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    • 2. 发明专利
    • 與具錯誤校正碼保護之記憶體搭配之記憶體內建式自我測試裝置
    • 与具错误校正码保护之内存搭配之内存内置式自我测试设备
    • TW201635306A
    • 2016-10-01
    • TW105105775
    • 2016-02-26
    • 美國亞德諾半導體公司ANALOG DEVICES, INC.
    • 瓊斯 艾瑞克CJONES, ERIC C.艾倫 安卓JALLAN, ANDREW J.
    • G11C29/42
    • G11C29/42G11C29/1201G11C29/36G11C2029/2602
    • 本發明揭露一種實施記憶體自我測試之系統,該系統包括受錯誤校正碼保護之一記憶體以及用於該記憶體自我測試之記憶體內建自我測試(MBIST)裝置。該記憶體內建自我測試裝置包含一第一存取埠,透過一第一通道通訊連接於該記憶體,該第一存取埠排除與該記憶體相關聯之錯誤校正碼;以及一第二存取埠,透過一第二通道通訊連接於該記憶體,該第二通道具有與該記憶體相關聯之錯誤校正碼。該裝置係用以於該裝置之一第一作業模式透過該第一通道以及於該裝置之一第二作業模式透過該第二通道測試該記憶體。其優點係可以少許額外晶粒區域即再次利用產品(第一作業模式)製造測試階段即具備之記憶體自我測試邏輯於客戶(第二作業模式)所需實施之系統或應用層級測試。
    • 本发明揭露一种实施内存自我测试之系统,该系统包括受错误校正码保护之一内存以及用于该内存自我测试之内存内置自我测试(MBIST)设备。该内存内置自我测试设备包含一第一存取端口,透过一第一信道通信连接于该内存,该第一存取端口排除与该内存相关联之错误校正码;以及一第二存取端口,透过一第二信道通信连接于该内存,该第二信道具有与该内存相关联之错误校正码。该设备系用以于该设备之一第一作业模式透过该第一信道以及于该设备之一第二作业模式透过该第二信道测试该内存。其优点系可以少许额外晶粒区域即再次利用产品(第一作业模式)制造测试阶段即具备之内存自我测试逻辑于客户(第二作业模式)所需实施之系统或应用层级测试。