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1. 发明专利

TW201312661A 半鰭式FET半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半鳍式FET半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201312661A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101130974
申请日：2012-08-27
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：陳向東 , CHEN, XIANGDONG , 夏維 , XIA, WEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/66659 , H01L29/66787 , H01L29/7835 , H01L29/785
摘要：本發明公開了一種半鰭式FET半導體裝置及相關方法。根據一個實施方式，半鰭式FET半導體裝置包括形成於半導體主體上方的閘極結構。半導體主體包括由延伸超過閘極結構第一側的多個鰭構成的源極區以及與和閘極區的與多個鰭相對的第二側相鄰的連續汲極區。連續汲極區使半鰭式FET半導體裝置具有降低的導通電阻。製造具有半鰭式FET結構的半導體裝置的方法，包括：在半導體主體內指定源極和汲極區、蝕刻源極區以產生多個源極鰭，同時在蝕刻期間掩膜汲極區以提供連續汲極區，從而使得半鰭式FET結構具有降低的導通電阻。
简体摘要：本发明公开了一种半鳍式FET半导体设备及相关方法。根据一个实施方式，半鳍式FET半导体设备包括形成于半导体主体上方的闸极结构。半导体主体包括由延伸超过闸极结构第一侧的多个鳍构成的源极区以及与和闸极区的与多个鳍相对的第二侧相邻的连续汲极区。连续汲极区使半鳍式FET半导体设备具有降低的导通电阻。制造具有半鳍式FET结构的半导体设备的方法，包括：在半导体主体内指定源极和汲极区、蚀刻源极区以产生多个源极鳍，同时在蚀刻期间掩膜汲极区以提供连续汲极区，从而使得半鳍式FET结构具有降低的导通电阻。

2. 发明专利

TWI503959B 用於一次性可編程記憶體的具有電熔絲結構的半導體裝置及製造電熔絲結構的方法失效
简体标题：用于一次性可编程内存的具有电熔丝结构的半导体设备及制造电熔丝结构的方法
公开(公告)号：TWI503959B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW101131859
申请日：2012-08-31
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：陳向東 , CHEN, XIANGDONG , 夏維 , XIA, WEI
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L27/0629 , H01L27/101 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

TWI487039B 半鰭式FET半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半鳍式FET半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI487039B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW101130974
申请日：2012-08-27
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：陳向東 , CHEN, XIANGDONG , 夏維 , XIA, WEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/66659 , H01L29/66787 , H01L29/7835 , H01L29/785

4. 发明专利

TWI474443B 一次OTP可編程器件及用於利用雙FINFET一次可編程器件的方法有权
简体标题：一次OTP可编程器件及用于利用双FINFET一次可编程器件的方法
公开(公告)号：TWI474443B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101129535
申请日：2012-08-15
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：夏維 , XIA, WEI , 陳向東 , CHEN, XIANDONG
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L29/7855 , G11C11/34 , G11C17/12 , H01L23/5252 , H01L27/11206 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201320162A 半導體晶片中的金屬-絕緣體-金屬電容器及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体芯片中的金属-绝缘体-金属电容器及其制作方法
公开(公告)号：TW201320162A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101133976
申请日：2012-09-17
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：陳向東 , CHEN, XIANGDONG , 陳國順 , CHEN, HENRY KUO-SHUN , 夏維 , XIA, WEI , 沈志杰 , SHEN, BRUCE CHIH-CHIEH
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/92
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本申請涉及製作具有局部互連金屬電極的金屬-絕緣體-金屬電容器的方法及相關結構。根據例示性實施方式提供了一種在半導體晶片中製作金屬-絕緣體-金屬電容器的方法，包括：在位於半導體晶片的第一金屬化層下的元件層上形成底部電容器電極，在底部電容器電極上形成的層間阻擋電介質上形成頂部電容器電極。頂部電容器電極由用於連接形成在元件層中的元件的局部互連金屬形成。該方法還包括在第一金屬化層中、所述頂部電容器電極上形成金屬板，並將所述金屬板連接至所述底部電容器電極以提供增高的電容密度。
简体摘要：本申请涉及制作具有局部互连金属电极的金属-绝缘体-金属电容器的方法及相关结构。根据例示性实施方式提供了一种在半导体芯片中制作金属-绝缘体-金属电容器的方法，包括：在位于半导体芯片的第一金属化层下的组件层上形成底部电容器电极，在底部电容器电极上形成的层间阻挡电介质上形成顶部电容器电极。顶部电容器电极由用于连接形成在组件层中的组件的局部互连金属形成。该方法还包括在第一金属化层中、所述顶部电容器电极上形成金属板，并将所述金属板连接至所述底部电容器电极以提供增高的电容密度。

6. 发明专利

TWI546940B 包括唯讀記憶體（ＲＯＭ）陣列的記憶單元電晶體的整合式電路〈IC〉及其製作方法失效
简体标题：包括唯读内存（ＲＯＭ）数组的记忆单元晶体管的集成式电路〈IC〉及其制作方法
公开(公告)号：TWI546940B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW101138245
申请日：2012-10-17
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：夏維 , XIA, WEI
IPC分类号： H01L27/112 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L27/11233 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L27/11293 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/66545

7. 发明专利

TWI517380B 鰭式雙極接面型電晶體及其製造方法有权
简体标题：鳍式双极接面型晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI517380B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101131864
申请日：2012-08-31
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：夏維 , XIA, WEI , 陳向東 , CHEN, XIANGDONG
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L29/1004 , H01L29/732

8. 发明专利

TWI517305B 存儲裝置及製造存儲裝置的方法有权
简体标题：存储设备及制造存储设备的方法
公开(公告)号：TWI517305B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101133040
申请日：2012-09-10
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：夏維 , XIA, WEI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L29/788 , H01L21/31
CPC分类号： H01L27/11543 , H01L21/28273 , H01L29/42324 , H01L29/7883

9. 发明专利

TW201340255A 存儲裝置及製造存儲裝置的方法审中-公开
简体标题：存储设备及制造存储设备的方法
公开(公告)号：TW201340255A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101133040
申请日：2012-09-10
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：夏維 , XIA, WEI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L29/788 , H01L21/31
CPC分类号： H01L27/11543 , H01L21/28273 , H01L29/42324 , H01L29/7883
摘要：本發明公開了一種存儲裝置及其製造方法。該存儲裝置包括：基板；位於所述基板上的源極；位於所述基板上的汲極；位於所述基板上的浮置閘極介電層；位於所述浮置閘極介電層上的浮置閘極，所述浮置閘極包含金屬；位於所述浮置閘極上的選擇閘極介電層；以及位於所述選擇閘極介電層上的選擇閘極，所述選擇閘極包含金屬。
简体摘要：本发明公开了一种存储设备及其制造方法。该存储设备包括：基板；位于所述基板上的源极；位于所述基板上的汲极；位于所述基板上的浮置闸极介电层；位于所述浮置闸极介电层上的浮置闸极，所述浮置闸极包含金属；位于所述浮置闸极上的选择闸极介电层；以及位于所述选择闸极介电层上的选择闸极，所述选择闸极包含金属。

10. 发明专利

TWI509668B 半導體晶片中的金屬-絕緣體-金屬電容器及其製作方法有权
简体标题：半导体芯片中的金属-绝缘体-金属电容器及其制作方法
公开(公告)号：TWI509668B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101133976
申请日：2012-09-17
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：陳向東 , CHEN, XIANGDONG , 陳國順 , CHEN, HENRY KUO-SHUN , 夏維 , XIA, WEI , 沈志杰 , SHEN, BRUCE CHIH-CHIEH
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/92
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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