发明揭示各具有一壳层的复数个量子点。该等量子点系嵌入一有机矩阵。至少该等量子点与该有机矩阵系光导半导体。每一量子点之壳层系作为一穿隧障壁而配置成需要在该有机矩阵中的穿隧障壁之一基底处之一电荷载子(一电子或一电洞)运行量子机械穿隧以到达个别量子点。每一量子点中之一第一量子状态系介于该有机矩阵之一最低未占据分子轨道(LUMO)与一最高占据分子轨道(HOMO)之间。该复数个量子点之第一量子状态之波函数可重叠为形成一中带。

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